Изобретение относится к технологии получения сверхпроводящее тонких СЛ0.1В.
Целью изобретения является повышение критической темпеоатуры и улучшение сверхпроводящих свойств слоя за счет исключения реакции между материалом подложки и сверхпроводящим тонким слоем.
Исключение взаимодействия сверхпроводящего тонкого слоя YBa.Cu. с подложкой достигается за счет того, что сверхпроводящий тонкий слой дают на подложке, поверхность кото: рой состоит из соединения, имеющего, состав, лежащий на линии раздела фаз с f фазовой диаграммы YtO,- ВаО - СиО.
Наилучшие результаты были полу-С 5
иены при использовании подложек, по- GO верхность которых состоит из Y2BaCuO. tO
На фкг.1 пррдставпеня диаграммаСО
фазового состояния Yj03- ВаО - CuO,QQ
на которой показяны как YBa CujOr Ј , так н Y BaCuOy - соединения, находящиеся на линии раздела фаз; на фиг.2 - результат измерения электрического сопротивления сверхпроводящего тонкого слоя на подложке из Y BaCuOy в зависимости от температуры.
Сверхпроводящий тонкий ел о ftСЯ
YBa CujOY.f , температурная завися-
ность электросопротивления которого показана на фиг.2, был нанесен -рн помощи плазменного распыленно К1 подложку из YgBaCuO, После нанесиYBi CujO jr.g ВоСи02-.
100
loo
-1 300
Т(К|
| название | год | авторы | номер документа |
|---|---|---|---|
| Способ получения сверхпроводящего тонкого слоя оксидного материала | 1988 |
|
SU1678219A3 |
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКИХ СВЕРХПРОВОДЯЩИХ ПЛЕНОК | 1990 |
|
RU2054212C1 |
| Способ изготовления сверхпроводящего устройства планарного типа | 1988 |
|
SU1738104A3 |
| МИШЕНЬ ДЛЯ ДИСПЕНСЕРНОГО КАТОДА НА ОСНОВЕ СКАНДАТА БАРИЯ | 2012 |
|
RU2624264C2 |
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПЛЕНКИ ОКСИДНОГО СВЕРХПРОВОДНИКА И ОКСИДНОЕ СВЕРХПРОВОДНИКОВОЕ ИЗДЕЛИЕ | 1998 |
|
RU2232448C2 |
| ПЛАСТИНЧАТЫЙ СВЕРХПРОВОДЯЩИЙ ПРОВОД, СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ И СВЕРХПРОВОДНИКОВЫЙ УЗЕЛ ПРОВОДА | 2006 |
|
RU2408956C2 |
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СВЕРХПРОВОДЯЩИХ ИЗДЕЛИЙ | 2003 |
|
RU2247445C1 |
| ПИЩЕВОЙ ЭМУЛЬСИОННЫЙ ПАСТООБРАЗНЫЙ ПРОДУКТ И СПОСОБ ЕГО ПОЛУЧЕНИЯ | 2001 |
|
RU2277788C2 |
| ПИЩЕВАЯ ПАСТА И СПОСОБ ЕЕ ПРИГОТОВЛЕНИЯ | 2001 |
|
RU2277789C2 |
| ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНАЯ СВЕРХПРОВОДЯЩАЯ ПЛЕНКА НА КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ КВАРЦЕВОЙ ПОДЛОЖКЕ И СПОСОБ ЕЕ ПОЛУЧЕНИЯ | 2016 |
|
RU2641099C2 |
Изобретение относится к техно- логин получения ПЛРНОК сверхпроводников. Целью изобретения является по- выпение критической температуры Те пленок и улучшение их сверхпроводящих свойств. Взаимодействие YBaCcO- пленбк с материалом подложки (MgO, Si).приводит к ухудшению сверхпроводящих свойств. Для исключения этого взаимодействия предложено перед нанесением пленки YBa2CubOT наносить на подложку слой YgBaCuO. Способ позволяет наносить пленки YBa CujOf.jT., 90 К. / С
ВоО
У2Во40;
Фиг. 1
Редактор Л.Лежнина
Составитель И.ФальсковскиЛ
Техред Л.Кравчук Корректор С.Чьрни
Заказ 559
Тираж 355
ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям н открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб.5 ц. Л/5
Y0,5
Фыг.1
Подписное
| Phys Rev В, 35, (16), р.88218823, 1987 | |||
| Extended Abstracts for MRS Syropo- eium of High Temperature Superconductor, Anaheim, April 23-24. |
