Способ измерения толщины покрытия Советский патент 1991 года по МПК G01B15/02 

(Л

с

Изобретение относится к измерительной технике, в частности к рентгеновским толщиномерам покрытий. Келью изобретения является пот имение точности измерении и воспрои номн- мости измерений путем использования для измерения разшгх дифракционных линий от одной и тон же кристаллографической плоскости попложки. Регистрируют часть лифрактограммы от какой-либо одной крпс ;аллш рлфпче- ской плоскости подпг/ккп в потоках сЈ- и Й-лниии и измеряют пнтенгпг- ность. Далее peiигтрируки jo о г подложки без покрытия, интенсивности потоков (Х- и 3- пшии и определннп толшипу покрытии. 1 in1. 1C

Изобретение относится к тмери- тельной технике, в частное in к рентгеновским толщиномерам покртнй.

Целью изобретения является повышение точности измерении и воспроизводимости измерении путем использования для измерения разных дифрак- ционных линий от одной и той же кристаллографической плоскости подложки.

Способ осупествляют при использовании of и Й-линий дифракционного спектра подложки.

При отражении от массивной подложки без покрытия соотношение ин- тенсивностей соответственно и

-линий (А) является постоянной для данного материала подложки и выбранного излучения (вещества анода). При прохождении через покрытие падающих и отраженных составляющих 06

1

и f соотношение л и менчет ся в зависимости от толгшнп по)мгия нслед- стпие различия коэффициентов поглощения материала покршия.

Можно показать, что

4 Лехр -2d( Х(3L

sin 1

I

где d - толгц-ша покрытия, I.. и I (j интенсивности ос и /3 -чи- ний, отрал нных 01 одной и той же кристалло pjc nt- ческон плоскости подтолки С покрытием; - соответствующие углы ш- ражения ( и -линии от подложки с покрытием; U и (Уд,- коэффициепти поглощения о, и и -липни в матери 1- ле покрытия,

6fi

е& ьэ

ПС Од

со

Ч H

ь

V1

p

nantio if о чувI II II ПОКрШ , ГСЛИ

v к IK i i ы огчо re i вуе i

ОЦсППЯ HTI РНПВСКИХ Л

Спи 11 L.n if окрптие п медном inlli H, /tHO В 1Об Л1ТОВОМ H

f IpU ion M ra, fUfc . ОС1ТПЬ-

CJl

т i

i с i

/U ч 7 fl. i r i ион пне fU.i / . 01,0,

i г ч r i т re чi r и i

IpT )1И-1

tf ч У

H ПРИ)

nO.

II )Mf I If I O t i i n i ни i IK i u) , (1 Pel 1 С Itlll.iv I О T 1 С I И ПОДП l) l И , 40l ii Kx п PL ;yni гата от

1 i I rpi П U IOXT И

{

екt i

i.) , i iioП С Til l I,T -

111 Г КПЧ

чм oaI V

1

С покр и Hi V( L ль imt) u i nit i pa i 11 цпсЬр IK i oi p ям м

1 I I in I рис I 1 UK 1 P U lll- 1 I H ПО TO A.KJ li ПО OK 14

и и г(( p i i Hin с ч iu - nt i nc ipnpvim го АС дчя

( IH-ij ШШ Я, 1М11СРЯЮТ ИНni г к ж oOt /3 -линий и

, JiTCM п прнш печной

т( 1СЮГ то ГПГИЩ П01РПГНЯ.

И МОЯ Р 1 1ТЬ ИГ

i г т ( чре ссного т онтро ш

0

S

0

5

тояшины электролитических или напыленных в вакууме слоев. Он позволяет быстро н точно измерить толгцшу по- крптин, для которых лет надежных нертэрушаюилх методов иямерения. Спо- rof позвтяо orvuier i ьи гь непрерыв- 1Пш iехнолсп ическин контроль. Формула изобретения

Способ измерения i олчдшы покрытия, заключающийся в том,что на объект контроля направляют пучок рентгеновского излучения, возоу/утаю дпЛракционные линии подложки, ре:истрируюг их интенсивности и опре ;е 1якл толщину поьрытия, о т л и ч а ю ц н и с я IGM, что, г целью пчнпшения IOIHOCTII и (морении, в ктчест о пионных линии i одло) i п втируш (У и А -пинии, peiiicipiiun ни i енс нвнос rii W и R-jiiiHim роичвог чт от отпои н той же криста шограбичесноп тмоскости подложки, а толцпнч порршпя определяют по дюрмуле

4ш(-)/( v

И oi

ХГ

чшО„ ч in В

)

(

5

о

ГДР

V

TfT

0. иб

(U,

р

i II i ивнос и ( и fi-ли- нип, отртленнпх от одной и гон -IP KpiK галли- ie( кои ji скости подложки L Hoi гшгием,

-со 11 л т с i и1 К-ЦИР от- с и А- пний ог под- пг ки г покрмтием,

-i озсЬбицне i гы noi лощения

(У ив-шнии в материале по- кпптия ,

с оо-1 нопение с геи (.V ч ло/wkn he т покрптня.

интенсивно- а-ли нич под