Способ изготовления фотоприемника Советский патент 1990 года по МПК H01L31/18 

Изобретение относится к квантовой электронике и может быть использовано при создании оптоэлектронных устройств.

Цель изобретения - распирение спектраль.юй области чувствительности фотоприемника из InSe в ультрафиолетовую область спектра от 3,3 эВ до 6,0 эВ.

На чертеже приведены спектры фототока образцов селенида индия,приготовленных расслоением: в инертной (гелиевой) среде при 200 - 200 С в . течение 2 ч - кривая 1, в инертной (гелиевой) среде при 150°С в течение 2 ч - кривая 2, на воздухе при комнатной температуре - кривая 3.

Пример. Монокристалл InSe, выращенный методом Нриджмена,механически скалывают вдоль слоев в гелиевой среде (давление 1 атм),после чего отжигают в температурном интервале 200-220°С в течение 2 ч. Контакты на образце создают путем напыления индиевых полосок в вакууме.Измерения фотопроводимости приготовленного таким путем фотоприемника проводят в воздухе при комнатной температуре с помощью монохроматора и калиброванного по количеству квантов источника света.

Скалывание монокристалла слоистого соединения InSe в температурном интервале 200-220°С в среде инертноСП

О

СО

со

со

го газа способствует снятию напряжений в приповеряностной области образца и тем самым устранению деформационных дефектов кристаллической решетки, что приводит к уменьшению адсорбционной активности поверхности кристалла и резко увеличивает квантовую эффективность фотопроводимости образца InSe в УФ-области (3., 3 - 6,0 эВ) спектра.

Температурный интервал 200-220°С является оптимальным для отжига кристалла InSe, поскольку ниже 200°С не происходит достаточно полного снятия напряжения и устранения дефектов-в образце, а при температурах выше 220°С происходит возгонка селена с поверхности кристалла, что ухудшает качество его поверхностно

При использовании предлагаемого способа можно с помощью простой технологии без использования дорогостоящих материалов получить высокоэффективный фотоприемник в ультрафиолето- вой области спектра, обладающий размерами вплоть до нескольких квадратных сантиметров, причем параметры приемника со временем не ухудшаются.

Формула изобретения

Способ изготовления фотоприемника, включающий расслоение монокристалла селенида индия с последующим нанесением двух электродов, отличающийся тем, что, с целью расширения спектральной области чувствительности фотоприемника в ультрафиолете- . вую область спектра от 3,3 до 6,0 эВ,

расслоение проводят в инертной среде при температурах от 200 до 220 С с последующим отжигом при этих температурах.

Изобретение относится к области квантовой электроники и может быть использовано при создании оптоэлектронных устройств. Целью изобретения является расширение спектральной области чувствительности фотоприемника из JNSE в ультрафиолетовую область спектра от 3,3 до 6,0 эВ. Цель достигается тем, что проводят расслоение монокристалла JNSE в инертной среде при 200...220°С. После чего осуществляют отжиг при этих же температурах. При использовании данного способа появляется возможность упростить технологию изготовления без использования дорогостоящих материалов. 1 ил.

6