Способ получения тонких пленок нитрида алюминия Советский патент 1993 года по МПК C23C8/24 

i/TiO pf ieHMe относится к технологии ipsKiTA пленок, конкретно к попучен1(Ю пленок нитрида алюминия толщиной до

10000 А.

Целью изобретения является упрощение способа и повышение произоодитель- ности.при сплошности пленки.

Реализация способа без использования специального, сложного физического оборудования обеспечивает упрощение способа; режимные параметры (температура, время) обработки тонкого слоя алюминия на диэлектрической подложке ускоряют процесс образования пленки, сохраняя ее сплошность.

Предлагаемый способ получения тонкой пленки нитрида алюминия осуществляется в следующей последовательности: диэлектрическая подложка с тонким слоем алч5миния помещается в рабочую камеру, заполняемую азотом высокой чистоты до давления выше атмосферного; подложка с алюминием прогревается при температуре не более, чем на 5-10°С ниже температуры плавления алюминия в течение мин, после чего температуру повышают до 1200- fl TAO C .1 зыдоржиеают 5-10 мин.

Иезупь-смты исследований по нагреву с:;пф :. опой подложки диаметром IS мм со

о

:;поем зпк:.,.1ин,)Я толщиной 7000 А я печи ГВВ-4 при рабочем давлении азст- высокой ;иг.,сты (99.999%) 1.5 атм {0,15 МПя) представлены в таблице.

Из анализа полученных результатов с -едуег, что оптимальными режимными параметрами для образования пленки нитрида алюм1 .ния является: 650 C ti 660°C (ТплА). Г1 10-12мин,г2 1200-1250°С, -10 мин. где ti - температура предваритель5 ного прогрева; г i- время выдержки при ti: t2 - верхняя температура процесса; гу - время выдержки при 12.

Предложенным способом получаются прозрачные, сплошные пленки нитрида

0 алюминия, обладающие хорошей адгезией с подложкой. Средняя скорость обраэова

г

ния пленки составляет 200-300 Л/мин.

Предлагаемый способ получения том 15 ких пленок нитрида AIN по сравнению с известным позволяет использовать обыч- , ное, широко распространенное технологическое оборудование, обеспечивающее нагрев не выше 1500°С при величине давле- 20 ния азота, незначительно превышающем атмосферное, получать пленки нитрида

о

алюминия толщиной до 10000 А (в известо

- НОМ 400 А), со средней скоростью образова-

ния 200-300 А/мин (в известном 10-15

о

А/мин), Кроме того, площадь получаемой

тенки ограничена лишь размерами исход- 30 ного образца - диэлектрической подложки с

напыленным алюминием.

(56) Самсонов Г.В. Неметаллические нитриды. М., 1969, с. 153.

35Физика и химия обработки материалов.

1984, МгЗ. С.50.

Продолжение таблицы

Изобретение относится к технологии тонких пленок конкретно к получению пленок нитрида алюминия толщиной до 10000 Д. Целью изобретения является упрощение способа и повышение производительнопи при сохранении сплошности пленки. Способ осущеавляют следующим образом: диэлектрическую подложку с тонким слоем алюминия помещают в рабочую камеру заполняемую азотом высокой чистсты до давления выше атмосферного; подложку с алюминием прогревают при температуре не более чем на 5 - 10°С ниже температуры плавления алюминия в течение 10 -- 12 мин, после чего температуру позы.1иют до 1200 1250°С и выдерживают 5-10 мин 1 табл

Формула изобретения

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК НИТРИДА АЛЮМИНИЯ, включающий нанесение слоя алюм1 ;ия на подложку и последующее азотирование, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа и повышения производительности при со10

хранении сплошности пленки, азотирование ведут при давлении азота выше атмосферного путем ступенчатого нагрева с температурой первой ступени на 5 - Ю С ниже температуры плавления апкэминия и выдержкой в течение 10-12 мин и температурой второй ступени 1200 - 1250 С и выдержкой в течение 5 - 10 мин