Селективное покрытие Советский патент 1991 года по МПК F24J2/48 

«

fe

Изобретение относится к преобразованию солнечной энергии и может быть использовано при изготовлении лучевоспринимающих поверхностей поглотителя солнечных коллекторов. С целью увеличения коэффициента поглощения, получения образцов с воспроизводимыми свойствами и упрощения технологии селективное покрытие состоит из Сг и диэлектрика, а в качестве диэлектрика содержит ТЮа при следующем соотношении компонентов, мас.%: Сг 20- 33,33. ТЮ2 66,67-80.

Изобретение относится к преобразованию солнечной энергии и может Выть использовано при изготовлении лучевоспринимающих поверхностей поглотителя солнечных коллекторов.

Целью изобретения является увеличение коэффициента поглощения, получение поглотителя с воспроизводимыми свойствами и упрощение технологии.

Для этого селективное покрытие, содержащее хром Сг и диэлектрик, в качестве диэлектрика содержит окись титана ТЮа при следующем соотношении компонентов, вес.%: Сг 20-33,33; ТЮ2 66,67-80.

Поглотитель с селективным покрытием получают следующим образом.

Готовят смесь порошков Сг и ТЮа, взятых в определенном процентном соотношении, и растирают ее в агатовой ступке.

Готовую смесь помещают в вакуумную камеру на вольфрамовую лодочку, которую нагревают до температуры, необходимой для напыления вещества на подложку, расположенную над испаряемым веществом. В качестве подложки используется металл или сплав (например АМг-6, AI, Си и т.д.), или полимерная пленка с предварительно напыленным непрозрачным металлическим слоем.

После испарения вещества готовый образец охлаждают и исследуют его свойства - коэффициент поглощения солнечного излучения а на фотометре ФМ-85 и коэффициент излучения е на терморадиометре ТРМ-И. Контроль толщины покрытия проводится в процессе напыления с помощью устройства УКСК-21ДФ.

Напыление селективных поглотителей проводилось на вакуумной установке РРОЧ) 00

ел о

601, в которой предусмотрены возможности подогрева и стабилизации температуры подложки, а также ионная очистка подложек в-тлеющем разряде.

П р и м е р 1. Приготовлена смесь Сг и ТЮ2, взятая в процентном соотношении Сг

-TIU2 20:80 или в весовом соотношении Сг 200 мг, TI02 800 мг, и по вышеизложенной технологии испарением в вакууме получено покрытие толщиной порядка 2000 А на подложке из АМг-6. Измеренные оптические характеристики селективного покрытия соответствуют значениям ,94, Ј 0,1.

П р и м е р 2. Приготовлена смесь Сг и ТЮ2, взятая в процентном соотношении Сг - TI02 25:75 или в весовом соотношении Сг 500 мг, ТЮа 1500 мг, и по вышеизложенной технологии испарением в вакуумеопол- учено покрытие толщиной 1750 А на подложке из АМг-6, Измеренные оптические характеристики селективного покрытия соответствуют значениям Os 0,93, Ј 0,1.

П р и м е р 3. Приготовлена смесь Сг м TI02, взятая в процентном соотношении Сг

-ТЮ2 33,33:66,67 или в весовом соотношении Сг 500 мг и ТЮ2 1000 мг, и по вышеиз- ложенной технологии испарением в

вакууме получено покрытие толщиной 1500 А на подложке из АМг-6. Измеренные оптические характеристики селективного покрытия соответствуют

значениям as 0,92, ,08.

Данное покрытие имеет ряд преимуществ, таких как упрощение технологии, достаточная воспроизводимость оптических свойств при соблюдении технологии и высокие значения коэффициента поглощения.

Кроме того, покрытие Сг/ТЮ2 обладав высокой адгезионной поочностью и стойкостью к воздействию внешней среды.

Проведены модельные расчеты оптических свойств, отработана технология, получены экспериментальные образцы селективных покрытий на подложках из АМг-6, сплава пленки Ф4МБ, полиамидной и лавсановой пленок.

Формула изобретения

Селективное покрытие, содержащее хром и диэлектрик, отличающееся тем, что, с целью увеличения коэффициента поглощения, получения поглотителя с воспроизводимыми свойствами и упрощения технологии, оно в качестве диэлектрика содержит окись титана при следующем соотношении компонентов, мас.%: хром 20,0-33,33; окись титана 66,67-80,0.