Способ плакирования металлических изделий Советский патент 1990 года по МПК B23K20/08 

Изобретение относится к технологии плакирования металлических изделий . путем приварки взрывом металлической пластины и может быть использовано в химической и авиационной промышленности, машиностроении, судострое- нии и других областях техники.

Цель изобретения - расширение технологических возможностей за счет обеспечения плакирования участков криволинейных в плане поверхностей, расположенных в замкнутых и незамкнутых полостях, и повышение безопасности взрывного плакироззния.

Способ плакирования металлических изделий включает установку плакирующего элемента над плакируемой поверхностью и инициирование расположенного на ней основного и в центральной части основного дополнительного зарядов взрывчатого вещества. Боковые стороны дополнительного заряда взрывчатого вещества размещают под прямым углом к касательным к криволинейным поверхностям основного заряда взрывчатого вещества. Над основным и дополнительным зарядами взрывчатого вещества устанавливают двухслойную

У1

полуэллиптическую оболочку, которую заполняют взрывчатым веществом. Торцы основного заряда взрывчатого вещества располагают в фокусах полуэллиптической оболочки. Толщину последней выбирают меньше критического диаметра взрывчатого вещества.

На фиг. 1 изображена деталь с выступом, имеющим криволинейную в плане поверхность, разрез; на фиг. 2 - фррма основного и дополнительного зарядов; на фиг. 3 - двухслойная полуэллиптическая оболочка о

Пример. Деталь с элементом типа хомут 1, изготовленную из серого чугуна марки СЧ 35, устанавливают на основание из сыпучего материала (песок, стальная дробь и т.п.) На плакируемую поверхность, выступ 2 к0иволинейной в плане поверхности, расположенный в незамкнутой полости 3 хомута 1, располагают с зазором S - 0,5 мм криволинейный плоский плакирующий элемент 4 (дуга кольца) , изго товленный из материала Лб2 толщиной 0,8 мм.

На плакирующем элементе 4 размеща .of основной заряд 5 взрывчатого вещества аммонит бЖВ толщиной k мм, меньшей критического диаметра аммонита 6 ЖВ, равного 10 мм. Форма в плане основного заряда соответствует ФОрме в плане плакируемой криволинейной поверхности. В центральной части основного заряда 5 располагают электродетонатор 6 ЗД 8 и дополнительный заряд 7 со скоростью детонации, большей скорости детонации основного за

5

5

0

0

5

основному заряду 5. В результате воздействия давления, возникающего при детонации взрывчатого вещества, происходит соударение плакирующей пластины k с поверхностью выступа 2 и их прочное соединение.

При подрыве электродетонатора 6 дополнительный заряд 7 взрывчатого вещества позволяет выровнять фронт детонации по криволинейной поверхности основного заряда 5, что обеспечивает устойчивую детонацию по всей его поверхности. Полуэллиптическая оболочка 8 с зарядом взрывчатого вещества при инициировании обеспечивает образование кумулятивной струи между основным зарядом 5 и зарядом, расположенным в полуэллиптической оболочке, которая, в свою очередь, обеспечивает детонацию зарядов по всей плакируемой поверхности. Кроме того, полуэллиптимеская оболочка препятствует воздействию ударных и детонационных волн на внутреннюю полость детали. Расположение торцов основного заряда взрывчатого вещества в фокусах полуэллиптической оболочки способствует стабильности детонации по всему объему основного заряда взрывчатого вещества и препятствует вылету и воздействию продуктов детонации на поверхности детали.

Расширение технологических возможностей связано с тем, что для сварки взрывом необходимо, чтобы вес заряда был примерно равен весу привариваемой пластины Ц (параметр сварки г-отноше- ние веса взрывчатого вещества к весу

Изобретение относится к технологии плакирования металлических изделий путем приварки взрывом металлической пластины и может быть использовано в химической, авиационной промышленности, в других областях техники. Цель изобретения - расширение технологических возможностей за счет обеспечения плакирования участков криволинейных в плане поверхностей, расположенных в замкнутых и незамкнутых полостях. Над плакируемой поверхностью устанавливают плакирующий элемент, в котором расположены основной и дополнительный заряды взрывчатого вещества (ВВ). При этом дополнительный заряд размещен в центральной части основного заряда по форме трапеции, боковые стороны которой размещают под прямым углом к касательным к криволинейным поверхностям основного заряда. Над основным и дополнительным зарядами ВВ устанавливают двухслойную полуэллиптическую оболочку, заполненную ВВ. Толщину оболочки выбирают меньше критического диаметра ВВ. Торцы основного заряда ВВ располагают в фокусах полуэллиптической оболочки. Заряды ВВ инициируют. В результате происходит соударение плакирующего элемента с плакируемой поверхностью и их прочное соединение. 3 ил.

