Способ центрирования кристаллов алмаза Советский патент 1990 года по МПК B28D5/00 

Изобретение относится к обработке монокристаллов и может быть использовано при обработке полуфабрикатов кристалла алмаза.

Цель изобретения - повышение точности и производительности обработки

На фиг. 1 схематически изображено основание пирамиды кристалла алмаза; на фиг. 2 - график изменения радиус- вектора основания в функции угла поворота .

Способ заключается в том, что кристалл алмаза устанавливают в оправки 1 шпинделей обточного станка. Измерительный наконечник 2 датчика перемещений (не показан) вводят в соприкосновение с кристаллом 3. Поворачивают шпиндели на один оборот. Регистрируют локальные экстремумы (фиг. 2) изменения радиус-вектора основания кристалла 3 (Re, Rk, R, и RM).

После этого поворачивают шпиндели на угол фт, смещают кристалл по линии NP системы координат станка на величин lt. Поворачивают шпиндели на угол 90° и смещают кристалл по линии NP на величину Р2. Контроль величины смещения осуществляют с помощью датчика перемещений.

В результате измерений значений локальных экстремумов расстояний четырех сторон основания по оси вращения шпинделей повышается точность и производительность ориентирования кристалла, так как на результаты измерений не влияют морфологические особенности распыленных, кристач- лов и погрешности профиля рундиста.

Пример. Кристалл группы РОП с размером основания 5,0X5.2 мм устанавливают г оправки обточного станка модели ПО - 2, на одном из шпинделей которого установлена плавающая планшайба с возможностью радиального перемещения При повороте

сл

СЛ

05

ЬЈ

й

15569244

шпинделя на один оборот регистрирую ние Ј ™уф Ъ™™ поворачивают шпиндели на угол равный 5 ™ ю ™брнката до совпадения 10°13 й смещают кристаллы на величину /ь мещение получу v „„а,„рыия шпинделя, равную 0,83 мм. Поворачивают шпиндели на угол 90° и смещают кристалл на величину /2, равную 0,96 мм. Эффективность способа оценивают по точности центрирования и производительности операции.

Реализация предлагаемого способа центрирования приводит к повышению точное

к v.... „ 71 пячя И ППОИЗВОДИ

уфаорикаш д -

« пги с осью вращения шпинделя,

SssAsMsr Si

,0

путем непрерывного измерения радиус-векто ооГ контура основания полуфабриката до ров контура иполном обороООВ КОНТура Ut-пиоалпл 11 - .., -г- I

ГоТиГтац Т,, производи-и вращения шп-в но- тельности в 4,5 раза. Для неправильных« „„„е значения радиус-вектокристаллов используют аналогичные деист-15 руют минима ают направление одного

вчя, но в сочетании с методом .последо- „„„имальных значений радивательных приближений по каждой верши-из полученны и про.

не, начиная с минимального значения ра- Рперемещение полуфабриката вдоль

диус-вектора основания кристалла. Кроме „улевая точка отсчета - центр

го точки К и М определяют собой диа-направления У величину, равную

метр окружности пояс ка бриллианта щения ми нимальных значений

симального размера а точки Е и L - его™ нвеек 3ров, лежаших в этом направле- ЕйJ после чего полуфабрикат поворачивают

на угол повторяют указанные деистСИ JVKlJllJiivi v- j

положение в полуфабрикате.

Формула изобретения Способ центрирования кристаллов ал- noLuu цкки закреплеГпособ центрирования ни..-- --- маза включающий установку и закрепле- 25 вия.

™ ю ™брнката до совпадения мещение получу v „„а,„рыия шпинделя,

уфаорикаш д -

« пги с осью вращения шпинделя,

SssAsMsr Si

путем непрерывного измерения радиус-векто ооГ контура основания полуфабриката до ров контура иполном обороООВ КОНТура Ut-пиоалпл 11 - .., -г- I

-и вращения

Изобретение касается обработки монокристаллов станкостроения и может быть использовано при обработке полуфабрикатов кристалла алмаза. Цель изобретения - повышение точности и производительности. Способ заключается в том, что кристалл устанавливают в оправки шпинделей станка. Измеряют значения локальных экстремумов расстояний четырех сторон его основания до оси вращения шпинделей за один оборот. Определяют координаты центра основания кристалла относительно упомянутой оси вращения: L₁=(R₁-R₃)/2

L₂=(R₂-R₄)/2, где L₁, L₂ - значения смешений центра кристалла в двух взаимно перпендикулярных направлениях

R₁, R₂, R₃, R₄ - локальные экстремумы противолежащих сторон основания. Поворачивают шпиндели в положение, соответствующее значению R₁, и смещают кристалл на величину L₁. Поворачивают шпиндели на угол 90° и смещают кристалл на величину L₂. 2 ил.

В

н

фие. 1

/, AW

фие.2