Известные способы получения на поверхности диэлектриков электропроводящего слоя, основанные на покрытии диЭv eктpикa проводящим слоем путем вакуумного испарения при высоких температурах (порядка 400-600°), непригодны для диэлектриков, имеющих низкую температуру размягчения, и не обеспечивают возможности получения электропроводящего слоя, прозрачного в анодной и инфракрасной областях спектра,
В предлагаемом способе диэлектрик покрывают тонким слоем металлической меди с помощью вакуумного испарения и подвергают воздействию паров серы. Это дает возможность получить электропроводящий слой, прозрачный в видимой и инфракрасной областях спектра и пригодный для диэлектриков с низкой температурой размягчения.
В соответствии с описываемым способом, на поверхность диэлектрика под давлением 5-10 мм рт. ст. вакуумным испарением наносят слой металлической меди, причем интегральное светопропускание этих слоев находится в пределах 10-70%. Покрытый слоем меди диэлектрик подвергают воздействию паров серы при температуре 70-90° в закрытом сосуде в течение 0,5-5 час в результате чего на поверхности диэлектрика образуется электропроводящий слой, состоящий из сернистых соединений меди. В зависимости от толщины (светопропускания) слоя металлической меди получают электропроводящий слой сернистой .меди с удельным поверхностным сопротивлением порядка 10-Ш ом и светопропусканием в видимой и инфракрасной областях спектра порядка 30-90%. С увеличением сопротивления прозрачность токопроводящего слоя возрастает.
Описанный способ дает возможность получать слои, сохраняющие свои электрические и оптические свойства при длительном воздействии температур порядка 100-120° и пропускании постоянного и переменного тока и может найти применение для устранения запотевания и обле№ 141907- 2 -. ..-., - -
денеяия--смо;др|)в.й1Х стекол из органических материалов, снятия элек;Тростатических зарядов с поверхности диэлектриков, нагрева оптических Mafepyfe%% npfe|rfa4Hbix в инфракрасной и видимой областях снектра, а. т$т у& щ ейтве прозрачного электрода в электролюминесцентных устройствах, использующих органическое стекло взамен тяжелого
и хруикб1 оeWJSfатногЬ стекла.
. .,.,. ,„.. ,. .v
Предмет изобретения
Способ получения на поверхности диэлектриков электропроводящего слоя, основанный на покрытии диэлектрика проводящим слоем путем вакуумного испарения, отличающийся тем, что, с целью получения электропроводящего слоя, прозрачного в видимой и инфракрасной областях спектра, слой металлической меди, нанесенный на диэлектрик вакуумным испарением, подвергают воздействию паров серы..
