В Настоящее время для получения изделий из кристзочлических материалов в форме полусферы, полуэллипса, параболы и др. обычно выращивают монокристалл в виде блока достаточных размеров, из которого затем путем холодной обработки изготовляют соответствующее изделие.
Однако этот способ производства изделий страдает рядом существенных недостатков, так как помимо трудностей, связанных с выращиванием крупных монокристаллов (диаметром 100-300 мм и трудоемкости холодной обработки, основная часть выращенного монокристалла при этом идет в отходы. Поэтому, в тех случаях, когда монокристаллы обладают хорошей спаянностью и легко поддаются пластической деформации при нагревании, из выращенного монокристалла-блока выкалывают пластины, из которых затем путем пластической деформации получают заготовки соответствующих изделий.
Этот путь хотя и более экономичен, чем первый, требует, однако, достаточно слож;юго оборудования и технологически весьма сложен.
Известны также способы непосредственного получения таких фасонных монокристальных изделий при кристаллизации тугоплавких порощковых веществ методом по Вернейлю.
Предложенный новый способ получения монокристаллов в виде полых тел вращения в процессе выращивания из расплава методом вытягивания, с применением кристаллодержателей состоит в том, что, с целью получения монокристаллов с более сложний, чем цилиндрическая формой поверхности, кристаллодержатель с затравкой подвергают замедленному вращению в сочетании с перемещением его в пределах угла 90°, обеспечивающим движение конца затравки по заданной кривой со скоростью кристаллизации.
Описываемый способ выращивания монокристаллов заданной формы обладает следующими преимуществами.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ТРУБ И СПОСОБ ИХ ПОЛУЧЕНИЯ | 2013 |
|
RU2531823C1 |
СПОСОБ ЗАТРАВЛЕНИЯ ПРИ ВЫРАЩИВАНИИ ПРОФИЛИРОВАННЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ КОРУНДА МЕТОДОМ СТЕПАНОВА | 1987 |
|
RU1503355C |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ОБЪЕМНЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ Р-ТИПА | 1992 |
|
RU2070233C1 |
МОНОКРИСТАЛЛ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДИСКОВ В УСТРОЙСТВАХ НА ПОВЕРХНОСТНО-АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ И СПОСОБ ЕГО ПОЛУЧЕНИЯ | 2000 |
|
RU2172362C2 |
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ЛАНТАНГАЛЛИЕВОГО СИЛИКАТА МЕТОДОМ ЧОХРАЛЬСКОГО | 1999 |
|
RU2143015C1 |
УСТАНОВКА ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ | 2009 |
|
RU2418109C1 |
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСПЛАВА | 2003 |
|
RU2222647C1 |
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ АЛЮМОИТТРИЕВОГО ГРАНАТА, ЛЕГИРОВАННОГО ВАНАДИЕМ | 2012 |
|
RU2501892C9 |
МОНОКРИСТАЛЛ СО СТРУКТУРОЙ ГАЛЛОГЕРМАНАТА КАЛЬЦИЯ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДИСКОВ В УСТРОЙСТВАХ НА ПОВЕРХНОСТНО-АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ И СПОСОБ ЕГО ПОЛУЧЕНИЯ | 2003 |
|
RU2250938C1 |
Электропечь для плавки и формования из расплава | 1957 |
|
SU112533A1 |
Авторы
Даты
1962-01-01—Публикация
1961-04-27—Подача