ЭЛЕКТРОФОТОГРАФИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ Советский патент 1973 года по МПК G03G5/08 

1

Изобретение отшосится к материалам для региспрации информации,,в частности, электрофотографическим и фототермопластичеоким метода м:11.

Известен элоктрофотографичеокий материал для фототермопластичеокой записи, состоящий -из стеклянной подложки с электропроводящим покрытием из SnO2, слоя неорганичеокого полупроводника н лолимерного фототврадопл1аст1ич иого поЛИ-Ы-вииилкарбазола.

Указанный материал не обладает достаточной проз1рач1ностью и чув ствительностью.

С целью устранения повышения чувствительности материала за счет больщой эффективности фотогенерации носителей в неорганическом полупроводнике и осуществления их ннжекции в органический полупроводник, предложено между электропроводящим иокрытием и слоем неорганического полупроводника ввести барьерный диэлектрический слой из моноокиси кремния.

Величина фоточув(ствительносли такого материала определяется фогоиндудированной инжекцией дырок из тонкого слоя иеорганического фотонолушроводника в орга1Нический полишерный фотоаюлупроводник в случае отрицательной зарядки свободной паверх-ностн слоя.

Необходимым условием для осуществления

П1жекцн11 является лал11Ч1ие электрического поля в неорганическом нолунроводнике.

Когда в известном матери але в качестве неoip raiH Ичеокого нолу1П;роводинка применяет ся

Аз25ез, потенциальный барьер для носителей тока между слоем AssSes и слоем SnO2 очень низок, электри ческое поле в ллен-ке As2Se3 отсутствует и по величине чувствителыностн двойной слой не отличается от слоя фототермонластнка.

П|римененне Аз25ез в двойных фотопроводНИ1КОВЫХ слоях перспекти-вио, так как, во-первых, в однослойных материалах с AsaSes осуществляется высокая эффективность фотогенерацнн носителей с квантовым выходом, превыщ ающий еди-ницу, AsaSea обладает высокой термостойкостью, в отличие от Se, что важно для фототермонласт1нчеаких слоев, которые ири эксплуатации лшогократно напревают до 904,130°С.

Особенностью предложенного слоя является возможность реализовать высокую фотоэлектрическую ч вствительность селенонда мыщья.-ка при нанесентш на стекло, имеющее проводящее покрытие из дв окисн олова.

Введение барьерного слоя ,из Si02 SnOz и As2Se3 обеспечивает наличие электрического ноля в последнем, и таким образом, фотоинжекцию дырок в арганичеакий полимерный полупроводник.

При нанесении АззЗез непооредственио на пленк} из SnOs невозможно реалиЗОвать его высокую фотоэлектричеокую чувствительность, так как дырки из Sn02 из-за отсутствия барьера между SnOj и AszSes переходят в AsaSes, смещаЯСь к граНИ|Це As2Sie3 полнмерное покрытие.

Заряд экр-а Епро ъания (в случае отрицательной з аряд1ки Ооверхности) будет находиться не на границе SnOa - AssSes, что п|р,иводит к отсутствию поля в фотополугароводнике (Аз25ез) -и исключает воз1можность инжекции дырок из AsaSss в полмМерное покрытие.

В известном слое по этим .причинам дрименить AsgSes на стеклянной подложке с покрытием из SnOs невозмож но.

В предлагаемом матерн але кроме высокой чущстЕнтельности слои обладают значительно большей тиражеопособяостью благодаря высокой термостойкости, что поз1воляет использовать фототермапластичеокие компози1ЦИ|И со значительно более высокой тем|пвр1атурой размягчентгя, так как воз1МОЖ1но многократное нагревание слоя из Аз25ез до 200-250°iC.

Пример. Стеклянную подложку, на одной поверхности которой имеется прозрачная проводящая пленка из SnOa, предварительно о:безж1ир И1вают, затем термическим распылением в важуу.ме (Н аносят тонкую прозрачную плбна у (толщина 1 мк) из окиси кремния, о6ладающ)чо лиэлеклри чеокнм: свойствами. Далее, }. -илкууме (те ниже 10 торр) на плен.ку

из SnOa ло методу термического испарения наносят прозрачный 1СЛОЙ AsaSes толщиной 0,02-0,03 мк. Сверху слоя Аз25ез образуют пленку из органичеокого фотополупроводника

(lПoли-N- вннилlкap;бaзoл нлй его содержащая полимерная комнозиция) толщиной 1-25 мк путем поли|ва его раствора в толуоле. После сушки в вакуумном термостате в течение 1 час при 70°С слой применяют но назначению.

Полученный слой прозрачен (60%), по чувствительности не устзпает лучши-м электрофотограф ич ейским слоям. Прозрачность слоя позволяет применять его в режиме диапроекции, что важно при фототермопластической регистрации информации. Макои М альная фоточувствительность слоя не ниже 0,16 .

П р е д |М е т изобретения

Элек11рафото1гр|афический материал для фототермопластичеакой заниси, состоящий из стеклянной ПОДЛОЖ1КИ с электропроводящим покрытием из ЗпОз, слоя неорганического нолупроводника и полимерного фотополупроводНИК01ВОГО поКрытня, нанрвмер, из фототермопластичного поли-Н-винилкарбазола, отличающийся тем, что, с целью получения материал а высокой чувствителвности, между электрапровогдян1им покрытием и слоем неорганического полуправодннка введен ;и1элг-ктрнчеiCKiiii слой из моиоокиси 1-;рем11 1и.