Способ нанесения термопластической оболочки на радиодетали и устройство для его осуществления Советский патент 1990 года по МПК H01G13/00 B29C41/20 

Фиг.1

Изобретение относится к производству радиодеталей и может быть использовано для нанесения пластмассо- йой оболочки на радиодетали с однонаправленными выводами.

Гель изобретения - расширение технологических возможностей способа и улучшение качества изделий.

На Фиг.1 и фиг.2 изображено уст- ройство для осуществления предлагаемого способа (в двух лроекпиях); на фиг.З - последовательность операций осуществлению способа.

Устройство для осуществления пред- Латаемого способа содержит литьевую форму 1 с литниковым отверстием 2 и и рабочей полостью 3 для размещения радиодетали, ползун 4 подачи радиоде- в рабочую полость и ползун 5 за- Оирания рабочей полости. На стенках рабочей полости 3 выполнены уступы 6, йысота которых равна толщине наноси- Ной на радиодетали оболочки.

Способ осуществляют следующим об- разом.

Радиодеталь 7, подлежащую заливке, устанавливают своими выводами в отверстия ползуна 4 (фиг.За), поспе чего радиодеталь 7 вводят в узкую часть рабочей полости 3, которую запираю г олзуном 5 (фиг.Зб). Затем в рабочую полость 3 подают под давлением зали- очную массу 8 (фиг.Зв), после чего нее внедряют радиодеталь 7 (фчг.Зг ц д). В результате на радиодетали 7 Образуется оболочка, покрывающая ее cto всех сторон, кроме поверхности, контактирующей с ползуном 4. Затем ползун 4 отводят от радиодетали 7 (фиг.Зж) и в образовавшийся зазор повторно вводят заливочную массу, окончательно формируя оболочку радиодетали (фиг.Зз), готовое изделие выталкивается ползуном 4 из литьевой Аор- мы 1 (фиг.3 и).

Способ позволяет наносить тонкостенные оболочки на радиодетали с однонаправленными выводами без деАор- мирующего воздействия на радиодеталь что позволяет наносить оболочки из термопластического материала на хрупкие радиодетали (транзисторы, микросхемы, конденсаторы) с тонкими выводами.

Формула изобретения

1.Способ нанесения термопластической оболочки на радиодетали, включающий введение радиодетали ползуном в литьевую форму, подачу заливочной массы в литьевую форму и удаление радиодетали с оболочкой из литьевой формы, отличающийся тем что, с целью расширения его технологических возможностей и улучщения качества изделий, подачу заливочной массы в литьевую форму осуществляют перед введением в нее радиодетали, затем внедряют радиодеталь в находящуюся в литьевой форме заливочную массу до покрытия ею свободных от контакта с ползуном поверхностей радиодетали, после чего ползун отводят от радиодетали на расстояние, равное толщине оболочки, и Повторно подают заливочную массу в литьевую форму до заполнения зазора между радиодеталью и ползуном.

i

2.Устройство для нанесения термопластической оболочки на радиодетали, содержащее литьевую форму с литниковым отверстием и с рабочей полостью для размещения радиодетали, ползун подачи радиодетали в рабочую полость и ползун запирания рабочей полости, отличаю ш, ееся тем, что, с целью расширения технологических возможностей и улучшения качества изделий, на стенках рабочей п 9лости литьевой формы выполнены уступы высотой, равной толщине наносимой на радиодеталь оболочки.

7 4

Изобретение относится к производству радиодеталей и может быть использовано для нанесения пластмассовой оболочки на радиодетали с однонаправленными выводами. Цель изобретения - расширение технологических возможностей за счет обеспечения нанесения на радиодетали тонкостенных оболочек и повышение качества изделий за счет устранения деформирующих воздействий на радиодеталь. Нанесение оболочки осуществляют в два приема. Сначала в рабочую полость 3 литьевой формы 1 подают заливочную массу и ползуном вводят радиодеталь, внедряя ее в заливочную массу. Затем ползун 4 отводят от радиодетали и в образовавшийся зазор повторно вводят заливочную массу, окончательно формируя оболочку радиодетали. Устройство для осуществления способа характеризуется наличием на стенках рабочей полости 3 литьевой формы 1 уступов, высота которых равна толщине наносимой на радиодеталей оболочки. 2 с.п. ф-лы, 3 ил.

ALL

Фаг.1

1/ЛШЩ1

-JZL

-дйЕ$ Ш$З

Фиг