1
(21)4378161/26 (22) 18.02.88 (46)07.05.93. Б юл. fvh 17 (72) Л.П.Гальчииецкий, В.Д.Рыжиков, Н.Г.Старжинский и М.Ш.Файнер (56) Карлов Ы.В., Сисякин Е.В. Оптические материалы для СОа-лазеров. Известия АН СССР, сер. Физическая, 1980, т.44, № 8, с. 1631-1638.
Авторское свилетельство СССР М- 1111516, кл. С 30 В 33/00, 1Э82. (54) СПОСОБ ТЕРМООБРАБОТКИ ОПТИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ ИЗ СЕЛЕНИДА ЦИНКА
(57) Изобретение относится к обработке кристаллов, конкретно селенида цинка, и позволяет уменьшить их коэффициент оптического поглощения в инфракрасной области. Из кристалла селенида цинка резкой, шлифовкой и полировкой получают оптический элемент. Элемент подвергают термообработке в атмосфере насыщенного пара еллура при lOOO-IOSO C в течение 40-44 ч. Достигают уменьшения коэффициента оптического поглощения подлине волны 10,6 мкм до 3,5 10 см . 1 табл.
| название | год | авторы | номер документа |
|---|---|---|---|
| Способ обработки кристаллических элементов на основе селенида цинка | 1989 |
|
SU1630334A1 |
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ОПТИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ ИЗ ХАЛЬКОГЕНИДОВ ЦИНКА И КАДМИЯ | 2002 |
|
RU2240386C2 |
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРИСТАЛЛОВ ХАЛЬКОГЕНИДОВ ТИПА AB Использование: в приборостроении, квантовой электронике, лазерной спектроскопии и т | 1991 |
|
RU2031983C1 |
| СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ХАЛЬКОГЕНИДОВ ЦИНКА ИЛИ КАДМИЯ И ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ НА ИХ ОСНОВЕ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ | 1990 |
|
RU2030489C1 |
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО МАТЕРИАЛА N-ТИПА НА ОСНОВЕ СЕЛЕНИДА ЦИНКА | 2000 |
|
RU2170291C1 |
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРУПНОГАБАРИТНЫХ КРИСТАЛЛОВ СЕЛЕНИДА ЦИНКА | 1992 |
|
RU2051211C1 |
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СЦИНТИЛЛЯТОРА НА ОСНОВЕ СЕЛЕНИДА ЦИНКА, АКТИВИРОВАННОГО ТЕЛЛУРОМ | 2000 |
|
RU2170292C1 |
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ОСОБО ЧИСТЫХ ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ СТЕКОЛ, СОДЕРЖАЩИХ ГАЛЛИЙ | 2021 |
|
RU2770494C1 |
| СТЕКЛО С НАНОКРИСТАЛЛАМИ СЕЛЕНИДА СВИНЦА ДЛЯ ПРОСВЕТЛЯЮЩИХСЯ ФИЛЬТРОВ БЛИЖНЕЙ ИК ОБЛАСТИ СПЕКТРА | 2009 |
|
RU2412917C1 |
| Способ получения поликристаллических блоков халькогенидов цинка или кадмия для оптических изделий | 1988 |
|
SU1670001A1 |
Изобретение оиюсится к получению материалов, применяемых и электронном приборостроении, лазерной силовой оптике и технике, в лазерной спектроскопии, и может быть использоиано, например,при разработке мощных С02-лазеров, оптических затворов и модуляторов.
Целью изобретения является уменьшение коэффициента оптического поглои ения в инфракрасно области.
П р и м ер i. Из кристалла селенида цинка, полученного выра1циванием из расплава под давлением аргона, вырезают диски диаметром 25 мм и юлщипой 6 мм. Проводят их шли(||С1ису и полироаку. Получают оптические элементы диаметром 25 мм и толщиной 5 мм с оптически полированными рабочими поверхностями. Затем оптические элементы помещают о кварцевую ампулу 150 см , в которую добавляют навеску теллура, достаточную получения насы1ценного пара. Ампулу с оптическими элементами и навеской теллура вакуумируют до 10 мм рт.ст. и помещают в
электропечь сопротивления. Температуру в печи доводят до , выдерживают при этой температуре 40 ч, затем печь выключают. После остыоаник печи до комнатной температуры ампулу вынимают, разбивают ее, извлекают оптические элементы и измеряют их коэффициенты поглощен ия, которые оказываются равными 3
П р и м е р 2. Процесс проводят, как в примере 1, но изменяют температуру и длительность термообработки. Полученные данные по коэффициентам поглощения элементов приведены в таблице.
Таким образом, из примеров оидно, что способ по изобретению позволяет по сравнению с прототипом уменьшить коэ1)фици- ент оптического поглощения о(пч;ческих элементов из кристаллов селенида цинка нз 1-2 порядка. Способ обеспечивает достижение высокой оптической однородности состава материала, что обусловливается увеличение его лучевой прочности.
(Л
с
СЛ
iK)
о со
iO
СА)
Формула изобретения
Способ термообработки оптических элементов из селенида цинка, включающий
и с я тем, что, с целью уменьшения коэффициента оптического поглощения в инфракрасной области, термообработку проводят в атмосфере насыщенного пара теллура при
выдержку при их нагреве, о т л и ч а ю щ и- 5 нагреве до 1000-1050°С в течение 40-44 ч.
950
1050
44,0
1100
50,0
4 (прототип)
400
2,5
и с я тем, что, с целью уменьшения коэффициента оптического поглощения в инфракрасной области, термообработку проводят в атмосфере насыщенного пара теллура при
нагреве до 1000-1050°С в течение 40-44 ч.
Процесс экстракции примеси и расс асы- вания иеоднороднос- тей прошел не полностью
Процесс экстракции примеси и рассасы- ваиия неодиородное- тей завершился полностью
Наблюдается сублимация материала, под- плавление краев элементов, ухудшается класс обработки оп- тическугх поверхностей
