Стекло Советский патент 1991 года по МПК C03C8/10 C03C3/72 

Изобретение относится к бесщелочным стеклам и может быть использовано в электрической и электронной аппаратуре в качестве компонента композиционных керметных материалов.

Целью изобретения является снижение удельного электрического сопротивления при сохранении высокой влагостойкости.

Синтез стекла проводят в корундизовых тиглях объемом 1000 мл при температуре 1200°С с выдержкой 30 мин; воспроизводимость химического состава стекла при синтезе ± 0,2%. В качестве компонентов шихты используют химические реактивы марок ХЧ, Ч, ЧДА. Борный ангидрид вводят через борную кислоту (НзВОз), оксид свинца - через РЬО, оксид железа - через FeO или Рерз. Расчет составов шихт проводят по стехиометрии соответствующих реакций. Остальные ингредиенты вводят через указанные оксиды. Расплав вырабатывают в виде образцов требуемой конфигурации и на грану- лят. Образцы для исследований отжигают при 400°С.

Конкретные составы стекол и их свойства приведены в таблице.

Описываемое стекло обеспечивает возможность получения композиционных керметных слоев на высокоглиноземистой керамике, а также на других диэлектрических подложках с аналогичными значения- ми ТКЛР. Указанные композиционные слои не нуждаются в защитных покрытиях, что упрощает технологию изделий и снижает их себестоимость.

Формула изобретения

Стекло, включающее в мас.% SI02 15, В20з 10,5, 4,5, РЬО 65. о т л и ч а ю щ- е е с я тем, что, с целью снижения удельного электрического сопротивления при сохранении высокой влагостойкости, оно дополнительно содержит 5 мас.% FeO.

со

С

о

ч|

СП

ю

ГО

Изобретение относится к бесщелочным стеклам, преимущественно для композиционных керметных материалов. С целью снижения удельного электрического сопротивления при сохранении высокой влагостойкости стекло содержит сл,едую- щие компоненты, мае % 5Ю2 15,0, В20з 10,5. 4.5, РЬО 65,0. ГеО 5,0. Разработанное стекло обеспечивает возможность получения композиционных керметных слоев на подложках из высокоглиноземистой керамики и аналогичных им по ТКЛ Р диэлектрических подложках. Электропроводящие слои на основе описываемого материала не нуждаются в дополнительной защите от влаги, pv при 300°С 5.1-108 Ом см. 1 табл.