Способ заточки микроинструментов Советский патент 1990 года по МПК B24B3/60 B24B7/24 

///////////////

Изобретение относится к механической обработке, касается шлифования изделий и может быть использовано при заточке стеклянных и металлических микроэлектродов, применяемых в электрофизиологических исследованиях

Цель изобретения - повышение качества заточки.

На ч ертеже изображено устройство для реализации способа заточки.

Устройство представляет собой электромагнитный вибратор 1, работающий на частоте механического резонан са рабочего инструмента 2, выполненного в виде упругой стальной полосы. На другом конце полосы закреплена пластина 3 с абразивной поверхностью. Устройство включает генератор 4 переменного тока, питающий вибратор 1. Частоту и величину напряжения генератора 4 можно менять. Кроме того, имеется манипулятор 5 для крепления микроэлектрода и плавного его подведения под заданным углом к абразивной поверхности пластины 3, и оптический микроскоп 6 для контроля касания и наблюдения за ходом заточки микроэлектродов.

Заточку микроэлектродов производя следующим образом. Подают напряжени на вибратор 1 и регулируют частоту генератора 4 до получения максимального размаха колебаний рабочего инструмента 2, что имеет место на частоте его механического резонанса. Затем уменьшают выходное напряжение генератора 4 до нуля. Закрепляют в манипуляторе 5 микроэлектрод. Под контролем микроскопа 6 подводят микроэлектрод под заданным углом к пластине 3 и легко касаются его кончиком абразивной поверхности пластины 3, располагая при этом проекцию оси микроэлектрода на абразивную поверхность параллельно направлению колебательных движений пластины 3. Затем плавно увеличивают напряжение гене

ратора 4 до получения выбранного размаха колебаний рабочего инструмента 2. Время заточки зависит от начального диаметра кончика, материала микроэлектрода, используемого абразива и скорости заточки (равной удвоенной частоте, умноженной на размах колебаний) . После окончания заточки плавно уменьшают напряжение питания вибратора 1, и микроэлектрод отводят от абразивной поверхности. Производится визуальный контроль качества заточки микроэлектродов под оптическим микроскопом 6, Равномерность износа абразивной поверхности рабочего инструмента 2 обеспечивается перемещением кончика вновь затачиваемого микроэлектрода на другой участок абразивной

поверхности с помощью винтов манипулятора 5.

Рекомендуемый режим заточки: размах колебаний пластины 2-10 мм, частота колебаний 100-300 Гц, угол на- клона оси микроэлектрода к абразивной поверхности пластины (Ь (угол) заточки)20-40°.

Способ позволяет повысить качество заточки и упростить процесс заточки за счет использования малоинерционных систем с малым размахом колебаний.

Формула изобретения

Способ заточки микроинструментов, при котором микроинструмент устанавливают из условия образования угла между его осью и абразивной поверхностью пластины и сообщают ей рабочее движение, отличающийся тем, что, с целью повышения качества заточки, пластине сообщают рабочие движения в виде колебаний с частотой резонанса, а микроинструмент располагают так, чтобы проекция его оси на абразивную поверхность пластины была параллельна направлению колебательных движений последней.

Изобретение относится к механической обработке, касается шлифования и может быть использовано при заточке стеклянных и металлических микроэлектродов, применяется в электрофизиологических исследованиях. Цель изобретения - повышение качества заточки. Посредством электромагнитного вибратора 1 рабочему инструменту 2, выполненному в виде упругой стальной полосы, сообщают колебательные движения с частотой резонанса инструмента 2. На конце инструмента 2 закреплена пластина 3 с абразивной поверхностью. Микроэлектрод устанавливают в манипуляторе 5 и размещают под требуемым углом к абразивной поверхности пластины 3 посредством оптического микроскопа 6. Заточка микроэлектрода производится при сообщении пластине 3 колебательных движений с частотой резонанса инструмента 2. Проекцию оси микроэлектрода на пластину 3 располагают при этом параллельно направлению колебательных движений пластины 3. 1 ил.