Способ дозирования сыпучего материала и устройство для его осуществления Советский патент 1989 года по МПК G01F11/00 

ВозЗух

СП

со

о

00

К рас пыли- твАн

Изобретение относится к технике дозирования сыпучих материалов и может быть использовано в системах питания сырьевой смесью.

иель изобретения - повышение точности дозирования.

На фиг. I показана конструкция предлагаемого устройства; на фиг. 2 - сечение А-А на фиг. 1.

Питатель состоит из бункера I с охватьтающей его нижнюю часть электромагнитной катушкой 2, подключенной к источнику напряжения. Над перфорированным дном 3 бункера 1 параллель- но ему расположена перфорированная перегородка 4 на расстоянии, меньшем двух диаметров шаров 5. Ферромагнитные шары 5 свободно размещены между перфорированным дном 3 и перфориро- ванной перегородкой 4, и сверху перфорированной перегородки 4. В бункере 1 размещена мешалка 6. Нижняя часть бункера I в сечении А-А. выполнена в форме правильного шестиуголь- ника. Часть шаров 5, находящихся под перфорированной перегородкой 4, расположены плотно в один слой, а их центры расположены на осях отверстий дна 3.

Способ реализуют следующим образом.

Создают напряженность электромагнитного поля с максимальной амплитудой, что обеспечивает приведение в движение утрамбованных в порошке ферромагнитных шаров 5, для чего на электромагнитную катушку 2 подают максимальньп1 ток. Затем устанавливают необходимую по технологическим ус ловиям величину тока. Ферромагнитные шары 5 в электромагнитном поле приходят во вращательное и колебательно движения. Ограничение амплитуды колебаний нижнего слоя ферромагнитных ша ров перфорированной перегородкой 4 и дном 3 гарантирует стабильность структуры и, как следствие, постоянство расхода материала, проходящего

через слой шаров 5. По истечении необходимого времени плавно уменьшают подаваемую на катушку 2 величину тока, уменьшая таким образом амплитуду напряженности электромагнитного поля. Скорость колебаний ферромагнитных шаров 5 уменьшается, при этом каждый шар занимает расположенное под ним отверстие и плотно его перекрьшает. Таким образом обеспечивается надежное прекращение подачи порошка.

Формула изобретения

1.Способ дозирования сыпучего материала, заключающийся в пропускании его через слой ферромагнитных шаров, колеблющихся под действием электромагнитного поля, с максимальной амплитудой напряженности при включении, отлич ающийся тем, что, с целью повьш1ения точности дозирования, амплитуду колебаний шаров ограничивают величиной их диаметра, а амплитуду напряженности электромагнитного поля после включения устанавливают равной рабочему значению, а при выключении - плавно убываюшей.

2.Устройство для дозирования сыпучего материала, содержащее бункер с перфорированным дном, на котором

Iсвободно размещены ферромагнитные шары, и электромагнитную катушку, охва- тьшающую нижнюю часть бункера и подключенную к источнику напряжения, отличающееся тем, что, с целью повьш1ения точности дозирования, в него введена перфорированная перегородка, установленная над перфорированным дном параллельно ему на расстоянии, меньшем двух диаметров шара, нижняя часть бункера выполнена с сечением в виде правильного шестиугольника, часть шаров, находящаяся под перегородкой, расположена плотно в один слой, а их центры расположены на осях отверстий дна.

Изобретение относится к технике дозирования сыпучих материалов. Цель изобретения - повышение точности дозирования. При включении через электромагнитную катушку 2 пропускают максимальный ток, что обеспечивает начало хаотического движения ферромагнитных шаров 5, нижний слой которых плотно уложен на перфорированном дне 3. Затем значение тока уменьшают до рабочего. Благодаря наличию перфорированной перегородки 4, установленной параллельно перфорированному дну 3 на расстоянии меньше двух диаметров шаров 5, амплитуда колебаний шаров 5 ограничена. Этим обеспечивается сохранение структуры слоя шаров 5, что приводит к сохранению стабильного расхода. Кроме того, нижняя часть бункера 1 имеет гексагональное сечение. При выключении значение тока, проходящего через катушку, плавно уменьшают до нуля. При этом шары 5 занимают положение над отверстиями дна и плотно их затыкают. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.

Фие.г