Элемент памяти Советский патент 1989 года по МПК G11C11/40 

1

Изобретение относится к программируемым запоминающим устройствам с плавающим затвором и ультрафиолетовым стиранием и может быть применено для записи информации в ячейку полупостоянного запоминающего устройства с использованием пониженного напряжения записи.

Целью изобретения является уменьшение потребляемой мощности.

На фиг.1 представлен элемент памяти; на фиг.2 - то же, вид сверху.

Элемент памяти содержит управляющий 1 и плавающий 2 затворы, полупроводниковую подложку 3, истоковую область 4, стоковую область 5, диэлектрический слой 6, области инжектирующих электродов 7 (источник постоянного магнитного поля не показан),

Элемент памяти в режиме программирования работает следующим образом.

i (/

На инжектирующие электроды 7 подается постоянное напряжение (5-В), вызывающее ток утечки между ними. Над ячейкой устанавливается источник постоянного магнитного поля так, чтобы вектор магнитной индукции В был параллеллен плоскости плавающего затвора. Так как ток утечки представляет собой направленное движение электронов со средней скоростью V, на них действует сила Лоренца

1Д .

которая смещает электроны дс плавающему затвору. Плавающий эатвор.захватывает электроны до тех пор, пока образовавшееся электростатическое поле не достигнет значения, уравновешивающего действие силы Лоренца.

Исходное пороговое напряжение запоминающего транзистора 1,8-2,0 В г(при отсутствии заряда на плавающем

го

CS Ј

а

д

314729464

1 ). Это условно соответствует Основную же роль

затворе

1, и записывать эту информацию не требуется. При наличии заряда на плавающем затворе 1 пороговое напряже- ние достигает 9 В, что условно соответствует О.

Прилагаемое напряжение чтения 5 В достаточно для открытия транзистора, имеющего Unep « 1,8-2,0 В и недоста- JQ точно для открытия транзистора, имеющего UBOP 9 В.

Запись О происходит следующим образом.

15

Исходное облако электронов создается подачей напряжения на инжектирующие электроды 7. Напряжение на электродах невелико - 5 В. Принципиально это напряжение может быть 20 сколь угодно мало, лишь бы создавался ток утечки над плавающим затвором 2. Можно заземлить подложку 3 и подать небольшое (0,05 В) напряжение на управляющий затвор 1.25

продавливающего элек щему затвору, играет Формула изо

Элемент памяти, с проводниковую подлож ностном слое которой ковая и истоковая об верхности полупровод расположен диэлектри котором размещены вз кулярные области упр вающего затворов с ч крытием стоковых и и тей, отличающ что, с целью уменьше мощности, в элемент две.области инжектир дов, размещенных ме плавающего и управля с частичным перекрыт причем области инже тродов параллельны о го затвора.

толкателя.

продавливающего электроны к плаваю- . щему затвору, играет магнитное поле. Формула изобре-тения

Элемент памяти, содержащий полупроводниковую подложку, в приповерхностном слое которой размещены стоковая и истоковая области, на поверхности полупроводниковой подложки расположен диэлектрический слой, в котором размещены взаимно перпендикулярные области управляющего и плавающего затворов с частичным перекрытием стоковых и истоковых областей, отличающийся тем, что, с целью уменьшения потребляемой мощности, в элемент памяти введены две.области инжектирующих электродов, размещенных между областями плавающего и управляющего затворов с частичным перекрытием их краев, причем области инжектирующих электродов параллельны области плавающего затвора.

Изобретение относится к программируемым запоминающим устройствам с плавающим затвором и ультрафиолетовым стиранием и может быть применено для записи информации в ячейку полупостоянного запоминающего устройства с использованием пониженного напряжения записи. Целью изобретения является уменьшение потребляемой мощности. Поставленная цель достигается за счет введения двух областей инжектирующих электродов, размещенных между областями плавающего и управляющего затворов с частичным перекрытием их краев, причем области инжектирующих электродов параллельны области плавающего затвора. 2 ил.

фиг.1

, , LJ

фиг. 2