Электрохимический способ получения кристаллов оксидных бронз Советский патент 1991 года по МПК C30B9/14 C30B29/22 

Изобретение относится к росту кристаллов и может быть использовано для получения кристаллов, применяющихся в электронной, химической, металлургической промышленности.

Целью изобретения является получение трехмерных кристаллов, ограниченных плоскостями с кристаллографическими индексами одного типа, и сокращение времени их роста.

Пример 1. В тигле расплавляют исходную шихту, содержащую, мол.%: K2WO4 32,5; Na2WO4 32,5; WO3 35. Шихту расплавляют и расплав нагревают до 700°С. В расплав вводят электроды. В качестве катода используют медную проволоку диаметром 0,37 мм, в качестве анода - платиновую проволоку диаметром 0,5 мм. Между электродами пропускают постоянный электрический ток плотностью 3 мА/см2. Наблюдают образование на катоде зародыша кристалла и его рост в виде иглы, ограненной по бокам плоскостями {110), а по вершине {0S1}. Через 2 мин по достижении кристаллом заданной длины 3 мм плотность тока увеличивают в 1000 раз до 3000 мА/см2. Наблюдают разращивание кристаллической иглы в боковых направлениях и по истечении 5 мин преобразование ее в бипирамиду, ограненную плоскостями типа {310}. Получают кристалл калий-натрий-вольфрамовый бронзы размером во всех направлениях 2,8-3,2 мм

Пример 2. Процесс проводят, как в примере 1, но изменяют плотность тока и длительность операций роста.

Характеристики полученных кристаллов в зависимости от режимных параметров процесса их получения представлены в таблице.

Таким образом, предлагаемый способ позволяет в 2-3 раза ускорить процесс получения единицы массы кристалла и получать кристаллы неигольчатой формы, а трехмерные - с ограничением плоскостями одного типа.

Формула изобретения

Электрохимический способ получения кристаллов оксидных бронз путем пропускания постоянного электрического тока через

О J

сд

4

О 00

расплав, содержащий оксиды исходных компонентов, отличающийся тем, что, с целью получения трехмерных кристаллов, ограниченных плоскостями с кристаллографическими

индексами одного типа, и сокращения времени их роста, по достижении кристаллом заданной длины плотность тока увеличивают на 2-3 порядка.

Изобретение относится к росту кристаллов, может быть использовано для получения кристаллов, применяемых в электронной, химической промышленности, и позволяет ускорить процесс и получать трехмерные кристаллы, ограниченные плоскостями с кристаллографическими индексами одного типа В тигле расплавляют исходную шихту. Вводят в расплав электроды. Пропускают между ними постоянный электрический ток плотностью 2-4 мА/см2, а после достижения кристаллом заданной длины плотность тока увеличивают на 2-3 порядка Достигают ускорения процесса в 2-3 раза 1 табл.

Калий-натриевая вольфрамовая брон