Способ изготовления микросхем Советский патент 1989 года по МПК H05K3/00 

1

Изобретение относится к электронной технике, а именно к тонкопле- ночной технологии изготовления микросхем, и может быть использовано при изготовлении СВЧ-микросхем.

Цель изобретения - повышение стабильности электрических характеристик путем повышения стойкости антикоррозионного покрытия.

На чертеже показана последовательность операций предлагаемого способа.

, Способ изготовления микросхем на диэлектрической подложке включает формирование тонкопленочных резисторов, напыление сплошного слоя меди с адгезйонЯым подслоем хрома, формирование негативной фоторезистивной

маски с последующим гальваническим наращиванием меди и антикоррозионного покрытия никеля, удаление фоторезистивной маски и напыленного слоя

5 меди, наращивание антикоррозионного слоя золота и последующее травление хрома.

Пример. Поликоровую подложку (я) очищают в хромпике, промывают

10 в проточной деионизованной воде и деионизованной воде с ультразвуком, сушат на центрифуге азотом, подогретым до 40-60°С. Затем на подложке формируют с помощью фотолитографии

15 тонкопленочные резисторы из тантала

(б). Далее подложку снова очищают в

хромпике с последующей отмывкой де ионизованной водой, наносят BaKyyftСП

ел

оо со

со

ным напылением структуру хром-медь l Япов°° 100 --+ 15% и толщиной меди

jO,9fO,2 мкм (б) создают фоторезис- тивную маску (t) в виде негативного |Изображения проводников и контактных |площадок, ограниченного прямоуголь- |ной замкнутой ранкой по периметру подложки, проводят электрохимическое наращивание меди в сернокислом электролите, нагретом до при плотности прямого тока 5 мА/см, до заданной толщины, затем - антикоррозионного слоя никеля (d) из бориого электролита при комнатной температу - ре и плотности тока 3 мА/см толщиной 0,3+0,1 MICM, удаляют фоторезис- тивную маску (е) в органических растворителях, травят медь () в травите-2о позволяет уменьшить его трудоемкость пе, имещем состав:

Хромовый анг идрид,

г/л450

Серная кислота,

мл/л50

Формула изобретения Способ изготовления микросхем на диэлектрической подложке, включающий формирование тонкопленочных резисто 251 ров, напыление сплошного слоя меди с адгезионным подслоем хрома, формирование негативной фоторезистивной маски с последующим гальваническим наращиванием меди и антикоррозионнонаращивают, антикоррозионный слой золота (v) из фосфатного электролита, имеющего состав, г/л:

: Дицианоаурат .калия10 Аммоний фосфорнокислый

однозамещенный40 Аммоний фосфорнокислый

двухзамещенный60

Нитрат таллия0,01

|при температуре 7G°C и плотности то |ка 2-3 мА/см толщиной 3 мкм, а за- ;тем травят хром в травителе следую- |щего состава, г/л:

Железосинеродистый : калий -250

: Гидрат окиси калия 28

Негативная фоторезистивная маска позволяет в процессе наращивания меди и антикоррозионного слоя никеля и последующего травления меди получить медную замкнутую прямоугольную рамку на сплошном слое хрома, которая обеспечивает возможность наращивания антикоррозионного слоя золота

без применения вспомогательных технологических проводников, а также обеспечивает полную защиту краев проводников и контактных площадок антикоррозионным покрытием, что при.водит к повышению стабильности

электрических характеристик. Исключ« ние из. технологического процесса операций защиты и удаления вспомогательных технологических проводников

позволяет уменьшить его трудоемкость

Формула изобретения Способ изготовления микросхем на диэлектрической подложке, включающий формирование тонкопленочных резисто ров, напыление сплошного слоя меди с адгезионным подслоем хрома, формирование негативной фоторезистивной маски с последующим гальваническим наращиванием меди и антикоррозионного покрытия никеля и золота и удалением фоторезистивной маски и напыленного слоя меди и хрома, отличающийся тем, что, с целью повьппения стабильности электрических характеристик лутем повьппения стойкости антикоррозионного покрытия, слой золота наращивают лосле удаления фоторезистивной маски и травления напыленного слоя меди, причем в процессе изготовления микросхем одновременно формируют по краю под- лйжки замкнутую технологическую рамку, структура которой ловторяет структуру проводников.

О I / /

га S / У / I

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении СВЧ-схем. Цель изобретения - повьшение стабильности электрических характеристик. Способ изготовления микросхем на диэлектрической подложке включает формирование токнопленочных резисторов, нанесение структуры х ром-медь, формирование фоторезистивной маски в виде негативного изображения проводников и контактных площадок, обрамленного прямоугольной замкнутой рамкой, выполняющей функцию маски для формирования технологических проводников, электрохимическое наращивание меди и никеля, удаление фоторезистивной маски, травление меди, наращивание антикоррозионного слоя золота при использовании в качестве технологических проводников прямоугольной замкнутой медной рамки,сформировавшейся по пе-- риметру подложки на сплошном слое хрома, и последующее травление хрома. Способ обеспечивает повышение стабильности электрических характеристик. 1 ил.

V////////,.

f/f / У /

////777

Ж I j ; У

3 1 У

Син Сг

ФР

V77.

Сг

Wt Ct/

Cr

Аи Ni -Си irCr