ВСЕСОЮЗЯДЯ 11 ЛАТЕНч/О- -."^^ЯИ':НС?МЯ '« •'-6 ?ИОТ?/;АБ. А!. Резников Советский патент 1965 года по МПК C30B33/02 C30B29/12 

Отжиг, например монокристаллов LiF, по известному способу проводят в изотермических условиях. При этом процесс требует достаточно высокой температуры, большой выдержки при температуре отжига и медленного охлаждения.

Предлагаемый способ быстрого низкотемпературного отжига заключается в использовании пемзотер.мнческой релаксации при быстром нагревании. При этом уровень напряжении искусственно повышается за спет наложения на остаточные напряжения термоупругих напряжений (скорость, рассеяние остаточных напряжений возрастают), температура, до которой надо нагревать мопокристалл, понижается, допустимая скорость последующего охлаждения повышается, а время отжига сокращается.

Пример. Кристалл, подлелсащий отжигу, нагревают с большой (постоянной) скоростью для создания в нЬм значительных термоупругих напряжений. Одновременно с нагреванием в каком-либо месте кристалла с помон1ью, например, поляризацнонио-онтического метода, измеряют величину внутренних иапряжеНИИ. Кристалл нагревают до тех пор, пока величина срелаксировапнгих наиряжений (отсчитыпаемая от максима.чыюй nevni4HHi.i luiyriionиих напряжений и данном месте) но стлнгт |)ап1и)й Me)iuiii;i4;i.ii,iuiii шмичиис осгшт/чных

напряжений в кристалле до нагревания. После этого крнсталл охлаждают. Скорость ох.чаждения нужно выбирать таким образом, чтобы при каждой температуре термоунругие напряжения в том же фиксированном месте кристалла были меньше (по абсолютной величине) напряжений, оставшихся в кристалле при той же температуре во время нагрева. Измеряется характерная величина напряжеиин.

Например, режим отжига по предлагае.мому способу для монокристалла LiF размером 20X20X50 мм следуроп ий. Образец иагревают со скоростью 20°/мин до 7 600°С, затем охлаждают со скоростью 3°/мин. Максимальная величина напряжений растяження, измеренная в средней плоскостн параллелепннеда, составляет до отжига 35 кг/см, после - 5 кг/см. Общая продолжительность режима 220 мин.

Предмет изобретения

Способ отжига кристаллов, обладаюпи1х пределом текучести, например моиокристалла фтористого лития, путем иагроплния и ноолодуюи1его охлаждения, от.тчаипциася тем, что, с це.чью уск)|)ония ироцссса и иоиижеиия тсм110(атуры огжиш, ослаб.Инпя наиряжопий ;i;iка.ючипсп тиил достигают ноиютсрмичсч-кой pt.iaKiiiiuiiii г.иуrpiHiMix паиря/ксиий HJUI вм 3 строи нагревании, например 20%«ын, при толщине пластинки 20 мм, до температуры порядка 600°С, при которой величина срелаксиро.4 вавших напряжений станет равной первонЗчальной величине остаточных напряжений в образце до нагревания.