Способ изготовления алюминиевой подложки для гибридных интегральных микросхем Советский патент 1991 года по МПК H05K1/05 

1пИзобретение относн 1 гя к яг::ст)п- электронике и может быгг, игпо. ;ь:товк- но в производстве гибридных гральных микросхем.

Целью изобретения япляется повьюе иие качеств подлолсек за счет увеличения теплостойкости с одновременным Улучше нием плоек с с тн.о с ти п о в . р-кн о с ти подложе тс,

Использоваййе цёт с цз алмаз го:го торцового точения, зэключагогкегося s снятии алмяпным наружчог -о ело алюминия -на глуби)п ст 0,223 до 0,5м обеспечивает однояренепно с чолуче - (шем А xjESCca чистоты ловерхиосттт точность размерон в ггреле.ттах 0,003-0 ,,005 мм, исклм пс г /.е.Ьорма- циго поверхностного слоя г;сл- ;|( ;тт;:ио малых-усилий и о(5ра-5опяпче заусенцев на кромках,

|рименение злектгзол гга lus оспо- .ве ортофосФорной кис лоты обеспечивает выссжую скорость анодн оГо окисла (не менее 0,5 :-() и образование структуры оке ила с., порами большого диаметра (до I00(i А) , Заполнение пор гголиим щгй г паком по- зволяет поЕ-ысить тепгюс топкость под- пожек, Jty4iiiHTh к in-f-i ripo- водящих и- резпстиБных 1: те от:, ур лпс ять плоскостностг. подлпи ки.

П р м е р. Подложки i-r-. fплава AM-f 2 размером 50x i8 мм тс Л|1 :п-10й О, 8-2 J 2 мм обезжлрнваю Б rso шчиом растворе, содер кащем едктп и тринатрин фосЛат, пт)ог-1 - натт V5 го оя- чей и холодной поде, после -lero теп- морихтугот при тем);ературе 573 К л

усилии сжатия 2 10 кг/см ние OjS ч. Подложки с f- .paiijn i-iiinioT lui прециэио гном станке Tr nrio- вого точения марки Мк о 2 .

Перед аттоди 5онанг -м Ч1;;, ; . ;кк и ;тро- «hffiasoT 3 ацеч оне .

Глубокое порист ОР ам ; алюминиевых пластин -трс-н-ча . :л«o электролите следукчн -сп . ;л: эртофосфорная кислота v , .чи I -ni- na кислота 10, пшнелс вая кчс.мог- 30, изопропчловый спирт ЮО , ее j i:oir:ir iinri алюминий О, 1 , Анодир -пап- с --. ют п гальваностатическ ч- ( itn плотности тока 15 i . i ;a- | Уре электролита 2Я5 Р. ,; ,, n В151и пи: :, l j i ,f, i;

ПрПН SH . .-1. , . И ,

95)9

CT;i окс1;да при этом сост авляет - , э мкм/мин. i;aiiec:THe источника тока исгуопьзую потекциостат П-5827 М об(- сг1ечивак1П(ИЙ авто1чатическое под- .цоржанке т-ока. То достижении необходимой TOJUUHiihi пористого оксидного ;;Лг;я (20 мкм) процесс пре крашают,

К После янодироваияя для удаления

SHWOHOB электролита из пор подложки npoNfbmaroT F; деионизированной воде,, у затем 2 :ипятя в atie-roHe в тече- HHf: 15 , этого подложки жисают в Бакууг.е при температуре

{ отжига на поверх- Tiot.T;- оксидно i f) япмминиевого слоя |.етодом ,:;, i-i последующего дентрифу HpoBafn i 1 олиимидкь й лак мя1лси ЛД , После нанесения осу;г;;ествляют сутк: и ь-идизацию слоя 3 диапазоне TesfnepaTyp 373-623 К. 5 даление слоя тГолиит идного лака

осуществляют г.тетодом плазмохимиче- ского травлен 1Я в среде кислород : 10:1, По.диимяд, удаляют на всю ТОЛЩИНУ пленки до поверхности оксидного слол I-F апегка подтравливаК - для сг/гажинаиия рельефа.

0

и 2 О а р е Т е И И Я

Способ изгот овления алюминиевой 11тдло«ки ду;я гибридных интегральных микросхем,, вкггк. чающий терморихтовку кеханическугс обработку поверхности 11о,дложки. ее г лубокое пористое глодирование и нанесение слоя диэлек- г гл- ка. на поверхность анодированного 7лея5 о т j я ч а ю щ и и с я тем, i то 5 с делью повыше Г и я качества под :ожки за счет увеличения теплостойко- :т с одноире 1енпь1м улучшением пло- :;-:(стч ее: позер ;ности,, механическую -брлботку осуч1е ствляют методом торцо- ;ого алмазного точения глубокое по- :-:1Стое анодироЕ яние проводят в элек- ; ролите на ортофосфорной кис- .ij в ка естЕе диэлектрика используют ПОЛИИМИ.ЦНЫЙ лак,, причем после апесения слол лака выпо; няют его с, ;уи;ку и имидизацию с последу:ощь;м удалением слоя JiaKa с поверхности аноди- -;ранного слоя ,

Пс дт-1С;- ое ул. Проектная, S

Изобретение относится к микроэлектронике. Цель изобретения - повышение качества подложек. Подложки, например5 из сплава AM, 2 терморих- туют при температуре 573 К и механически обрабатывают методом торцового алмазного точения.. Затем проводят глубокое пористое анодирование в электролите на осноре ортофосфорной кислоты. Анодирование выполняют при плотности тока 15 нА/см и температуре электролита 285 К. После этого на поверхность анодированного слоя наносят диэлектрик - полиимидный лак, ко- торьм после его сушки и имидизацйн удаляют. Использование метода алмазного торцового точения обеспечивает 14 класс чистоты поверхности, точность размеров в пределах 0,003.,. . Oj005 мм и исключает деформацию поверхностного слоя. Применение электролита на основе ортофосфорной кислоты обеспечивает высокую скорость роста анодного окисла (не менее 0,5 мкм/мин) и образование структуры оксида с порами большого диаметра (до 1000 А ). Заполнение пор поли- имидньгм лаком позволяет повысить теплостойкость подложки, увеличить ее плоскостность и улучшить адгезию к ней проводящих и резистивных пленок.