Стекло Советский патент 1991 года по МПК C03C8/02 C03C3/64 

Изобретение относится к технологии силикатов и предназначено для формирования толстопленочных диэлектрических элементов коммутационных плат на металлическом основании, используемых в радиоэлектронной аппаратуре.

Цель изобретения - повышение температурного коэффициента линейного расширения и кристаллизационной способности, снижение температуры обжига.

Синтез стекла проводят в газовой пламенной печи при 1300°С с выдержкой при этой температуре 1 ч.

В качестве сырьевых материалов используют кварцевый песок, глинозем, борную кислоту, углекислый барий, углекислый кальций, углекислый стронций, оксиды хрома (III) и молибдена.

Пример. Состав стекла мас.%: SI02 5,6; AfeOs 7,0; ВгОз 16-8; ВаО 61,0; СиО 6.3; SrO 1,5; Сг20зО,3;МоОз1.5.

Сырьевые материалы взвешивают на технических весах и тщательно перемешивают. Шихту засыпают в сорундизовые тигли и помещают в газовую печь. Скорость подъема температуры в печи 200-250°С в 1 ч. Максимальная температура варки 1300°С, выдержка при данной температуре 1 ч. Сваренную стекломассу выливают на воду для получения гранулята. Гранулят высушивают и размалывают в планетарной мельнице до порошка с удельной поверхностью 6000-7000 см2/г./

Нанесение диэлектрических элементов на подложку проводят методом трафаретной печати из паст на основе порошка стекла. Подложки с нанесенными элементами сушат в муфельной печи при 100°С в течении 30 мин. Вжигание толстопленочных диэлектрических элементов производят в конвейерной электропечи при 650°С, подъем температуры и охлаждение со скоростью 50°С/мин. В процессе обжига происходит кристаллизация стекла с выделением в качестве основных кристаллических фаза-цельзиана и бората бария.

Изготовление образцов для определения физико-механических свойств стекол осуществляют методом отливки в стальные формы с последующим отжигом при 490°С в течение 2 ч в электрической муфельной печи.

Синтез стекол остальных составов и формирование диэлектрических толстопленочных элементов на их основе проводится аналогично приведенному примеру,

Составы стекол и их физико-механические свойства приведены в таблице.

Использование предлагаемого стекла позволяет создать совместимую систему элементов коммутационных плат на метал- лодиэлектрической подложке и повысить таким образом надежность интегральной

схемы, обеспечивает снижение энергоемкости производства, повышение степени интеграции коммутационных плат на ме- таллодиэлектрической подложке, следовательно, обеспечивает повышение степени надежности и улучшение массогабарит- ных характеристик радиоэлектронной аппаратуры.

Формула изобретения

Стекло, включающее S102, А120з, В20з, BaO, CaO, SrO, СгаОз, отличающееся тем, что, с целью повышения температурного коэффициента линейного расширения и кристаллизационной способности, снижения температуры обжига, оно дополнительно содержит МоОз при следующем соотношении компонентов, мас.%: 5102-2,2- 8; А12Оз-6,1-7; В2Оз-К8-18,8; ВаО-58,1-63; СзО-5,4-6,3; SrO-1.5-4; СпгОз-0,3-1:

МоОз-0,5-2.

Изобретение относится к технологии силикатов и предназначено для создания толстопленочных диэлектрических элементов коммутационных плат на металлическом основании. С целью повышения температурного коэффициента линейного расширения и кристаллизационной способности, снижения температуры обжига стекло имеет следующий химический состав, мас.%: SlOz 2.2-8,0; А120з 6,1-7,0; В20з 14,8-18,8; ВаО 58.1-63.0; СаО 5,4-6,3; SrO 0,3-1,0; МоОз 0,5-2,0. КТР стекла (105-108) 1/град. температура обжига 650°С, температура кристаллизации 640-650°С. 1 табл.