Известен способ выращивания монокристаллов типа CdS (группа А В - сульфидов и селенидов кадмия, цинка, теллура) из расплава под давлением инертного газа.
Предлагаемый способ выращивания полупроводниковых монокристаллов типа CdS отличается от известного тем, что для получения монокристаллов стехиометрического состава в реакционный объем вводят химическое соединение металлоида с углеродом.
Пример 1. Выращивание монокристаллов сульфидов кадмия и цинка.
Предварительно подготовленный стехиометрический порошок сульфида кадмия загружают в графитовый контейнер, помещаемый внутрь трубчатого графитового нагревателя, расположенного в автоклаве. После герметизации внутреннего объема его вакууЛ1ируют с подогревом для удаления из автоклава влаги и газообразных примесей. В вакуумированный объем автоклава вводят заданное количество сероуглерода, после чего в автоклав из баллона подается аргон до давления 30-40 ат. Последующие операции включают плавление порошка сульфида кадмия, некоторый перегрев расплава и затем программное температуры расплава таким образом, чтобьГв коническом дне контейнера возникла монокристаллическая затравка, которая разращивается последовательно снизу вверх по объему контейнера. Наличие в газовой фазе сероуглерода допускает необходимый перегрев расплава с соответствующим градиентом температуры вдоль оси контейнера без термического разложения перегретого исходного вещества, что обеспечивает получение монокристаллов с заданными свойствами.
Аналогично получают монокристаллы сульфида цинка.
Пример 2. Выращивание монокристаллов селенидов кадмия и цинка.
Отличие от примера 1 состоит в том, что в вакуумированпый объем вводят заданное количество селеноуглерода либо впрыскиванием готового продукта, либо продувкой паров селена через нагретую кварцевую трубку, содержащую пористую углеродную массу (древесный уголь и т. п.).
Предмет изобретения
Способ выращивания полупроводниковых монокристаллов сульфидов и селенидов групп А и А , например CdS, из расплава под давлением инертного газа, отличающийся тем, что, с целью получения монокристаллов стехиометрического состава и упрощения процесса, в реакционный объем вводят химическое соединение одноименного металлоида с углеродом, например CSa.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Способ выращивания монокристаллов халькогенидов цинка и кадмия | 1977 |
|
SU681626A1 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СУЛЬФИДА ЦИНКА | 1994 |
|
RU2094376C1 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРИСТАЛЛИЧЕСКОГО СЦИНТИЛЛЯТОРА НА ОСНОВЕ САМОАКТИВИРОВАННОГО РЕДКОЗЕМЕЛЬНОГО ГАЛОГЕНИДА | 2021 |
|
RU2762083C1 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРИСТАЛЛОВ ХАЛЬКОГЕНИДОВ ТИПА AB Использование: в приборостроении, квантовой электронике, лазерной спектроскопии и т | 1991 |
|
RU2031983C1 |
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ХАЛЬКОГЕНИДОВ ЦИНКА ИЛИ КАДМИЯ И ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ НА ИХ ОСНОВЕ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ | 1990 |
|
RU2030489C1 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ОПТИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ ИЗ ХАЛЬКОГЕНИДОВ ЦИНКА И КАДМИЯ | 2002 |
|
RU2240386C2 |
СПОСОБ МАРКИРОВКИ ОРГАНИЧЕСКИХ ТОПЛИВ С ПОМОЩЬЮ КВАНТОВЫХ ТОЧЕК | 2022 |
|
RU2780550C1 |
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СОЕДИНЕНИЙ | 1990 |
|
RU2023770C1 |
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ НАНОЧАСТИЦ СУЛЬФИДА КАДМИЯ НА УГЛЕРОДНЫХ НАНОТРУБКАХ И СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИСТОЧНИКА СВЕТА | 2010 |
|
RU2459316C2 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО ОПТИЧЕСКОГО СЕЛЕНИДА ЦИНКА | 2010 |
|
RU2490376C2 |
Даты
1966-01-01—Публикация