Способ предотвращения диффузии примесей из изделий из кварцевого стекла в расплав полупроводникового металла Советский патент 1961 года по МПК C03C23/00 

Известны способы предотвращения диффузии примесей из изделий из кварцевого стекла в расплав полупроводникового металла. Однако эти способы недостаточно эффективны.

В описываемом способе для иредотвращения термодиффузии примесных катионов из излТелия, изготовленного из кварцевого стекла, и усиления сорбционных свойств его внутренней поверхности на наружную поверхность изделия от маломощного источника постоянного тока подают ток мощностью 50-100 милливатт на 1 см рабочей поверхности изделия из кварцевого стекла.

На чертеже изображено устройство для осуществления способа.

Способ предотвращения диффузии примесей состоит в том, что при выращивании монокристалла / из расплава 2 полупроводникового металла на наружную поверхность 3 изделия 4 из кварцевого стекла, г котором происходит процесс плавки и выращивания монокристалла 1, подают отрицательное смещение от маломощного источника тока, имеющего хорошую стабилизацию. С этой целью между изделием 4 н графитовым катодом 5 помещают тонкий слой 6 графитового порощка. Электрическая мощность, обусловленная напряжением смещения, составляет 50-100 милливатт на 1 см рабочей поверхности 7 нллелия 4. Величину напряжения отрицательного смещения принимают в пределах 100-200 в на 1 мм толщины стенки 8 изделия 4, но не меfiee 400 в при толщине стенки, меньще 3 мм.

При подаче отрицательного электрического смещения на нгру/К ную поверхность 3 изделия 4 в системе расплаз 2 - изделие i --катод 5 возбуждают слабый электрический ток, обусловленный диффузионным пере.мещением примесных катионов, содержащихся в кварцевом стекле изделия 4, от внутренней положительно заряженной поверхности 7 изделия 4 к наружной поверхности 3, находящейся ггод