Носитель для электронно-лучевой записи и оптического воспроизведения информации и способ изготовления информационной структуры на этом носителе Советский патент 1992 года по МПК G11B9/10 

Длй многих неорганических веществ и структур на их основе минимальные дозы облучения электронами, приводящие к суидественным изменениям феноменологических параметров, в том числе и оптических карзктеристик, в результате прямых без усиления раднационНС-стимулироваиных процессов, составляют ориентировочно-- 10 эл/см.

Существенное повышение чувствительности носителей информации возможно только на путях включения в процесс формирования записи процесса усиления, например, на стадии жидкостного проявления.

Известен носитель для электронно-лучевой записи оптически воспроизводимой информации, чувствительный слой которого выполнен из пленки СаРа, нанесенной методом термического напыления на подложку из монокристаллического кремния 2.

В процес получения записи на этом носителе было включено жидкостное проявление записи деионизованной водой, усиливающее начальный радиационный эффект, Несмотря на это высокой чувствительности у данного носителя получить не удалось. Она характеризовалась дозой 1,210 эл/см (1,9 Кул/см), в лучшем случае. 10 эл/см.(0,1 Ку.л/см), Кроме этого, к недостаткам данного носителя следует отнести то, что его чувствительный слой не отличается высокой химической стойкостью - на его оптические свойства оказывать воздействие влага..

Цель изобретения - повышение чувств.ггельности носителя к воздействию излучения записи и стойкости к внешним воздействиям.

Указанная цель достигается тем, что в носителе для электронно-лучевой записи и оптического воспроизведения информации, содержащем подложку с регистрирующей средой из неорганического материала, регистрирующая среда выполнена из последовательно размещенных на подложке слоев двуокиси олова толщиной 5рО-20000А и золота толщиной не более 300 А.

Толщины слоев SnOa и Аи ограниченны снизу величинами соответственно 500 А И 20 А, не слишком сильно превышающими толщину интерфейса. Это минимальный слой, где разыгрываются радиационно-стимулированные физико-химические процессы. Ограничений сверху на толщину Sn02 плёнки фактически нет. 20000 А - та толщина, вплоть до которой легко получить качественные Sn02 пленки на разных подложках. Максимальная толщина золотой пленки связана: с энергией используемых для записи электронов (3-30 кэВ) и должна быть такой (20-300 А), чтобы электронный поток мог достичь интерфейса Au/SnOa без особых потерь; с тем, что время растворения пленки в проявителе должно составить несколько секунд - десятков секунд; с тем, что избыток золота излишне удорожает носитель.

Также указанная цель достигается тем, что способ изготовления информационной структуры на носителе Для электронно-лучевой записи и оптического воспроизведения информации, при котором на подложку наносят регистрирующую среду, осуществляютэкспонирован1леучастковрегистрирующей среды электронным лучом в соответствии с информационным сигналом при относительном перемеидении носителя и записывающего луча, а затем производят жидкостное проявление записанной информации, отличается тем, что в процессе нанесения регистрируюидей среды на подложку последовательно наносят слой двуокиси оловз и золота, nps/i экспонировании воздействуют электронным лучом на границу раздела этих слоев, npo-4BfieHi/ie записанной информации проводят в смеем 2-4 об.ч. соляной кислоты и 1 об.ч, азотной, а после проявления носитель промьшают,

Чувствительный слой изготавливают, например, следующим образом.

Сначала пиролизог- металлоорганических соединений (тетраэтоксиолозз или ацетилацетонзта олова) на подло кн:у из кварца,сапфира или монокристаллического кремния наносят пленку SnO толщиной 500 Д-20000 А,

На поверхность пленки .SnO. мето,цом

-6 термического напыления е вакуу ш 10 Торр наносят тонкую поликристаллическую пленку золота толщиной -- 20-300 А,

Как показали исследования (в том числе и методом фотоэлектронной спектроскопии), интерфейс (граница раздела) слоев Аи и ЗпОг, изготопленный таким образом, обладает высокой чувств1/1тельность;о к облучению электронами с энергиями 3-30 зЕ, под воздействием которого в слое интерфейса происходят физико-химические превращения с участием Аи iA Si атомов. Визуализировать наличие таких превращений оказалось возможным с помощью царской водки (2-4 об.ч, соляной и 1 об.ч, азотной кислоты).

После записи информации электронным лучом с энергиями электроноз-З-ЗО кэВ

Область использования: техника накопления информации. Сущность изобретения: носитель содержит подложку с последовательно размещенными на ней слоями двуокиси олова толщиной 5рО-2000 А и золота толщиной не более 300 А. На подложку последовательно наносят слои двуокиси олова и золота, при экспонировании воздействуют электронным лучом на границу раздела этих слоев. Проявляют записанную информацию в смеси 2-4 об.ч. соляной кислоты и1об.ч, азотной, затем носитель промывают.2с.п.ф-лы.^tИзобретение относится к технике накопления информации, а именно к носителям информации, предназначенным для электронно-лучевой записи оптически воспроизводимой информации путем создания в их чувствительном слое элементов записи с отличными от остального поля носителя оптическими характеристиками (например коэффициентами пропускания, отражения, коэффициентами рассеяния), а также к области твердотельных структур, запись информации в которых осуществляется в результате происходящих в них радиацион- но-стимулированных физико-химических процессов, не связанных с тепловым разогревом облучаемого участка. Предлагаемый носитель-WORM типа, т.е. для однократной записи и многократного воспроизведения.Такие носители могут быть использованы для архивной записи информации, использоваться в постоянных оптическихзапоминающих устройствах и регистраторах сверхбольшого объема. Их можно использовать для организации банков данных. Возможна запись на них готовых программ для компьютеров, в том числе и для персональных с лазерным считыванием.Известен носитель для электронно-лучевой записи оптически воспроизводимой информации, чувствительный слой которого изготовлен из фосфатного оксидного лазерного стекла на оснопе метафосфата алюминия, содержащего uaiионы-модификаторы Зги Cd[1],Такие носители предназначены для фазовой электронно-лучевой записи. Они обладают не очень высокой чувствительностью, характеризуемой дозой поглощенных электронов 2 • 10^^эл/см^(г/3 10'^ Кул/см^). Фосфатные стекла трудно наносить в виде тонких слоев на подложках.оО1