Накопитель информации Советский патент 1988 года по МПК G11C11/14 

N)

Изобретение относится к вычислительной технике, может быть использот вано в запоминающих устройствах и является дополнительным к авт. св. № 1292038.

Целью изобретения является повьппе- ние надежности и снижение потребляемой мощности.

На чертеже показан фрагмент накопителя, содержащий 2 2 ячейки памяти.

Накопитель информации содержит слой 1 магнитоодноосного материала.

координатную шину второй группы (столбца) ток считьшания 1. Выбранная ячейка лежит на пересечении выбранных координатных шин строки и столбца. В результате воздействия магнитного поля тока в выбранных координатных шинах столбца и строки на материал одноосной пленки участок 3 координатной шины строки или перемагничивается, либо нет в зависимости от состояния монодоменной области. В случае его перемагничи- вания этот участок на период пере

Изобретение относится к вычисли тельной технике и может быть использовано для построения запоминающих устройств. Накопитель информации содержит слой 1 магнитоодноосного мате риала, в котором сформирована матрица запоминающих ячеек. Каждая запоми нающая ячейка состоит из монодоменной области 2, охваченной одной координатной шиной, принадлежащей первой группе, и другой координатной шиной, принадлежащей второй группе шин. Координатные шины первой группы размещены на слое 1 и состоят из участков 3, выполненных из магниторезистивно- го материала, и участков 4, на которых поверх магниторезистивного материала нанесен слой высокопроводящего материала. Координатные шины второй группы 5 отделены от шин первой группы изолирующим слоем. За счет уменьшения общего сопротивления координатных шин первой группы при чтении информации снижается уровень помех, уменьшается пьедестал и сни- - жается потребляемая мощность. 1 ил. СО

в котором сформирована матрица запо- с магничивания в результате магнитореминающих ячеек. Каждая запоминающая ячейка состоит из монодоменной области 2, охваченной одной координатной шиной, принадлежащей первой группе, .и другой координатной шиной, принад- 20 лежащей второй группе шин.. Координатные шины первой группы размещены на слое 1 и состоят из участков 3, выполненных из магниторезистивного материала, и участков 4, на которых по-25

{верх магниторезистивного матер11ала нанесен слой высокопроводящего мате, риала-. Координатные шины 5 второй группы отделены от irfHH первой группы

зистивного эффекта изменяет свое сопротивление. В результате падение напряжения измерительного тока 1 на участке 3 выбранной ячейки изменяется и получается полезньш считываемый сигнал 1. Если перемагничи- вания нет, то полезный сигнал отсутствует и из ячейки считывается О. Ток считывания 1 перемагничивает также магниторезистивный слой участков 4 в местах их пересечения с координатной шиной 5. При этом сопротивление этих участков меняется. Однако магниторезистивный слой на участках

изолирующим слоем 4 (не показан) .Коор- ,Q 4 защунтирован высокопроводящим слодинатные шины первой и второй групп выполнены в виде последовательно соединенных участков в форме разомкнутых колец, магнитосвязанных с монодоменными областями соответственно строк и столбцов матрицы запоминающих элементов.

Устройство работает следующим образом.

Режимы записи и хранения информации аналогичны соответствующим режимам работы накопителя по прототипу. Однако вследствие снижения сопротивления координатных шин первой группы за счет шунтирования частей 4 высо- проводящим материалом на 25-30% общая потребляемая мощность также уменьшается на 10-15%. Режим считывания информации аналогичен режиму считывания для накопителя информации про тотипа. Во время считывания в коорди натную шину первой группы (строки) подается измерительный ток I, , а в

35

40

45

-50

ем и общее сопротивление участков 4 практически не изменяется. Это ослабляет сигнал помехи при считывании.

За счет уменьшения общего сопротивления координатных шин первой группы при чтении информации снижа- ется уровень помех и уменьшается пьедестал, на уровне которого считывается полезный сигнал.

Формула изобретения

Накопитель информации по авт.св. № 1292038, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности и снижения потребляемой мощности, на части шин первой группы, расположенных между участками, охватывающими монодоменные области, и не связанных с ними магнитно, нанесен слой высокопроводящего немагнитного материала, гальванически связанного с магни- торезистивным материалом.

зистивного эффекта изменяет свое сопротивление. В результате падение напряжения измерительного тока 1 на участке 3 выбранной ячейки изменяется и получается полезньш считываемый сигнал 1. Если перемагничи- вания нет, то полезный сигнал отсутствует и из ячейки считывается О. Ток считывания 1 перемагничивает также магниторезистивный слой участков 4 в местах их пересечения с координатной шиной 5. При этом сопротивление этих участков меняется. Однако магниторезистивный слой на участках

,Q 4 защунтирован высокопроводящим сло35

40

45

50

ем и общее сопротивление участков 4 практически не изменяется. Это ослабляет сигнал помехи при считывании.

За счет уменьшения общего сопротивления координатных шин первой группы при чтении информации снижа- ется уровень помех и уменьшается пьедестал, на уровне которого считывается полезный сигнал.

Формула изобретения

Накопитель информации по авт.св. № 1292038, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности и снижения потребляемой мощности, на части шин первой группы, расположенных между участками, охватывающими монодоменные области, и не связанных с ними магнитно, нанесен слой высокопроводящего немагнитного материала, гальванически связанного с магни- торезистивным материалом.