со
со
00
Изобретение относится к способу получения неорганических фотопроводниковых слоев, а именно к способу получения инжекционного слоя аморфного селена, применяемого для повышения электрофотографической чувствительности фототермопластических (ФТН) пленок.
Известен способ получения нрсителей информации испарением в вакууме аморфного селена на электропровоиякщую подложку Cl.
Однако на носителях, полученных известным способом, нельзя получать изображения высокого качества.
Цель изобретений - повьвцение качества изображения путем увеличения чувствительности носителей.
Поставленная цель достигается тем, что согласно способу получения носителей информации испарением в вакууме аморфного селена на электропроводяцую подложку испарение селена проводят при давлении 5-10 8 10° мм рт. ст., температуре подложки 18 - 25 с, скорости испарения 4-12 мкм/мин и скорости движения подложки 3-16 м/мин.
Пример. Термическим испарением в вакууме 5 -Ю №4 рт. ст. наносят слой аморфного селена со скорость 4 мкм/мин на рулонную полиэтнлентерефталатную подложку с проводящим слоем никеля, скорость движения подложки 16 м/ мйв, при этом толщина напыляег юго слоя .селена 0,03 мкм. Сверху иэ раствора в толуоле наносят фототермопластическую композицию, содержащую полиN-винилкарбазол и сополимер стирола с бутадиеном в соотношении 1г1„ Толцина фототермопластического слоя 2 мкм. Материал высушивают в вакуумном шкафу при комнатной температуре в течение 2ч.
П р и м е р 2. Образец фототермопластической пленки приготавливают аналогично примеру 1, с той лишь разницей, что давление остаточного газа при получении слоя селена составляет мм рт. ст, скорость движения подложки 5 м/мин, толщина слоя селена 0,12 мкм.
П р и м е р 3. Образец фототермопластической пленки приготавливают аналогично примеру 2, с той
лишь разницей, что скорость движения подложки составляет 7 м/мин,
П р и м е р 4. Термическим испЕфением в вакууме мм рт.ст. наносится слой аморфного селена
Q со скоростью 12 мкм/мин на рулонную полиэтилентерефталонную подложку с проводящим слоем хрома. Скорость движения подложки 12 м/мин, температура подложки 25°С, толщи5 на наносимого слоя селена 0,12 мкм. Сверху иэ раствора в толуоле наносят фототермопластическую композицию, содержащую поли-Н-винилкарбазол и сополимер спирола с бутадиеном в соотношении 1;1. Толщина
фототермопластической композиции составляет 2 мкм.
Материал высушивают в вакуумном шкафу при комнатной температуре в течение 2ч.
- . П р и м е р 5. Образец фототермопластической пленки приготавлив зют аналогично примеру 3, с той лишь разницей, что толщина слоя селена составляет 0,2 мкм, а ско0 рость движения подложки - б м/мкн.
П р и мер б. Образец фототермопластической пленки приготавливают аналогично примеру 5, с той лишь разницей, что материалом
5 проводящего слоя является титан, скорость нанесения слоя селена 10 мкм/мин, скорость движения подложки 7 м/мин, температура подложки .
П р и м е р 7. Образец фототермопластической пленки приготавливают аналогично примеру 5, с той лишь разницей, что толщина слоя селена 5 составляет 0,50 мкм,скорость нанесения слоя 12 мкм/мин, скорость, движения подложки 3 м/мин, температура подложки 25с.
Рез5льтаты имерений по примерам 1-7 сведены в таблицу.
VD ОЧ
VO (Г)
IX)
У5 (П
Vf 0
о
Oi
о
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Фототермопластический материал для записи информации | 1981 |
|
SU1108384A1 |
И.-Д.Б. Сидаравичус | 1972 |
|
SU336638A1 |
Фототермопластический материал и способ его получения | 1981 |
|
SU995058A1 |
Фототермопластический материал | 1987 |
|
SU1444698A1 |
Фототермопластический материал | 1991 |
|
SU1768044A3 |
Фототермопластический преобразователь изображений и способ нанесения пленки фоточувствительного стеклообразного полупроводника из материала состава ( @ ) @ ( @ ) @ 0,333 @ 0,435,для фототермопластического преобразователя изображений | 1981 |
|
SU1059590A1 |
Фототермопластический материал | 1980 |
|
SU896591A1 |
СВЕТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ МАТЕРИАЛ | 1990 |
|
RU2021624C1 |
Фототермопластический материал | 1981 |
|
SU1040460A1 |
Фототермопластический материал для записи информации | 1981 |
|
SU1108383A1 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ НОСИТЕЛЕЙ ИНФОРМАЦИИ ИСПАРЕНИЕМ В ВАКУУМЕ АМОРФНОГО СЕЛЕНА НА ЭЛЕКТРОПРОВОДЯЩУЮ ПОДЛОЖКУ, отличающийс я тем, что, с целью повышения качества изображения путем увеличения .чувствительности, ис ictpeHHe селена проводят ,при давлении 5-lO-s 8-10 ммрт. ст., температуре поД-; ложки 18 - 25°С, скорости испарения 4-12 мкм/мин и скорости движения подложки 3-16 м/мин.
(N
vo tvi
li
из fM tN Г
N
О О
1Л
ь
if,
ш чо
b t.
о
ь
00
1Л fN
in rg
in fN
00 N 00 о ГМ
го ГМ
fS (N
(-4 CN ГМ 1Л о г-н
о о о о о
to Ч 1Л kO . а071993
Как видно из таблицы предлагав-известным fioco6oM в 5-13 раз и сомый способ получения инжекционныххраняемость в 3,5 раза, а следоселеновых слоев на рулоннай г одлож-вательно, повышается качество иэобке обеспечивает повышейие чуствиЧражения, получаемого на данной
тельяости пленки по сравнению сйленке.
Печь для непрерывного получения сернистого натрия | 1921 |
|
SU1A1 |
Способ получения селеновых электрофотографических слоев | 1969 |
|
SU345837A1 |
Переносная печь для варки пищи и отопления в окопах, походных помещениях и т.п. | 1921 |
|
SU3A1 |
Авторы
Даты
1984-02-07—Публикация
1982-01-08—Подача