СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТЕРМОСТОЙКИХ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ СОПРОТИВЛЕНИЙ Советский патент 1965 года по МПК H01C7/04 

Известны способы изготовления термостойких тонкоиленочных сопротивлений, выполненных на плоской подогретой ситалловой подложке, термическим испарением металлосилицпдного сплава в вакууме.

Цель изобретения - уменьшить разброс номиналов и повысить стабильность сопротивлений. Достигается это тем, что по предложенному способу напыление токопроводящего слоя проводят в вакууме на плоскую ситалловую подложку, подогретую до температуры 340-360 С. Перед напылением испаритель с нанесенным на него испаряемым сплавом подвергают трехкратному отжигу в вакууме ири температуре около 1750°С. После напыления подложки выдерживают в вакууме ири температуре 340-360°С в течение 30 мин, затем производят окисление свободного кремния, содержащегося в пленке, подвергая их воздействию атмосферы.

Способ позволяет существенно повысить стабильность параметров сопротивлений в процессе их изготовления, снизить завал частотной характеристики в 2 раза (5-7%) по сравнению с известными способами, улучшить воспроизводимость номиналов сопротивлений (не хуже + 10%).

Предмет изобретения

Способ изготовления термостойких тонкопленочных сопротивлений для микросхем, выиолненных на плоской нагретой ситалловой подложке термическим испарением металлосилицидиого си лава в вакууме, отличающийся тем, что, с целью уменьшения разброса номиналов и повышения стабильности сопротпвлеНИИ, перед напылением на исиаритель наносят слой испаряемого сплава и производят трехкратный отжиг исиарптеля в вакууме при температуре около 1750°С, а напыленные сопротивления выдерживают в вакууме при

температуре 340-ЗбО С в течение 30 мин, после чего производят окисление свободного кремния, содержапхегося в плепке, подвергая их воздействию атмосферы.