СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ФЛЮОРИТА Советский патент 1965 года по МПК C30B7/10 C30B29/12 

Известен способ выращивания монокристаллов флюорита кристаллизацией из расплава в вакууме при высокой температуре.

Описываемый способ отличается от известного тем, что монокристаллы флюорита выращивают на затравку флюорита путем перекристаллизации исходного флюорита в гидротермальных условиях в автоклаве при 450- 480°С и давлении около 200 атм с использованием в качестве растворителя водного 45- 50f/o-Horo раствора хлористого лития. При применении такого способа упрощается технологическая схема получения флюорита и примеси равномерно распределяются в монокристаллах.

Сущность изобретения состоит в том, что шихту, приготовленную из природных прозрачных кристаллов флюорита, предварительно раздробленных до нужного размера, помещают в нижней, более горячей части автоклава с платиновой футеровкой. Флюорит растворяется в автоклаве водным 45-50о/оным раствором хлористого лития.

Выращивание кристаллов проводят при 450-480°С с перепадом температур между

зоной растворения и зоной роста в пределах от нескольких до 10-15 в зависимости от длины автоклава. В качестве затравок используют пластины и щары, вырезанные из

прозрачных кристаллов природного флюорита. Выращивание проводят в автоклаве при давлении около 200 атм.

Получаемые кристаллы не имеют внутренних напряжений и не требуют последующего

обжига, структура их более соверщенна.

Предмет изобретения

Способ выращивания монокристаллов флюорита, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологической схемы и получения монокристаллов с равномерным распределением примесей, монокристаллы выращивают

на затравку флюорита путем перекристаллизации исходного флюорита в гидротермальных условиях в автоклаве при 450-480°С и давлении около 200 атм с использованием в качестве растворителя водного 45-50 /о-ного

раствора хлористого лития.