ТУННЕЛЬНЫЙ ДИОД Советский патент 1965 года по МПК H01L29/88 

Известны туннельные диоды, выполненные, например, на основе германия, заключенные в керамическую оболочку с металлическими ко1:тактными выводами различной конфигурации, приплавлепными к керамике оболочки.

Однако такое их конструктивное исиолнеиие ие позволяет автоматизировать процесс изготовления приборов с одновременным снижением паразитной индуктивности корпуса и уменьшением нлощади р-я-перехода.

Отличие предложенного туннельного диода в том, что верхний вывод прибора выполнен в виде кольца с язычком, загнутым.под углом, например, 90, а кристалл полупроводпикопого материала установлен в корпусе и обработан таким образом, что между его боковой гранью и язычком верхнего вывода создай зазор переменного сечения, при этом электродиый материал, образуя р-/i-переход на боковой грани кристалла, имеет одновременно контакт с язычком верхнего вывода прибора.

Такое выполнение диода позволяет увеличить частотный предел .прибора, снизить индуктивпость корпуса и упростить технологию его изготовле11ия, что позволит автоматизировать технологический процесс.

с р-я-иереходом 2 заключен в керамическую оболочку 3, к которой приплавлены верхний и нижний контактные выводы 4 п 5 прибора с напаянной на верхний вывод 4 крышкой 6.

Верхний вывод 4 прибора выполиен в виде кольца с язычком 7, загнутым нод углом, например, 90°.

Кристалл / полупроводникового материала, установленный в корпусе прибора и ириилавленный к нижиему выводу 5 прибора, обработан таким образом, что между его боковой гранью 8 и язычком 7 создан зазор неременного сечения.

Электродный материал 9, образующий р- «-иереход 2 па боковой грани 8 кристалла /, имеет одновременно контакт с язычком 7.

Предмет изобретения

Туннельный диод, например, иа основе германия, заключенный в керампческую оболочку, к которой приилавлены верхний и иижпий контактные выводы прибора с напаяниой иа верхний вывод крышкой, отличающийся тем, что, с целью увеличения частотного предела, .снижения индуктивности корпуса и упрощения технологии изготовления, керхиий вывод прибора выполнен в виде кольца с язычком, -загиутым иод углом, нанрнмср, 90°, а кристалл полупроводникового м.атериала установлен в корпусе и обработан таким образом, что между его боковой гранью и язычком верхнего вывода создан зазор перемеп1ЮГО .сечения, нри этом электродный мачериал, образуя р-/г-переход на боково грани кристалла, имеет одновременно контакт с язычком верхнего вывода прибора.

/