Способ получения сверхпроводящих пленок Советский патент 1993 года по МПК C04B35/00 C04B101/00 

Изобретение относится к технологии сверхпроводящих керамических материалов, в частности пленок, обладающих высокотемпературной сверхпроводимостью, и может быть использовано в криозлектрони- ке для получения сверхпроводящих устройств.

Целью изобретения является увеличение критической температуры сверхпроводящего перехода.

Предлагаемый способ реализуют следующим образом.

Определенное количество синтезированного В1-ВТСП стехиометрического состава перетирают в агатовой ступке, затем смешивают его с 10-процентным водно- спиртовым раствором (нгэпример, 5 г 81ВТСП и 20 мл раствора), дают смеси отстояться 2 мин, затем раствор с неосажденной мелкой фракцией сливают в бюкс, а оставшийся осадок снова смешивают с 15 мл 10 %-ного водно-спиртового раствора и повторяют операцию осаждения максимально крупной фракции, сливая последовательно оставшуюся суспензию с взвесью мелкой фракции в исходный бюкс. После отстаивания суспензии в течение 3 ч раствор сливают, а мелкую фракцию ВТСП просушивают. Размер зерна такой фракции мкм.

Рассчитывают навеску мелкой фракции В1-ВТСП и Ад202 по формуле, например, для состава В125г2.5Сао.5Си20з (В12-ВТСП) ; (1 x)Bl2Sr2,5Cao,5CU208+xAg202 о

(BJ2Sr2,5Cao,5Cu20a)i - х (Ag202)x при опреде;

Ш..А

о

ш

о

««л

лении значении х (10 мае % х 25 мае. %). т, е. в случае, например. х 20 мас.% Ад202 берут 0,2 г Ад202 и 0,8 В12-ВТСП на 1 г смеси В12-ВТСП {Ад202). Эту смесь смешивают в 20 мл 10 %-ного водно-спиртового раствора, взбалтывают суспензию и помещают в нее полированную подложку из монокристалла YA103 определенной ориентации и конфигурации, на которую осаждают эту фракцию 8 виде тонкого слоя требуемой толщины (20-300 мкм).

Образцы с нанесенным ВТСП укладывают на платиновую лодочку, высушивают на воздухе при комнатной температуре и помещают на печь типа КО-14 с автоматически регулируемым режимом нагрева и охлаждения, нагревают до С на воздухе со скоростью 100° С/ч, выдерживают 60 мин при выбранной температуре, после чего охлаждают до комнатной температуры со скоростью 45° С/ч.

Примеры выполнения способа по сравнению с прототипом приведены в таблице.

На чертеже показана характерная кривая сверхпроводящего перехода для пленки, полученной предложенным способом.

Формула изобретен ия

Способ получения сверхпроводящих пленок, включающий нанесение суспензии порошка висмут-стронций-кальциевого куп- рата на подложку, сушку и последующий обжиг, отличающийся тем, что, с целью увеличения критической температуры сверхпроводящего перехода, в порошок вводят добавку перекиси серебра в количестве 10-25 мае. %. используют подложку из монокристалла ортоалюмината иттрия, а обжиг проводят путем нагрева на воздухе со скоростью 90-100 С/ч до 845-865° С с изо- метрической выдержкой в течение 30-75 мин при максимальной температуре и последующего охлаждения со скоростью 45- 90° С/ч.

Изобретение относится к технологии сверхпроводящих керамических материалов, в частности пленок, обладающих высокотемпературной сверхпроводимостью, и может быть использовано в криоэлектронике для получения сверхпроводящих устройств. Целью изобретения является увеличение критической температуры сверхпроводящего перехода. Для этого приготавливают водно-спиртовую суспензию из порошка сверхпроводящего состава (В1- Sr-Ca-Cu-0) фракции 1-5 мкм с добавкой перекиси серебра ч количестве 10-25 мае. %, суспензию наносили на подложку из ор- тоалюмината иттрия, сушили ее на воздухе и проводили обжиг путем нагрева на воздухе со скоростью 90-100° С/ч до 845-865 С с изотермической выдержкой в течение 30- 75 мин и последующего охлаждения со скоростью 45-90° С/ч. Критическая температура сверхпроводящего перехода пленки составляла 90-97 К, микротвердость пленки составляла 1,0-1,3 ГПа. 1 табл,, 1 ил. сл с

Свойства сперхпроводящих пленок, полученных по заявленному способу и

по способу-прототипу.

&У5отФ ж : тттx.f : ::- J r /fi r : : - -r--:- :.-гЪ -1 ;;Н-Л:.чч.;- .-. -

-. 300 15,