Способ получения носителей информации испарением в вакууме аморфного селена на электропроводящую подложку Советский патент 1984 года по МПК G03G5/82 G03G5/14 

Описание патента на изобретение SU1071993A1

со

со

00

Изобретение относится к способу получения неорганических фотопроводниковых слоев, а именно к способу получения инжекционного слоя аморфного селена, применяемого для повышения электрофотографической чувствительности фототермопластических (ФТН) пленок.

Известен способ получения нрсителей информации испарением в вакууме аморфного селена на электропровоиякщую подложку Cl.

Однако на носителях, полученных известным способом, нельзя получать изображения высокого качества.

Цель изобретений - повьвцение качества изображения путем увеличения чувствительности носителей.

Поставленная цель достигается тем, что согласно способу получения носителей информации испарением в вакууме аморфного селена на электропроводяцую подложку испарение селена проводят при давлении 5-10 8 10° мм рт. ст., температуре подложки 18 - 25 с, скорости испарения 4-12 мкм/мин и скорости движения подложки 3-16 м/мин.

Пример. Термическим испарением в вакууме 5 -Ю №4 рт. ст. наносят слой аморфного селена со скорость 4 мкм/мин на рулонную полиэтнлентерефталатную подложку с проводящим слоем никеля, скорость движения подложки 16 м/ мйв, при этом толщина напыляег юго слоя .селена 0,03 мкм. Сверху иэ раствора в толуоле наносят фототермопластическую композицию, содержащую полиN-винилкарбазол и сополимер стирола с бутадиеном в соотношении 1г1„ Толцина фототермопластического слоя 2 мкм. Материал высушивают в вакуумном шкафу при комнатной температуре в течение 2ч.

П р и м е р 2. Образец фототермопластической пленки приготавливают аналогично примеру 1, с той лишь разницей, что давление остаточного газа при получении слоя селена составляет мм рт. ст, скорость движения подложки 5 м/мин, толщина слоя селена 0,12 мкм.

П р и м е р 3. Образец фототермопластической пленки приготавливают аналогично примеру 2, с той

лишь разницей, что скорость движения подложки составляет 7 м/мин,

П р и м е р 4. Термическим испЕфением в вакууме мм рт.ст. наносится слой аморфного селена

Q со скоростью 12 мкм/мин на рулонную полиэтилентерефталонную подложку с проводящим слоем хрома. Скорость движения подложки 12 м/мин, температура подложки 25°С, толщи5 на наносимого слоя селена 0,12 мкм. Сверху иэ раствора в толуоле наносят фототермопластическую композицию, содержащую поли-Н-винилкарбазол и сополимер спирола с бутадиеном в соотношении 1;1. Толщина

фототермопластической композиции составляет 2 мкм.

Материал высушивают в вакуумном шкафу при комнатной температуре в течение 2ч.

- . П р и м е р 5. Образец фототермопластической пленки приготавлив зют аналогично примеру 3, с той лишь разницей, что толщина слоя селена составляет 0,2 мкм, а ско0 рость движения подложки - б м/мкн.

П р и мер б. Образец фототермопластической пленки приготавливают аналогично примеру 5, с той лишь разницей, что материалом

5 проводящего слоя является титан, скорость нанесения слоя селена 10 мкм/мин, скорость движения подложки 7 м/мин, температура подложки .

П р и м е р 7. Образец фототермопластической пленки приготавливают аналогично примеру 5, с той лишь разницей, что толщина слоя селена 5 составляет 0,50 мкм,скорость нанесения слоя 12 мкм/мин, скорость, движения подложки 3 м/мин, температура подложки 25с.

Рез5льтаты имерений по примерам 1-7 сведены в таблицу.

