название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНОГО ВАКУУМНОГО МИКРОПРИБОРА | 1988 |
|
SU1729243A1 |
АВТОЭЛЕКТРОННЫЙ МИКРОТРИОД И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ | 2006 |
|
RU2360321C2 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНОЙ СХЕМЫ | 1990 |
|
RU2023329C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МНОГОУРОВНЕВЫХ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ МИКРОСХЕМ | 2011 |
|
RU2474004C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ МНОГОУРОВНЕВЫХ ПЛАТ ДЛЯ МНОГОКРИСТАЛЬНЫХ МОДУЛЕЙ, ГИБРИДНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ И МИКРОСБОРОК | 2011 |
|
RU2459314C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ВЫСОКОЧАСТОТНОГО КРЕМНИЕВОГО ПЛАНАРНОГО ТРАНЗИСТОРА | 1971 |
|
SU316135A1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ВЫСОКОЧАСТОТНОГО ПРИБОРА НА ЭФФЕКТЕ ГАННА С КАТОДОМ С ОГРАНИЧЕННОЙ ИНЖЕКЦИЕЙ ТОКА | 1992 |
|
RU2061277C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ГИБРИДНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ | 1995 |
|
RU2079212C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР С ТЕМПЕРАТУРНОЙ КОМПЕНСАЦИЕЙ | 1989 |
|
SU1635817A1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МИКРОЭЛЕКТРОННОГО УЗЛА НА ПЛАСТИЧНОМ ОСНОВАНИИ | 2015 |
|
RU2597210C1 |
Способ изготовления коммутационных плат, включающий обработку подложек, термообработку, формирование слоев первого и второго уровней коммутации, межслойной полиимидной изоляции, контактных окон, межуровневых соединений и защитного слоя, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности, слои наносят на гибкую безусадочную подложку, контактные площадки второго уровня смещают относительно контактных площадок первого уровня и производят одновременное вскрытие контактных площадок через защитный слой с последующей дополнительной их металлизацией, причем термообработку изоляционного и защитного слоев проводят на сферической поверхности.
Авторы
Даты
2005-12-20—Публикация
1987-02-03—Подача