Подложка для гибридного запоминающего устройства Советский патент 1991 года по МПК G11C11/40 G11C5/04 

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в технологии изготовления гибридных запоминающих устройств с высокой степенью интеграции.

Цель изобретения - повышение надежности функционирования гибридного СЗУПВ. смонтированного на диэлектрической подложке.

На чертеже представлена подложка, на которой размещены кристаллы запоминающего устройства большой информационной емкости.

На подложке 1 расположены кристаллы БИС ЗУ 2. В зоне расположения углов кристаллов в подложке выполнены компенсирующие отверстия 3, радиус которых равен ширине свободной зоны закрепленных кристаллов БИС ЗУ 2. Под собственной зоной кристаллов БИС ЗУ понимаются участки кристалла, которые не содержат элементов схем и которые предназначены для скрай- бирования. т.е. разделения шайбы на отдел оные кристаллы. Критерием выбора радиуса отверстий является ширина свободной зоны кристалла. Если радиус отверстий выбрать больше ширины свободной зоны, то над отверстием в поле неоднородных термомеханических напряжений окажутся рабочие участки кристалла и характеристики запоминающих элементов изменяются. На подложке 1 расположены контактные площадки 4 и 5. Токоведущие шины (токо- проводники) не обозначены, чтобы не загружать чертеж излишней информацией.

На подложке (например керамика 22ХС размером 30x48 мм) с помощью ультразвукового сверления (в качестве среды использовалась вводная суспензия порошка карбида кремния) выполнили отверстия круглой формы диаметром 0,8 мм. Бескорпусные БИС ЗУ серии 537РУ1, имеющие габаритные размеры 3,5x3,5 мм и ширину свободной зоны-0,3-0,4 мм, крепили к подложке клеем ВК-9 с наполнителем (нитрид бора). Затем БИС ЗУ электрически соединиО

4 КЗ

сл ю

СА)

ли с контактными площадками 4 на подложке, на которой выполнены токопроводящая система и контактные площадки 5 для соединения с выводами корпуса. Экспериментальные образцы были помещены в камеру ТВК-2 в количестве 18 шт. и подвергнуты испытаниям в экстремальных условиях (при температуре +125°С и -60°С). В ходе испытаний ни одна микросхема не отказала.

Преимущество предлагаемой подложки для гибридного запоминающего устройства большой информационной емкости заключается в том, что при его функционировании в углах кристаллов БИС ЗУ не возникает термомеханические напряжения, отсутствует явление деградации, а следовательно, повышается надежность функционирова

ния гибридного запоминающего устройства, смонтированного на такой подложке. Формула изобретения Подложка для гибридного запоминающего устройства с размещенными на ней кристаллами бескорпусных блоков памяти, содержащая токопроводники и контактные площадки, электрически соединенные с бескорпусными блоками памяти, отличающаяся тем, что, с целью повышения надежности гибридного запоминающего устройства, в подложке в зоне расположения углов кристаллов бескорпусных блоков памяти выполнены отверстия, радиус окружности которых равен ширине свободной зоны закрепленного кристалла бескорпусных блоков памяти.

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в технологии изготовления гибридных запоминающих устройств с высокой степенью интеграции. Целью изобретения является повышение надежности функционирования гибридного запоминающего устройства. Цель достигается за счет того, что в подложке в зоне расположения углов кристаллов беСкорпусных блоков памяти выполнены отверстия, радиус окружности которых равен ширине свободной зоны закрепленного кристалла бескорпусных блоков памяти. 1 ил.

L-TLJ LJLJLJLJI-ILJLJLLJLJ

И

6UC ЗУ

Р

-а Ми

Т7

ппгп пгпппппгт п

/