Устройство для выращивания кристаллов тугоплавких веществ Советский патент 1991 года по МПК C30B11/00 

Изобретение относится к кристаллографии и может быть использовано для выращивания монокристаллов тугоплавких веществ направленной кристаллизацией расплава.

Цель изобретения - повышение качества кристаллов за счет уменьшения теплоот- вод при выходе контейнера из зоны нагрезэ

На чертеже изображен продольный разрез устройства

Устройство содержит герметичную камеру роста 1 нагреватель 2 с охлаждаемыми токоподводами 3 контейнер 4 для расплава, установленный внутри нагревате ля 2 с возможностью осевого перемещения, систему горизонтальных экранов 5, выполненных в виде дисков и расположенных под нагревателем 2, и систему вертикальных экранов 6 выполненных в виде цилиндров Устроиство снаг1- 1 но системой дополнительных экранов, выполненной в форме коаксиально расположенных усеченных конусов 7 с углом раскрытия 9 - 11° установленных растворами вверх под нагревателем 2 на верхнем горизонтальном экране 5

Устройство работает следующим образом

Контейнер 4 с исходным материалом помещают в рабочее пространство коаксиально нагревателю 2 8 камере роста 1 создают необходимые температурные условия и давление Выращивание кристаллов осуществляют опусканием контейнера 4 через температурный градиент, создаваемый диафрагмой (не указано) нагревателя 2 Часть энергии излучаемой нагревателем 2, попадает на внутреннюю новоохносгь конусов 7 и направляется на контейнер 4 выходящий из нагревателя 2, /меньшая температурный градиент на поверхности

О

го о о со

контейнера 4, вследствие чего уменьшаются внутренние напряжения в объеме выращенного кристалла и его растрескивание. Часть тепловой энергии, проходящая через полые конуса 7, отражается горизонтальными экранами 5, установленными на вертикальных экранах 6, что способствует уменьшению теплоотвода из рабочей зоны камеры 1 и также ведет к уменьшению температурных градиентов на выходе контейнера 4 из нагревателя 2,

В данном устройстве получены кристаллы иттрий-алюминиевого граната и его модификации.

Формула изобретения Устройство для выращивания кристаллов тугоплавких веществ методом вертикальной направленной кристаллизации расплава, включающее герметичную камеру роста, контейнер для расплава, установленный внутри нее с возможностью осевого

перемещения, нагреватель расположенный коаксизльно контейнеру, и систему горизонтальных экранов, установленных под нагревателем, отличающееся тем, что, с целью повышения качества кристаллов за

счет, уменьшения теплоотвода при выходе контейнера из зоны нагрева, оно снабжено системой дополнительных экранов, выполненной в форме коаксиально расположенных усеченных конусов с углом раскрытия

9 - 11°, установленных под нагревателем раструбами вверх на верхнем горизонтальном экране.

Изобретение относится к технике выращивания искусственных кристаллов и обеспечивает повышение качества кристаллов за счет уменьшения теплоотвода при выходе контейнера из зоны нагрева. Устройство содержит герметичную камеру роста с нагревателем, контейнер для расплава, установленный внутри нагревателя с возможностью осевого перемещения. Под нагревателем расположены система горизонтальных экранов и система до- ,о, мительных экранов, выпопж ННРЯ в форме усеченных конусов с углом раскрытия 9-11°, установленных на вер ем горизонтальном экране раструбами Btiepx Получены кристаллы иттрий-алюминиевого граната и его модификации 1 ил (Л t