Корпус интегральной микросхемы Советский патент 1990 года по МПК H01L23/02 

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при конструировании и изготовлении корпусов интегральных микросхем.

Цель изобретения - повышение надежности .

На фиг. 1-3 представлены варианты . выполнения корпуса с зазором по периметру ободка.

Корпус интегральной микросхемы содержит диэлектрическое основание 1, выполненное, например, из керамики

ВК-91, с припаянным к металлокерами- ческому спаю 2 с образованием герметичного шва металлическим ободком 3 из материала 29НК или 2Н и крышку t из того же материала. Между ободком 3 и основанием 1 по всему периметру ободка со стороны внешней боковой поверхности имеется зазор 5. Кристалл 6 с микросхемой расположен на диэлектрическом основании 1 корпуса и соединен с выводами 7 проволочными перемычками 8.

31

Корпус испопьзуется следующим обра зом,

При выполнении в ободке корпуса зазора по его внешнему периметру гер метизацию производят сваркой крышки к ободку корпуса. При этом возникает температурное поле, распространению которого препятствует зазор, В таблице приведены значения величин зазо ра в зависимости от материала ободка и длительности сварочного импульса

(fee)Наличие воздушного зазора под ободком позволяет отнести зону сильного термического влияния процесса сварки от металлокерамического спая и диэлектрического основания, что поедохраняет конструкцию корпуса от появления трещин, поскольку величина зазора определяется из глубины проникновения максимальных температур при сварке.

Конструкция корпуса позволяет за счет снижения термического воздействия процесса герметизации шовной контактной сваркой на спай металл- керамчка и диэлектрическое основание

593834

корпуса повысить выход годных интегральных микросхем по операции герметизации и повысить надежность их

работы при эксплуатации за счет сох- 5 ранения герметичности корпуса.

Формула изобретения

Корпус интегральной микросхемы, 0 содержащий диэлектрическое основание, установленный на основании одной торцовой стороной ободок из металла, который жестко соединен с основанием по периметру посредством герметич15 НОГ° шва и КРЬ|ШКУ Расположенную на другой, противоположной торцовой стороне ободка, отличающий- с я тем, что, с целью повышения надежности, ободою установлен с образованием с внешней стороны герметичного шва зазора между обращенными одна к другой поверхностями диэлектрического основания и соответствую- - щей торцовой стороны ободка по пери25 метру, минимальная величина ширины которого равна 0,02-0,1 мм, а минимальная величина глубины - 0,55 0,6 мм.

20

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при конструировании и изготовлении корпусов интегральных микросхем (ИМС). Цель изобретения - повышение надежности. Корпус ИМС содержит диэлектрическое основание, на котором установлен одной своей торцовой стороной металлический ободок, жестко связанный с ним сваркой, а также крышку, расположенную на противоположной торцовой стороне ободка. Новым является то, что ободок устанавливается с образованием с внешней стороны сварочного шва зазора. Зазор выполнен по всему периметру между обращенными одна к другой поверхностями диэлектрического основания и соответствующей торцовой стороны ободка. Минимальная ширина зазора составляет 0,02-0,1 мм, а минимальная глубина - 0,55-0,6 мм. Наличие воздушного зазора под ободком позволяет отнести зону сильного термического влияния процесса сварки от металлокерамического спая и диэлектрического основания, что предохраняет конструкцию корпуса от появления трещин. 3 ил.

2 J 4 6 8

Фиг.З