СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КОММУТАЦИОННЫХ ПЛАТ Советский патент 2005 года по МПК H05K3/00 

Похожие патенты SU1501903A1

название год авторы номер документа
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНОГО ВАКУУМНОГО МИКРОПРИБОРА 1988
  • Татаренко Н.И.
SU1729243A1
АВТОЭЛЕКТРОННЫЙ МИКРОТРИОД И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ 2006
  • Татаренко Николай Иванович
RU2360321C2
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНОЙ СХЕМЫ 1990
  • Дьяков Ю.Н.
  • Сандеров В.Л.
  • Царев В.Н.
  • Попов А.А.
  • Еремеев М.П.
  • Морозов В.В.
RU2023329C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МНОГОУРОВНЕВЫХ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ МИКРОСХЕМ 2011
  • Гусев Валентин Константинович
  • Негин Алексей Викторович
  • Андреева Татьяна Геннадьевна
RU2474004C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ МНОГОУРОВНЕВЫХ ПЛАТ ДЛЯ МНОГОКРИСТАЛЬНЫХ МОДУЛЕЙ, ГИБРИДНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ И МИКРОСБОРОК 2011
  • Нетесин Николай Николаевич
  • Короткова Галина Петровна
  • Корзенев Геннадий Николаевич
  • Поволоцкий Сергей Николаевич
  • Карпова Маргарита Валерьевна
  • Королев Олег Валентинович
  • Баранов Роман Валентинович
  • Поволоцкая Галина Ювеналиевна
RU2459314C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ВЫСОКОЧАСТОТНОГО КРЕМНИЕВОГО ПЛАНАРНОГО ТРАНЗИСТОРА 1971
  • Г. А. Викин, Н. А. Королев, Н. А. Кравцова В. В. Малкова
SU316135A1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ГИБРИДНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ 1995
  • Марков Валентин Викторович
  • Плаксин Геннадий Арсеньевич
  • Салтыков Вячеслав Вениаминович
  • Тикменов Василий Николаевич
RU2079212C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ВЫСОКОЧАСТОТНОГО ПРИБОРА НА ЭФФЕКТЕ ГАННА С КАТОДОМ С ОГРАНИЧЕННОЙ ИНЖЕКЦИЕЙ ТОКА 1992
  • Каневский Василий Иванович[Ua]
  • Сухина Юрий Ефимович[Ua]
  • Ильин Игорь Юрьевич[Ua]
RU2061277C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР С ТЕМПЕРАТУРНОЙ КОМПЕНСАЦИЕЙ 1989
  • Кремнев А.А.
SU1635817A1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МИКРОЭЛЕКТРОННОГО УЗЛА НА ПЛАСТИЧНОМ ОСНОВАНИИ 2015
  • Тимошенков Сергей Петрович
  • Вертянов Денис Васильевич
  • Назаров Евгений Семенович
RU2597210C1

Реферат патента 2005 года СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КОММУТАЦИОННЫХ ПЛАТ

Способ изготовления коммутационных плат, включающий обработку подложек, термообработку, формирование слоев первого и второго уровней коммутации, межслойной полиимидной изоляции, контактных окон, межуровневых соединений и защитного слоя, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности, слои наносят на гибкую безусадочную подложку, контактные площадки второго уровня смещают относительно контактных площадок первого уровня и производят одновременное вскрытие контактных площадок через защитный слой с последующей дополнительной их металлизацией, причем термообработку изоляционного и защитного слоев проводят на сферической поверхности.

SU 1 501 903 A1

Авторы

Абдюков А.И.

Гредякин В.А.

Коледов Л.А.

Фарченков В.Н.

Даты

2005-12-20Публикация

1987-02-03Подача