I
(21)4293740/23-05
(22)03.08.87
(46) 23.05.90. Бюл. N1 19
(72) И.М. Яцик, В.. Марченко
и Т.В. Дмитриева
(53)621.921(088.8)
(56)Авторское свидетельство СССР № 636243, кл. С 09 G 1/02, 1978.
(54)СУСПЕНЗИЯ ДЛЯ ХИМИКО-МЕХАНИЧЕСКОГО ПОЛИРОВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПОДЛОЖЕК
(57)Изобретение относится к композиционным полировальным составам, применяемым для химико-механического полирования полупроводниковых подложек, в частности, из монокристаллического кремния. Изобретение позволяет увеличить скорость полирования полупроводниковых подложек за счет использования состава, содержащего, масД: цеолит (алюмосиликат натрия) 9,0-11,0; моноэтаноламин 2,3-2,9; глицерин 5,0-10,0, и деионизованная вода остальное. 1 табл.
| название | год | авторы | номер документа |
|---|---|---|---|
| СПОСОБ ПОЛИРОВАНИЯ ПЛАСТИН ИЗ КЕРАМИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ | 1990 |
|
SU1743114A3 |
| Композиция для химико-механического полирования поверхности полупроводниковых материалов | 2021 |
|
RU2782566C1 |
| ПОЛИРОВАЛЬНЫЙ СОСТАВ ДЛЯ ХИМИКО-МЕХАНИЧЕСКОГО ПОЛИРОВАНИЯ | 1993 |
|
RU2082738C1 |
| СПОСОБ ПОДГОТОВКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПОДЛОЖЕК | 1994 |
|
RU2072585C1 |
| СПОСОБ ПОЛИРОВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ | 2004 |
|
RU2295798C2 |
| Полирующий состав | 1973 |
|
SU561233A1 |
| Состав для химико-механического полирования кремниевых пластин | 1990 |
|
SU1781270A1 |
| СПОСОБ ПОЛИРОВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ | 2011 |
|
RU2457574C1 |
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СТРУКТУР КРЕМНИЙ-НА-ИЗОЛЯТОРЕ | 1999 |
|
RU2173914C1 |
| СПОСОБ ПРЕДЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ОБРАБОТКИ ПОВЕРХНОСТИ ГЕРМАНИЕВОЙ ПОДЛОЖКИ | 2013 |
|
RU2537743C1 |
Изобретение относится к композиционным полировальным составам, применяемым для химико-механического полирования полупроводниковых подложек, в частности из монокристаллического кремния. Изобретение позволяет увеличить скорость полирования полупроводниковых подложек за счет использования состава, содержащего, мас.%: цеолит (алюмосиликат натрия) 9,0 - 11,0, моноэтаноламин 2,3 - 2,9, глицерин 5,0 - 10,0 и деионизованную воду - остальное. 1 табл.
. Изобретение относится к композиционным полировальным составам, применяемым для химико-механического полирования полупроводниковых подложек, в частности, из монокристаллического кремния.
Цель изобретения - увеличение скорости полирования полупроводниковых подложек.
Пример 1 . В емкость с 761 г .деионизованной воды добавляют 110 г цеолита (алюмосиликата натрия) и 100 г глицерина, перемешивают. В полученную композицию порциями вносят 29 г моноэтаноламина и после тщательного перемешивания применяют для эффективного полирования кремниевых пластин после полирования алмазными пастами АСМ 3/2, АСМ 2/1.
Пример 2. В, емкость с 799 г деионизованной воды вносят 100 г цеолита и 75 г глицерина, перемешивают. К полученной композиции порци- 1ями добавляют 26 г моноэтаноламина.
Перемешивают и используют для окончательного полирования кремниевых пластин после полирования пастами АСМ 2/1, АСМ 1/0.
Аналогично приготавливается суспензия по примеру 3 (таблица).
а Э
(Л
с
формула изобретения
Суспензия для химико-механического полирования полупроводниковых подложек, содержащая абразив и дейонизо- ванную воду, отличающаяся, тем, что с целью увеличения скорости полирования, она в качестве абразива содержит цеолит и дополнительно моноэтаноламин и глицерин при следующем соотношении компонентов, мас.%: Цеолит9,0-11,0
Моноэтаноламин2,3-2,9
Глицерин5,0-10,0
Деионизованная водаОстальное
ел
о ел
00
оъ
