Корпус для интегральной микросхемы Советский патент 1982 года по МПК H01L23/04 H05K5/06 

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при конструировании и изготовлении корпусов интегральных микросхем и полупроводниковых приборов.

Известен металлостеклянный корпус для интегральных микросхем, содержащий стеклянное основание с коммута- ционными выводами и металлическую крышку. Герметизация корпуса осуществляется путем припайки крышки с помощью припоя к коваровому кольцу, вваренному в торец боковой стенки основания

Недостатком этой конструкции корпуса является малая термоустойчивость паяного герметизирующего шва. Кроме того, при флюсовой пайке продукты сварки проникают внутрь корпуса, осаждаются на кристалл интегральной микросхемы и могут изменять ее па-раме тры.

Наиболее близким к изобретению по технической сущности является корпус для интегральной микросхемы, содержащий диэлектрическое основание, выполненное в виде полого цилиндра, с коммутационными выводами и с сечением Т-образной формы, присйединяемую при герметизации (сварке) не посредственно к торцевой поверхности боковой стенки основания 2 J.

Недостатком известной конструкции корпуса является низкая долговечность так как стеклянное основание трудно проварить на всю толщину стенки и при термических воздействиях в силу хрупкости используемых материалов в месте сварки возможно образо вание

10 трещин.

В том случае, когда боковые стенки в корпусе выполняются тонкими и соответствующими толщине крьпщси, можно осуществить проваривание стекла

15 на всю толщину боковой стенюл основания. Однако в этом случае в силу малой толщины опорной торцевой поверхности возможно разрушение корпуса при 1 ембранном движении кр1лики,

20 вызванном внешними воздействиями.

Кроме того в известной конструкции возможно проникновение при сварке внутрь корпуса продуктов разложения стекла, что ухудшает параметры

25 микросхем.

Цель изобретения - повышение долговечности корпуса и уменьшение проникновения продуктов сварки в объем 30 .корпуса. Указанная цель достигается тем, что в корпусе для интегральной микр схемы, содержащем диэлектрическое основание, выполненное в виде полого цилиндра с коммутационными выводами, и крышку с сечением Т-образно формы, в торце боковой стенки основания выполнена U-образная кольцевая канавка на расстоянии от наружной боковой поверхности стенки не превышающем ширины сварного шва меж ду основанием и крышкой. Наличие разделительной канавки в .торце боковой стенки позволяет осуществлять надежную герметизацию за счет полного проваривания шва от ка навки до внешней поверхности боково стенки основания, и в то же время сохранить широкую опорную контрактну площадку для крышки, что увеличивает прочность корпуса. Кроме того, конструкция корпуса способствует уменьшению попадания .продуктов сварки во внутренний объем корпуса за счет пути проникно вения продуктов, выделяющихся при. сварке, на герметизируемую микросхе му. На фиг. 1 изображен корпус для интегральной микросхемы, продольный разрез; на фиг, 2 - основание корпу са, вид сверху; на фиг. 3 - часть корпуса после герметизации. Корпус содержит диэлектрическое основание 1, выполненное, например из стекла, с вваренными в стекло коммутационными выводами 2. в торце боковой стенки основания 1 выполнена и-образная кольцевая канавка 3 на расстоянии от наружной боковой поверхности стенки основания 1 меньшем .или равном ширине сварного шва между основанием 1 и крышкой 4. Ширина сварного шва определяется для данног материала корпуса и способа его сварки и имеет определенное и постоянное значение. Кристалл 5 с микросхемой расположен на о сновании 1 корпуса и соединен с выводами 2, например проволочными перемычками 6.Крышка 4, выполненная также из стекла, имеет Т-образную конфигурацию, причем ди- аметр центраипьной ее части соответствует внутреннему диаметру основания. Предложенная конструкция корпуса позволяет увеличить.прочность корпуса, повысить его.долговечность приваривания уменьшить возможность проникновения внутрь корпуса продуктов разлохсения материалов крышки и основания образующихся при сварке. Формула изобретения Корпус для интегральной микросхемы, содержащий диэлектрическое основание, выполненное в виде полого цилиндра с коммутационньп1т выводами, и крышку с сечением Т-образной формы, отличающийся тем, что, с целью повышения долговечности корпуса и уменьшения проникновения продуктов сварки в объем корпуса, в торце боковой стенки основания выполнена U-образНая кольцевая канавка на расстоянии от наружной боковой поверхности стенки не превышающем ширины сварного шва между основанием и крышкой. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1.Технические условия V на корпус ИУЧ, 1.06.083 ТУ. 2.Парфенов О.Д. Технология микросхем. М., Высшая школа, 1977, с. 231-233, рис. 3,7 (прототип).

б 5

Д

:

JLJL

9

izzz

.г У

К

- //

А/W