Устройство для получения монокристаллов, например, германия Советский патент 1961 года по МПК C30B15/00 

Изобретение относится к устройству для нолучения монокристаллов полупроводниковых материалов. Известные устройства для выращивания кристаллов полупроводниковых материалов по способу Чохральокого не позволяют получать кристаллы с равномерным распределением примесей в объеме кристалла. Объясняется это тем, что смотровые щели в тепловых экранах печи создают асимметрию теплового поля в пространстве нагревателя на зеркале расплава, а центральное отверстие в экранах для ввода затравки и подъема растущего кристалла на,рушает радиальный градиент на зеркале расплава. Кроме того, по мере роста и вывода кристалла из пространства, окруженного экранами, он попадает в более холодное пространство печи, что создает термические напряжения в кристалле, особенно в кристаллах с диаметром меньше 20 мм.

Описываемое устройство не имеет указанных недостатков вследствие того, что на niTOKe для вытягивания монокристаллов вмонтирован враи1ающийся экран, выполненный в виде воронки с вырезами. На чертеже изобрал ено предлагаемое устройство, общий вид. Устройство состоит из тигля /, обогреваемого нагревательным элементом 2, по периферии которого установлены экраны 3 и 4. На штоке 5 для вытягивания кристаллов при помощи закрепляющей гайки 6 помещен вращающийся верхний воронкообразный экран 7 с расположенными в нем иа равном расстоянии друг от друга как в конусообразной, так и в цилиндрической частях вырезами 8. В нижней части щтока при помощи патрона крепят затравку 9. Тепловые экраны 3 и 4, окружающие нагреватель 2, могут быть выполнены конусообразной формы, подобной конусной части вращающегося верхнего экрана. При наблюдении за ходом технологического процесса сбоку вырезы в экране могут быть выполнены только в цилиндрической его части. Вырезы щириной 3-3,5 мм при скорости вращения экрана 50-60 об/мин обеспечивают хорощее наблюдение в зоне роста кристалла.

; . ЧТ р е д м е т

УстройстводЛя приучения монокристаллов, например, германия ло способу Чохральского; выполненное в виде экранированного тигля с нагревательным элементом и штоком для вытягивания монокристаллов, от л и ч а1рЩё ёся,тем, что, с целью получения более однородных по своему составу кристаллов, на штоке для вытягивания монокристаллов монтирован экран, выполненный в виде воронки с вырезами.

изобретения