Электровакуумное стекло для высокоинтенсивных источников света Советский патент 1992 года по МПК C03C3/97 

Изобретение относится к составам стекол вольфрамовых групп, применяемым, например, в производстве металлогалогенных ламп

Указанное стекло может быть использовано в электронной, электротехнической и светотехнической отраслях промышленности.

Известно тугоплавкое стекло, мас.%: 5Ю2 69,0-73,0; А120з 1,5-6,0; В20з 14,0- 19,0; МдО 0,1-6,0; СаО 0,1-4,0; ВаО 0,5- 10,0; РЬО 0,1-3,0; СсЮ 0,5-9,0.

Известно электровакуумное стекло для высокоинтенсивных источников света, принятое за прототип, состава, мас.%: SI0255,0-65,0

В20з5,0-18,0

А 20з10,0-19,0

СаО1,0-8,0

МдО0,5-4,0

ВаО7,0-15,0

По крайней мере один

окисел из группы: АзаОз,

5Ь20з ЗОз, Sh02, Ce020,1-1,5

Недостатки указанных стекол - склонность к кристаллизации при выработке и низкие варочные свойства.

Цель изобретения - снижение кристаллизационной способности и увеличение скорости провара шихты.

Предлагаемое электровакуумное стекло, включающее Si02, А120з, ВаОз, СаО, МдО, ВаО или SrO, дополнительно содержит Р205, Li02 при следующем соотношении компонентов, мол %:

Si0260-70

А(20з8-14

В20з5-9

СаО2-10

vj

СА 00 | О 00

2-10 2-10

1-5 0,1-0,5

Для изготовления стекла тщательно перемешивали кварцевый песок, борную кислоту, глинозем, карбонаты магния, кальция, бария или стронция, лития и метафосфат алюминия. Полученную шихту загружали в корундовые тигли и варили в электрической печи сопротивления с нагревателем из хромита лантана по следующему режиму: разогрев длительностью 3-4 ч, выдержка при 1600°С в течение 4 ч, охлаждение до 1500°С в течение 30 мин. Полученный расплав с температурой 1400 - 1500°С выливали на разогретую металическую плиту. Отжиг стекла проводили в муфельной печи при 700°С в течение 30 мин с последующим инерционным отжигом.

Кристаллизационную способность стекла определяли методом дифференциально- термического анализа (ДТА) на дериватографе следующим образом. Стекло измельчали до удельной поверхности 1000- 1500см2/ги нагревали в печи дериватографа со скоростью 10°С/мин. Кристаллизационную способность оценивали по температурам начала и максимума кристаллизации и площади пика по дериватограмме. Чем ниже температура и больше площадь пика, тем выше склонность к кристаллизации.

Варочные свойства стекла оценивали по скорости провара шихты следующим об- разом. Шихты, соответствующие составам стекла, термообрабатывали в муфельной печи при 1100°С в течение 1 ч. На рентгеновском дифрактометре типа ДРОН (с медным

0

5

0

5

5

0

катодом) проводили рентгенофазовый анализ остеклованных спеков шихт. Скорость провара шихты оценивали по высоте дифракционного пика остаточного а-кварца в образцах в сравнении с высотой пика чистого а-кварца. Чем больше величина дифракционного пика, тем больше содержание остаточного а -кварца в образце, тем ниже скорость провара шихты.

Составы изготовленных стекол и их свойства приведены в табл. 1 и 2. Как видно из табл. 2, предлагаемое стекло имеет в заданных пределах более высокие температуры кристаллизации, т.е. меньшую склонность к кристаллизации и меньшую величину дифракционного пика остаточного «-кварца, т.е. большую скорость провара шихты.

Формула изобретения

Электровакуумное стекло для высокоинтенсивных источников света, включающее Si02, А1аОз, ВаОз, CaO, MgO, BaO или SrO, отличающееся тем, что, с целью снижения кристаллизационной способности и увеличения скорости провара шихты, оно дополнительно содержит P20s, Li20 при следующем соотношении компонентов, мол.%:

Si0260-70

А 20з8-14

В20з5-9

СаО2-10

MgO2-10

BaO или SrO2-10

P20s1-5

Li200,1-0,5

Изобретение относится к составам стекла вольфрамовой группы, применяемым в производстве металлогалогенных ламп. Это стекло может быть использовано в электронной, электротехнической и светотехнической отраслях промышленности. С целью снижения кристаллизационной способности и увеличения скорости правара шихты электровакуумное стекло для высокоинтен- сивных источников света содержит, мол.%; Si02 60-70, 8-14, В20з 5-9,-МдО 2-10, СаО 2-10, ВаО или SrO 2-10, P20s 1-5, Li20 0,1-0,5 Высота дифракционного пика остаточного а-кварца в стекле (% от пика чистого «-кварца) 18-27, температура максимума кристаллизации 1042-1080°С. 2 табл.

Таблица 1

Продолжение таблицы 1

Таблица2

Продолжение таблицы 2