Известные снособы измерения те.мнературы расплавов в тиглях при помощи термонары, которую погружают в расплав сверху, не обеспечивают достаточной точности измерения в разных точках поверхностного слоя расплава (зоны кристаллизации) вследствие отвода тенла через защитную оболочку.
По иредложенному способу для повыщения точности измерения градиентов температуры в зоне кристаллизации расплава термопару вводят в расплав через отверстие, расположенное в донной или боковой части тигля ниже уровня расплава.
Для свободного перемещения термопары между ее оболочкой и корпусом тигля создают зазор, удерл ание расплава в котором обеспечивают применением не смачиваемых расплавом материалов тигля и оболочки термопары.
Описанный способ может быть применен для контроля градиентов темнературы при совершенствовании процессов выращивания монокристаллов лолупроводииковых материалов по методу Чохральского, например германия, индия и др.
Предмет изобретения
Способ измерения температуры расплавов в тиглях при помощи термопары, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерения градиентов температуры в зоне кристаллизации расплава, термопару вводят в расплав через отверстие, обеспечивающее ее свободное перемещение и расположенное в донной или боковой части тигля ниже уровня расплава, а расплав удерживают в тигле путем применения материалов кор.пуса тнгля и термопары, не смачиваемых, раснлавом.
