Способ получения полупроводниковых структур на основе соединений А @ В @ Советский патент 1991 года по МПК C30B19/00 C30B29/46 

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при получении полупроводниковых структур методом жидкостной эпитаксии из раствора- расплава.

Целью изобретения является улучшение планарности и уменьшение плотности дефектов в структуре.

Пример. Получение эпитаксиальных структур PbTe-Pbo.eSno,2Te осуществляют в лабораторных условиях. Для получения эпитаксиальных структур PbTe-Pbo.eSno.aTe монокристаллическую подложку РЬТе, ориентированную по плоскости (100) и исходные компоненты Pb, Sn, Те, взятые в соотношениях согласно диаграмме состояния для выбранной температуры эпитаксии 600°С, помещают в графитовую лодочку. Си- стему нагревают в потоке чистого водорода до 600°С и выдерживают при этой температуре в течение часа для достижения полной

гомогенизации раствора-расплава. Использование чистого водорода способствует удалению окисной пленки с поверхности раствора-расплава и подложки. Затем прекращают подачу водорода и в системе создают вакуум. При достижении вакуума мм рт.ст. раствор-расплав приводят в контакт с подложкой. После этого в системе вновь восстанавливают поток водорода и снижают температуру со скоростью 0,05°С/мин.

В результате получены структуры РЬТе- Pbo,eSno,2Te, у которых высота микронеровностей границы раздела не превышала 0,3 мкм, на границе раздела не было включений в виде пузырей и пустот, а плотность дефектов составляла меньше 10 см .

Вакуум в системе позволяет удалить газ, адсорбированный поверхностью подложки и растворенный в растворе-расплаве. В момент контакта раствора-расплава с

О

ел ю ел

СдЭ

о

3 16595364

подложкой газ не захватывается расплавом,Формула изобретения что обеспечивает на границе раздела подложки и эпитаксиального слоя отсутствиеСпособ получения полупроводниковых включений, способюствует улучшению пла-структур на основе соединений А В , включа- нарности границы раздела.5 ющий нагрев исходных компонентов, гомо- Использование предлагаемого способагенизацию полученного раствора-расплава, жидкостной эпитаксии полупроводниковыхприведение подложки в контакт с раствором- структур позволяет улучшить планарностьрасплавом и эпитаксиальное наращивание в структур в 3-4 раза за счет улучшения сма-защитной атмосфере, отличающийся чиваемости подложки раствором-распла-10 тем, что, с целью улучшения пленарное™ и вом и снизить плотность постороннихуменьшения плотности дефектов в структуре, включений и дефектов в эпитаксиальнойконтакт подложки с раствором-расплавом структуре в 10-12 раз.проводят в вакууме.

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при производстве полупроводниковых структур. Цель изобретения - улучшение планар- ности и уменьшение плотности дефектов в структуре. Способ включает нагрев исходных компонентов, гомогенизацию полученного раствора-расплава в защитной атмосфере, приведение подложки в контакт с раствором-расплавом в вакууме и последующее эпитаксиальное наращивание слоев на основе соединений А4В в защитной ат- мосфере Получают структуры с плотностью дефектов менее 103 см .