Формирователь импульсов Советский патент 1990 года по МПК H03K5/01 

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано для уп- равления микросхемами с зарядовой связью (МЗС) и предназначено для выполнения в виде полупроводниковой интегральной схемы.

Цель изобретения - повышение быстродействия.

На чертеже представлена злектриче- ская схема формирователя,

Формирователь импульсов содержит транзисторы 1-6, блок 7 режимных токов, токоотводящйй элемент 8, резистор 9, Диод 10, блок 11 согласования уровней, шины 12 и 13 источника питания, входную клемму 14, резистор 15 и выходную клемму 16. Коллектор транзистора 1 соединен с шиной 12 питания, база - с первым выходом блока 7 режимных токов и коллектором транзистора 2, змитгер - с выходной клеммой 16 и коллекторами транзисторов 3,4, эмиттер транзистора 3 соединен с базой транзистора 4, база - с вторым выходом блока режимных токов и коллектором транзистора 5, база которого соединена с вь1ходом блока 11 согласования уровней и через токоотво- дящий элемент 8 с шиной 13 питания, база транзистора 2 соединена с коллектором транзистора 6, эмиттер - с эмиттером транзистора 4, база четвертого транзистора 4 резистор 9 соединена с эмиттером транзистора 2, третий выход блока 7 режимных токов соединен с входом блока 11 согласования уровней и анодом диода 10, катод которого соединен с входной клеммой 14, четвертый выход блока 11 режимных токов соединен с базой транзистора 2, база и змиттер транзистора 6 соединены соответственно с базами транзисторов 5 и 4, змиттер транзистора 5 через резистор 15 соединен с шиной 13 питания и эмиттером транзистора 2.

Формирователь импульсов работает следующим образом.

В исходном состоянии при нулевом логическом сигнале на клемме 14 ток третьего выхода блока 7 режимных токов протекает через диод 10. При этом выходной ток блока 11 согласования уровней равен нулю и то- коотводящий элемент 8 запирает транзисторы 5 и 6. Токи на втором и четвертом выходах блока 7 режимных токов переводят транзисторы 2 и 3 в насыщенное состояние, транзистор 1 заперт. Выходной потенциал формирователя .импульсов определяется напряжением на шине 13 источника питания. При емкостной нагрузке статический выходной ток формирователя импупьсов отсутствует, поэтому падение напряжения на резисторе 9 определяется его сопротивлением и током, протекающим от второго выхода блока 7 режимных токов через эмит- терный переход транзистора 3.

Переключение логического состояния

на клемме 14 приводит к запиранию диода 10, в результате токи третьего и четвертого выходов блока 7 режимных токов передаются на выход блока 11 согласования уровней, о потенциалы на базах транзисторов 5 и 6

0 повышается. При этом сначала отпирается транзистор 5, а после того, как падение напряжения на резисторе 9 уменьшается (что свидетельствует о запирании транзисторов 3 и 4), отпирается и транзистор 6, который

5 выключает транзистор 2. Далее ток первого выхода блока 7 режимных токов обеспечивает формирование положительного перепада напряжения на базе транзистора 1 и на выходе формирователя импульсов. Ука0 занная последовательность переключения транзисторов исключает возникновение сквозного тока через выходные транзисторы 1 и 4 при подаче 1 на клемму 14 формирователя импульсов, в том числе при

5 высоких частотах следования входных импульсов и при большой емкости нагрузки.

Переключение входного сигнала с уровня 1 в нулевой уровень приводит к выклю- чению выходного тока блока 11

0 согласования уровней. При этом токоотво- дящий элемент 8 запирает транзисторы 5 и 6. Токи четвертого и второго выходов блрка 7 режимных токов открывают транзисторы 2-4. Начинается формирование отрицатель5 ного перепада напряжения на выходе формирователя импульсов. Для исключения сквозного тока в этом случае требуется более быстрое изменение потенциала на коллекторе второго транзистора по сравнению

0 с потенциалом на выходе формирователя при любой емкости нагрузки. Это достигае т- ся выбором отношения режимных токов по второму и четвертому выходам блока 7 режимных токов меньшего, что отношение ем5 костей коллекторных переходов, соответственно третьего 3 и второго 2 транзисторов.

Формула изобретения Формирователь импульсов, содержа0 щий блок режимных токов, токоотводящий элемент, входную и выходную клеммы, блок согласования уровней, первый резистор, диод и шесть транзисторов одинаковой структуры, причем коллектор первого тран5 зистора соединен с первой шиной питания, база - с первым выходом блока режимных токов и коллектором второго транзистора, змиттер первого транзистора соединен с выходной клеммой и коллекторами третьего и четвертого транзисторов, эмиттер третье5 1614104, 6

го транзистора соединен с базой четвертогоединен с входом блока согласования и ано- транзистора, база третьего транзистора - сдом диода, катод которого соединен с вход- вторым выходом блока режимных токов иной клеммой, отличающийся тем, что, коллектором пятого транзистора, база кото-с целью повышения быстродействия, в него рого соединена с выходом блока согласова-5 введен второй резистор, четвертый выход ния уровней и через токоотводящийблока режимных токов соединен с базой элемент с второй шиной питания, база вто-второго транзистора, база и эмиттер шес- рого транзистора соединена с коллекторомтого транзистора соединены соответствен- шестого транзистора, а змиттер - с змитте-но с базами пятого и четвертого ром четвертого транзистора, база четверто-10 транзисторов, эмиттер пятого транзистора го транзистора через первый резисторчерез второй резистор соединен с второй соединена с змиттером второго транзисто-шиной питания и эмиттером второго тран- ра, третий выход блока режимных токов со-зистора.

Тб

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано для управления микросхемами с зарядовой связью. Целью изобретения является повышение быстродействия, что достигается в результате предложенного схемного построения формирователя импульсов. Формирователь содержит транзисторы 1 - 6, блок 7 режимных токов, токозадающий элемент 8, резистор 9, диод 10, блок 11 согласования уровней, шины 12 и 13, входную клемму 14, выходную клемму 16, резистор 15. 1 ил.