Диэлектрический резонатор Советский патент 1989 года по МПК H01P7/10 

(21)4259798/24-09

(22)04.05.87

(46) 07.05.89. Бкш. № 17

(72) Т.Н.Вербицкая, Л.П.Мудролюбова,

Б.А.Ротенберг, Л.В.Светлова,

А.Н.Сельвич, Л.С.Соколова

и Т.Н.Нарытник

(53)621.372.412(088.8) (56) Патент США № 3919672, кл. Н 01 Р 1/20, -1975.

Microwave Journal. 1980, v. 21, № 12, p. 62.

(54)ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ РЕЗОНАТОР

(5-7) Изобретение относится к технике СВЧ. Цель изобретения - повышение

механической прочности резонатора. Диэлектрический резонатор содержит диэлектрический образец 1 в виде пленки толщиной 5-100 мкм на основе твердого раствора алюмината лангана- титаната кальция или твердого раствора барийлантаноидного тетратитана- тар где лантаноид самарий и неодим. Пленка спеканием закреплена на подложке 2, которая имеет толщину 0,2- 1,0 мм и выполнена из поликора, оксида магния или сапфира. Цель достигается выполнением образца 1 в виде пленки, закрепленной спеканием на подложке 2. 2 ил.

Изобретение относится к технике СВЧ. Цель изобретения - повышение механической прочности резонатора. Диэлектрический резонатор содержит диэлектрический образец 1 в виде пленки толщиной 5-100 мкм на основе твердого раствора алюмината лантана - титаната кальция или твердого раствора барийлантаноидного тетратитаната, где лантаноид - самарий и неодим. Пленка спеканием закреплена на подложке 2, которая имеет толщину 0,2-1,0 мм и выполнена из поликора, оксида магния или сапфира. Цель достигается выполнением образца 1 в виде пленки, закрепленной спеканием на подложке 2. Даны ил. выполнения резонатора дисковой и прямоугольной формы. 2 ил.

Фиг.1

ю

sj

Изобретение относится к изделиям техники СВЧ и может быть использовано для создания частотно-избирательных устройств ГВЧ-трактов и колебательных систем СВЧ-автогенераторон. Цель изобретения - повышение механической прочности диэлектрическо го резонатора.

На фиг, 1 представлена конструкция диэлектрического резонатора дисковой и прямоугольной формы; на фиг. 2 - группа диэлектрических резонаторов дисковой формы.

Диэлектрический резонатор содержи диэлектрический образец 1 в виде пленки толщиной 5-100 мкм на основе .твердого раствора алюмината лантана титаната кальция или твердого раст вора баринлантаноидного тетратитана- Tas где лантаноид - самарий и неодим которая закреплена на подложке 2 спеканием , при этом подложка 2 имеет толщину 0, мм и выполнена из поликораs окисда магния либо сапфира

Резонатор работает следующим образом

При поступлении электромагнитной волны на диэлектрический резонатор в нем возбуждаются колебания, струк тура и резонансная частота которых. определяется выбором формы и резонансных размеров, диэлектрического образца 1, а также значением относи тельной диэлектрической проницаемости материалов. Добротность и термостабильность резонатора определяет™ ся, в основном, тангенсом угла потерь и ТКр. материала соответственно. Ввиду тогор что диэлектрический образец 1 резонатора выполне | в виде пленки с повышенными значениями В - 20-100, закрепленной спеканием на подложке 2 с относительно малыми значениями Ј ( Ј( 10-16), то электромагнитное поле сосредотачивается преимущественно в пленке диэлектричес кого образца 1, а подложка 2 выполняет функции носителя, благодаря чему достигается повышение механи- ческой прочности диэлектрического резонатора.

Основные характеристики диэлектрического резонаторав такие как резонансная частота, добротность и термостабильность определяются параметрами диэлектрического образца 1 в виде пленки на основе твердого раствора алюмината лантана - титаната кальция или твердого раствора барийлантаноидного тетрзтитаната, которые остаются практически неизиен-гыми при закреппении плечки на подложке 2 спеканием. Влияние подложки приводит лишь к назначитепь ным изменениям указанных характеристик диэлектрического резонатора.

O Выполнение диэлектрического образца 1 в виде пленки закрепленной на подложке 2 спеканием, позволяет повысить механическую прочность вы сокодоброткых, термостабильных ди$ электрических резонаторов, предназначенных для использования в коротковолновой части сантиметрового и миллиметрового диапазона волн, где для обеспечения резонансных размеров

0 диэлектрического резонатора требуют- ся диэлектрические образцы 1 из ука занкьпс материалов толщиной менее 200 мкм.,

При этом изготовление и обработ5 ка сплошных диэлектрических образцов 1 малой толщины существенно затруднены из-за хрупкости используемых диэлектрических материалов (керамика) .

0 Выбор толщины подложки 2 в пределах 0,2-1,0 мм позволяет использовать в качестве носителя диэлектрической пленки подложки стандзрт- лых микрополосковых линий5 rse

j. реализовать схемы функциональных устройств СВЧ на диэлектрических резонаторах в интегральном кспслне- нли. Из монолита, состоящего но ди электрической пленки и подложки 2г

ф можно изготавливать диски (шзйби) к прямоугольники заданных размеров или специальными приемани частично удалять пленку с подложками 2, оставляя на ней требуемых размеров плен-- ки8 выполняющие функции резонаторов

Формула изобретение

Диэлектрический резонатор, содер жащий- диэлектрический образец, имею- 0 щий резонансные размеры, выполненный из материала с относительной диэлектрической проницаемостью Ј s 20-100, температурные коэффициентом TKg - 0 и тангенсом угла потерь

- 10 и закрепленный на подлог ке, отличающийся тем, что, с целью повышения механической прочности, диэлектрический образец

5 Ю

выполнен в виде пленки толщиной 5 - 100 мкм на основе твердого раствора алюмината лантана - титаната кальция

или твердого раствора барийлантаноид- полйена из поликора, оксида магния

ного тетратитаната, где лантаноид лчбо сапфира.

самарий и неодим, которая закреплена на подложке спеканием, при этом под ложка имеет толщину 0,2-1, О мм и вылчбо сапфира.

Фиг. г