Запоминающая матрица Советский патент 1986 года по МПК G11C11/14 

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть испо зовано при построении запоминающих устройств ЗУ) с произвольной выбор кой информации. Целью изобретения является упрощ ние запоминающей матрицы и считывание информации без разрушения. На Лиг.1 и 2 соответственно пока заны конструкция запоминающей матри ды и ее фрагмент. Запоминающая матрица (фиг,1) содержит диэлектрическую подложку 1, на которой размещен слой магнитоодноосного доменосодержащего материала 2 с информационными ячейками и ячeйкa п-t для считывания информации 4, расположенными между взаимоортогональными параллельными провод тпсами двух т-рупп 5 и 6, изолирован ных друг от друга слоем изолирующег материала 7. Информационные ячейки 3 представ ляют собой монодоменные области, направление намагниченности в которых определяет код записанной инфор . нации. Ячейки для считьшания информации 4 предЬтавляют собой монодоменные области, намагниченность которых имеет одно и то же направлени Проводники группы 5 вьшолнены из маг ниторезистивного материала. Предложенное устройство работает следующим образом. Запись информатдии в выбранную информационную ячейку 3 осуществляется подачей импульсов тока по соответствую1цим проводникам групп 5 и 6 (фиг.2). Считывание информации из выбранной информационной ячейки 3 , осуществляется подачей импу-пьсов то ка по соответствующим проводникам групп 5 и 6. Соответствующая выбранной информационной ячейке 3 ячейка - для считывания информации 4, находящаяся в оп.ределенном монодоменном состоянии, перемагничивается. В зави симости от направления намагниченности в выбранной информационной ячейке 3, т.е. в зависимости.от записанной в нее информации, ее магнит ный поток будет замыкаться через участок- 8 проводника группы 5 на соответствующую ячейку для считьшания информации 4 или не будет замыкаться. Замыкание магнитного потока через участок 8 приводит к изменению электросопротивления соответствующего проводника группы 5 вследствие возникновения в нем магниторезистивного эффекта. Это позволяет определить код записанной информации в выбранной информационной ячейке 3. Рассмотрим работу запоминающей матрицы на конкретном примере. Пусть необходимо записать код информации I в информационную ячейку Q с координатами XY (фиг.2). Для записи кода 1 по соответствующему проводнику группы 5 подается импульс тока записи 1у, а по соответствующему проводнику группы 6 подается импульс тока записи 1х. Под действием магнит-ного поля и мпульсов тока записи 1х и 1у происходи-т намагничивание ячейки о, в состояние, соответствуюдее коду информации 1. Для записи кода информации О в ячейку а полярность импульсов тока х и 1у необходимо изменить на противоположную. При чтении информации из информационной ячейки ц по проводнику группы 5 подается импульс тока ly, полярность которого соответствует импульсу тока 1у, подаваемому при записи кода 1 в информационную ячейку Q 5 а по проводнику группы 6 подается импульс тока 1х, полярность которого соответствует полярности тока 1х, подаваемому при записи кода О в ячейку а. Под действием магнитного поля этих токов ячейка для считьшания информации Ь перемагничивается в монодоменное состояние с направлением намагниченности соответствующим направлению намагниченности запоминающей ячейки q , когда в нее записан код 1. Если в информационную ячейку Q записан код 1, то электросопротивление участка 8, расположенного елоду ячейками а и Ъ,увеличится в силу магниторезнстивного эффекта. сли в информационную ячейку Q запиан код О, то электросопротивлеие участка 8, расположенного между чейками а и b уменьшится. Изенение электросопротивления позволяет определить код записанной информации в ячейке а. Формула изобретения Запоминающая матрица, содержащая иэлектрическую подложку, на которой

размещен слой магнитоодноосного доменосодержащего материала, на который нанесены две группы взаимоортогональных параллельных проводников, разделенных между собой слоем изолирующего материала, отличающаяся тем, что,- с целью упрощения запоминающей матрицы д считывания информации без разрушения, параллельные проводники одной группы выполнены из магниторезистивного материала.