VD ОЧ

VO (Г)

IX)

У5 (П

Vf 0

о

Oi

о

Похожие патенты SU1071993A1

название год авторы номер документа
Фототермопластический материал для записи информации 1981
  • Постников Александр Александрович
  • Табатадзе Джумбери Григорьевич
SU1108384A1
И.-Д.Б. Сидаравичус 1972
SU336638A1
Фототермопластический материал и способ его получения 1981
  • Ряннель Эро Федорович
  • Каплинская Людмила Викторовна
SU995058A1
Фототермопластический материал 1987
  • Табатадзе Джумбери Григорьевич
  • Павлов Александр Валентинович
  • Недужий Сергей Александрович
  • Бадьева Маргарита Максовна
SU1444698A1
Фототермопластический материал 1991
  • Радугина Юлия Евгеньевна
  • Еремина Тамара Тихоновна
  • Крюков Владислав Валерьевич
  • Малахова Ирина Александровна
SU1768044A3
Фототермопластический преобразователь изображений и способ нанесения пленки фоточувствительного стеклообразного полупроводника из материала состава ( @ ) @ ( @ ) @ 0,333 @ 0,435,для фототермопластического преобразователя изображений 1981
  • Коломиец Борис Тимофеевич
  • Любин Виктор Меерович
  • Межов Иван Иванович
  • Шило Виктория Петровна
  • Пойманов Анатолий Михайлович
  • Баратов Александр Гургенович
  • Бекичева Любовь Ивановна
  • Жулай Анатолий Павлович
SU1059590A1
Фототермопластический материал 1980
  • Зеленина Людмила Ивановна
  • Володина Авиэтта Петровна
  • Постников Александр Александрович
  • Павлов Александр Валентинович
  • Орлова Галина Михайловна
SU896591A1
СВЕТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ МАТЕРИАЛ 1990
  • Герке Р.Р.
  • Дмитриков П.А.
  • Крыжановский И.И.
  • Михайлов М.Д.
  • Юсупов И.Ю.
  • Яковук О.А.
RU2021624C1
Фототермопластический материал 1981
  • Зеленина Людмила Ивановна
  • Володина Авиэтта Петровна
  • Постников Александр Александрович
  • Орлова Галина Михайловна
  • Туркина Елена Юрьевна
SU1040460A1
Фототермопластический материал для записи информации 1981
  • Бородкина Мария Сергеевна
  • Малахова Ирина Александровна
  • Чельцова Татьяна Всеволодовна
  • Черкасов Юрий Андреевич
  • Крюков Владислав Валерьевич
SU1108383A1

Реферат патента 1984 года Способ получения носителей информации испарением в вакууме аморфного селена на электропроводящую подложку

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ НОСИТЕЛЕЙ ИНФОРМАЦИИ ИСПАРЕНИЕМ В ВАКУУМЕ АМОРФНОГО СЕЛЕНА НА ЭЛЕКТРОПРОВОДЯЩУЮ ПОДЛОЖКУ, отличающийс я тем, что, с целью повышения качества изображения путем увеличения .чувствительности, ис ictpeHHe селена проводят ,при давлении 5-lO-s 8-10 ммрт. ст., температуре поД-; ложки 18 - 25°С, скорости испарения 4-12 мкм/мин и скорости движения подложки 3-16 м/мин.

Формула изобретения SU 1 071 993 A1

(N

vo tvi

li

из fM tN Г

N

О О

ь

if,

ш чо

b t.

о

ь

00

1Л fN

in rg

in fN

00 N 00 о ГМ

го ГМ

fS (N

(-4 CN ГМ 1Л о г-н

о о о о о

to Ч 1Л kO . а071993

Как видно из таблицы предлагав-известным fioco6oM в 5-13 раз и сомый способ получения инжекционныххраняемость в 3,5 раза, а следоселеновых слоев на рулоннай г одлож-вательно, повышается качество иэобке обеспечивает повышейие чуствиЧражения, получаемого на данной

тельяости пленки по сравнению сйленке.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1984 года SU1071993A1

Печь для непрерывного получения сернистого натрия 1921
  • Настюков А.М.
  • Настюков К.И.
SU1A1
Способ получения селеновых электрофотографических слоев 1969
  • Бондаренко О.М.
  • Дарьин К.И.
  • Ислямов В.А.
  • Казакова Р.В.
  • Подвигалкин П.М.
  • Рейцман Г.З.
  • Броницкий В.В.
  • Шнейдман Г.Б.
  • Лепешкин А.П.
  • Окунас М.П.
  • Янкаускас А.Б.
SU345837A1
Переносная печь для варки пищи и отопления в окопах, походных помещениях и т.п. 1921
  • Богач Б.И.
SU3A1

SU 1 071 993 A1

Авторы

Зеленина Людмила Ивановна

Постников Александр Александрович

Табатадзе Джумбери Григорьевич

Даты

1984-02-07Публикация

1982-01-08Подача