Стекло для толстопленочных резисторов Советский патент 1990 года по МПК C03C3/07 

Изобретение относится к составам .стекол, используемых при изготовлении толстоштеночных низкоомных керметных композиционных резисторов, применяемых в производстве микросборок для радиотехнической и электронной техники.

Цель изобретения - снижение температуры размягчения и повьппение температурного коэффициента линейного расширения

Стекла готовят следукщим образом.

Взвешенные в определенных количествах компоненты смешивают в фарфоровой мельнице в течение 30-40 мин, засыпают в корундовые тигли и загружают в электрическую печь с сили- катовыми нагревателями. Варку осуществляют при 1350110 С с выдержкой при максимальной тe шepaтype 1ч. Для получения мелкораздробленного стекла расплав выливают в металлический сосуд с холодной водой.

Конкретные составы стекол приведены в табл.1.

Свойства стекол даны в табл.2.

Как видно из данных табл.2, данные стекла обладают пониженной температурой размягчения и более высоким ТКПР.

Характеристики резисторов на основе синтезированных стекол с содержанием двуокиси р.утения 20. мас.% представлены в табл.3.

Формула изобретения

Стекло для толстопленочных резисторов, включающее РЬО, SiO, , отличающееся тем, что, с целью.снижения температуры размяг-, чения и повьш1ения температурного коэффициента I линейного расширения, оно содержит указанные компоненты

О

ее

о

Ое

в следующем соотношении, мае. РЬО 66,0-68,0

r.iOj

28,0-32,0 2,0-5,0

Изобретение относится к составам стекол, используемых при изготовлении толстопленочных низкоомных керметных композиционных резисторов, применяемых в производстве микросборок для радиотехнической и электронной техники. С целью снижения температуры размягчения и повышения температурного коэффициента линейного расширения стекло для толстопленочных резисторов содержит, мас.% PBO 66,0-68,0, SIO 2 28,0-32,0, AL 2O 3 2,0-5,0. Температура размягчения 500-550°С. ТКЛР (30-300°С), α(66,65-72,10) .10 -7 град -1, плотность 4,72-4,95 г/см 3, показатель светопреломления 1,761-1,791. 3 табл.

Т а б л и ц а 1

Компонент Содержание комгонентов, мас.% в сяртавах

ZI I I--IIII.

РЬО 66,0 68,0 67,0 SiOi 32,0 29,0 28,0 А1аОз 2,0 3,0 5,0

Таблиц а 2 СвойстваСостав

ILIZ-TI-I-I--I----I------Теьшература размягчения, с550530500

ТКЛР, град-1,

(30 - 300«С)69,7572,66,65

Плотность, г/смЬ4,72,954,83

Удельное объемное

з,,о- - ш- ,,б.,о - ,о 2,4-.-о« - ,о

Показатель свето- 1741 1 789 преломления1,7611,/У1

ТаблицаЗ СоставХарактеристики резисторов

Удельное 1о Т/град ТКС, Коэффициент I Коэффициент

термостой- влагостоиповерх-

ностное. (-60)(25Г С 25-125«С кости кости

сопротивление

1 100-ИО -ПОО-тГ -(80-130) +(0,2-0,5) (-0,06)-(+0,12) - 00-160 -(80-130) +(0,2-0,5) (-««Ofг(-0,10) 3 ISo tlO -020-165) -(100-150) 01-0 .

Составитель Т.Трифонова Редактор Ы.Киштулинец Техред Л.Олийнык Корректор О.Ципле

Заказ 2884Тираж 395Подписное

ВНИИПИ Государственного комггтета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5 .

Производствеино-издательский комбинат Патент, г.Ужгород, ул. Гагарина,101