ряда, например гексоген. Дополнитель- JQ привариваемой пластины лежит в преденыи заряд / взрывчатого вещества размещают по форме трапеции, боковые стороны которой располагают под прямым углом к касательным к криволинейным поверхностям основного заряда 5 дс (фиг.2). Над основным зарядом 5 взрывчатого вещества устанавливают двухслойную полуэллиптическую оболочку 8, которую заполняют взрывчатым веществом 9 - аммонитом 6 ЖВ, Толщина сР полуэллиптической оболочки меньше критического диаметра используемого взрывчатого вещества и равна 3 мм. Торцы основного заряда 5 взрывчатого вещества располагают ы фокусах полуэллиптической оболочки 8 (фиг.З).

При инициировании дополнительного заряда 7 электродетонатором 6 происходит распространение детонации по

50

55

лах 0,5 г (. 3). Если пластина тонкая, то заряд для осуществления сварки взрывом должен быть толщиной,меньшей критического диаметра (т.е. который невозможно инициировать). Применение системы зарядов толщиной, меньшей критического диаметра, позволяет уменьшить общую массу заряда при обеспечении устойчивой детонации от толщины плакирующего элемента. При этом форма заряда 9 в полуэллиптической оболочке 8 позволяет компенсировать нестабильность скорости детонации заряда при образовании кумулятивной струи.

Способ можно применять для плакирования участков криволинейных в nna-f не поверхностей внутренних замкнутых и незамкнутых полостей изделия, а

привариваемой пластины лежит в преде

лах 0,5 г (. 3). Если пластина тонкая, то заряд для осуществления сварки взрывом должен быть толщиной,меньшей критического диаметра (т.е. который невозможно инициировать). Применение системы зарядов толщиной, меньшей критического диаметра, позволяет уменьшить общую массу заряда при обеспечении устойчивой детонации от толщины плакирующего элемента. При этом форма заряда 9 в полуэллиптической оболочке 8 позволяет компенсировать нестабильность скорости детонации заряда при образовании кумулятивной струи.

Способ можно применять для плакирования участков криволинейных в nna-f не поверхностей внутренних замкнутых и незамкнутых полостей изделия, а

также для локального плакирования внутренних поверхностей различных деталей.

Способ позволяет повысить долговечность и ресурс эксплуатируемых изделий путем плакирования тяжелонагруженных контактных поверхностей, расположенных практически s любых местах детали. Применение способа возможно как непосредственно при изготовлении деталей, так и при их восстановлении. Повышение ресурса, как правило, достигается в 1,5-2 раза.

Формула изобретения Способ плакирования металлических изделий, включающий размещение над плакируемой поверхностью плакирующего элемента с установленным на нем соответствующим в плане плакируемой поверхности основным и расположенным в его центральной части дополнительным зарядами взрывчатого вещества,

инициирование зарядов, отличающийся тем, что, с целью расширения технологических возможностей за счет обеспечения плакирования участков криволинейных в плане поверхностей, расположенных в замкнутых и незамкнутых полостях, и повышения безопасности, используют двухслойную оболочку полуэллиптической формы, заполняют пространство между ее слоями взрывчатым веществом, толщина которого не превышает его критический диаметр, устанавливают упомянутую оболочку над основным зарядом, торцы которого располагают в фокусах оболочки, боковые стороны дополнительного заряда в плане располагают под прямым углом к касательным к криволинейной поверхности основного заря10

15

20

да, а инициирование осуществляют от дополнительного заряда к заряду, размещенному между слоями оболочки, а затем к основному заряду.

Фиг.1

Фиг.З

Фиг. 2