СПОСОБ СОЗДАНИЯ ОМИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ К КРЕМНИЮ Советский патент 2012 года по МПК H01L21/28

Похожие патенты SU1709864A1

название	год	авторы	номер документа
СПОСОБ СОЗДАНИЯ СЕНСОРА ДЛЯ ДЕТЕКТИРОВАНИЯ ВОДОРОДА	2021	Фоминский Вячеслав Юрьевич Фоминский Дмитрий Вячеславович Соловьев Алексей Романов Роман Иванович Руднев Игорь Анатольевич	RU2783070C1
СПОСОБ СОЗДАНИЯ ФОТОКАТОДА ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ВОДОРОДА	2022	Соловьев Алексей Романов Роман Иванович Фоминский Вячеслав Юрьевич Фоминский Дмитрий Вячеславович Грицкевич Мария Дмитриевна Степанова Татьяна Владимировна	RU2804328C1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТЕТРАФТОРИДА КРЕМНИЯ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО РЕАЛИЗАЦИИ	2010	Лебедев Эдуард Александрович Гомжин Иван Васильевич Тупикин Вячеслав Фёдорович Домницкий Иван Филлипович	RU2454366C2
СПОСОБ СОЗДАНИЯ ОМИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ В ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ УСТРОЙСТВАХ НА АМОРФНЫХ ГИДРОГЕНИЗИРОВАННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ	2002	Вихров С.П. Вишняков Н.В. Маслов А.А. Мишустин В.Г. Попов А.А.	RU2229755C2
Способ получения карбида бора плазмохимическим методом	2016	Корнев Роман Алексеевич Конычев Дмитрий Алексеевич Сенников Петр Геннадьевич Зырянов Сергей Михайлович	RU2648421C2
УСТАНОВКА ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ ИЗ ЖИДКОЙ ФАЗЫ НАНОГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР С КВАНТОВЫМИ ТОЧКАМИ	2015	Марончук Игорь Евгеньевич Кулюткина Тамара Фатыховна	RU2610050C2
СПОСОБ УВЕЛИЧЕНИЯ ПОРОГОВОГО НАПРЯЖЕНИЯ ОТПИРАНИЯ GaN ТРАНЗИСТОРА	2016	Ерофеев Евгений Викторович	RU2642495C1
СПОСОБ РЕАКТИВНОГО ИОННОГО ТРАВЛЕНИЯ СЛОЯ НИТРИДА ТИТАНА СЕЛЕКТИВНО К ДВУОКИСИ КРЕМНИЯ, ПОЛИКРЕМНИЮ И ВОЛЬФРАМУ	2013	Алексеев Николай Васильевич Боргардт Николай Иванович	RU2533740C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ Cu-Ge ОМИЧЕСКОГО КОНТАКТА К GaAs	2010	Ерофеев Евгений Викторович Кагадей Валерий Алексеевич	RU2436184C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОМИЧЕСКОГО КОНТАКТА К GaAs НА ОСНОВЕ ТОНКИХ ПЛЕНОК Ge И Cu	2009	Ерофеев Евгений Викторович Кагадей Валерий Алексеевич	RU2422941C2

Реферат патента 2012 года СПОСОБ СОЗДАНИЯ ОМИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ К КРЕМНИЮ

Способ создания омических контактов к кремнию p-типа проводимости, включающий катодное распыление молибдена на кремниевую подложку путем создания в рабочей камере предварительного вакуума (1,3-6,7)10^-4 Па, введения фторсодержащего газа BF₃, зажигания плазмы и последующей подачи высокого напряжения на мишень 2000-3000 В, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества омических контактов, в рабочую камеру дополнительно к BF₃ вводят четырехфтористый углерод и водород при следующем соотношении компонентов в газовой среде состава, об.%:

Четырехфтористый углерод 15-25 Водород 15-30 BF₃ Остальное

до создания вакуума (3,2-8,0)·10^-2Па.

SU 1 709 864 A1

Авторы

Снитовский Ю.П.

Сенько С.Ф.

Воробьев О.А.

Баранов И.Л.

Даты

2012-03-20—Публикация

1990-02-08—Подача