Способ изготовления лакопленочного конденсаторного диэлектрика Советский патент 1993 года по МПК H01G13/00 

Описание патента на изобретение SU1800489A1

СО

С

Похожие патенты SU1800489A1

название год авторы номер документа
Способ получения лакопленочного конденсаторного диэлектрика 1979
  • Ильин Юрий Арсеньевич
  • Филатова Галина Ивановна
  • Котова Ирина Петровна
  • Северюхина Нинель Васильевна
SU1035656A1
СПОСОБ АКТИВИРОВАНИЯ ПОВЕРХНОСТИ ДИЭЛЕКТРИКОВ 1994
  • Павлюхина Л.А.
  • Зайкова Т.О.
  • Одегова Г.В.
RU2074536C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ БИС С ДВУХУРОВНЕВОЙ МЕТАЛЛИЗАЦИЕЙ 1991
  • Красножон А.И.
  • Фролов В.В.
  • Хворов Л.И.
RU2022407C1
УСТРОЙСТВО ХРАНЕНИЯ И ОБРАБОТКИ ДАННЫХ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ 1999
  • Гудесен Ханс Гуде
  • Нордаль Пер-Эрик
  • Лейстад Гейрр И.
  • Карлссон Йохан
  • Густафссон Йеран
RU2208267C2
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СИСТЕМЫ МЕТАЛЛИЗАЦИИ КРЕМНИЕВЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ 2006
  • Сенько Сергей Федорович
  • Белоус Анатолий Иванович
  • Плебанович Владимир Иванович
RU2333568C1
СПОСОБ МЕТАЛЛИЗАЦИИ КЕРАМИКИ С ПОМОЩЬЮ МЕТАЛЛИЗИРОВАННОЙ ЛЕНТЫ 2018
  • Непочатов Юрий Кондратьевич
RU2711239C2
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СТРУКТУРЫ 1999
  • Громов В.И.
  • Дунин-Барковский А.Р.
  • Огнев В.В.
RU2197768C2
СВЧ ГИБРИДНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА И СПОСОБ ЕЕ ИЗГОТОВЛЕНИЯ 2004
  • Берлин Евгений Владимирович
  • Сейдман Лев Александрович
RU2287875C2
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДВУСТОРОННИХ ПЕЧАТНЫХ ПЛАТ ИЗ СТЕКЛОТЕКСТОЛИТА 1992
  • Вахрин Владимир Викторович[Ua]
  • Ежовский Юрий Константинович[Ru]
  • Гаврилина Ирина Павловна[Ru]
RU2040129C1
ЛЮМИНЕСЦИРУЮЩАЯ ПОЛИКАРБОНАТНАЯ ПЛЕНКА ДЛЯ БЕЛЫХ СВЕТОДИОДОВ И ДЕТЕКТОРОВ 2011
  • Сощин Наум Пинхасович
  • Уласюк Владимир Николаевич
  • Федоровский Павел Юрьевич
  • Федоровский Юрий Павлович
RU2499329C2

Реферат патента 1993 года Способ изготовления лакопленочного конденсаторного диэлектрика

Использование: изготовление поликарбонатных диэлектриков для электрических конденсаторов. Сущность изобретения: ла- копленочный конденсаторный диэлектрик изготавливают нанесением на две подложки подслоя, лакового поликарбонатного слоя (С) из его раствора в метиленхлориде, который сушат в парах метиленхлорида с концентрацией 20-50 г/см . Наносят на поликарбонатный С одной из подложек С металлизации, затем слои на подложках соединяют, проводят их термообработку при 135-145°С в течение 3-5 час, после чего подложки с подслоями отделяют. Сушат поликарбонатный С в сушильной камере при температуре 60-80°С в течение 0,5-1 мин. Способ обеспечивает улучшение характеристик диэлектрика, упрощение технологии его изготовления.

Формула изобретения SU 1 800 489 A1

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении диэлектрика для конденсаторов с повышенным удельным зарядом.

Целью изобретения является упрощение технологии и улучшение характеристик диэлектрика.

П р и м е р. На две подложки наносят подслои полиэтиленового воска, затем наносят раствор поликарбоната в метиленхлориде с концентрацией 1-3 мае.% полимера. Сушку слоев проводят в сушильных камерах в потоке горячего воздуха с температурой 60-80°С, содержащего 20-50 г/м3 паров растворителя, в течение 0,5-1 мин. Один из лаковых слоев на подложке металлизируют и соединяют с другим, неметаллизированным слоем на подложку. Сдвоенные рулоны термообрабатывают при температуре 135145°С в течение 3-5 ч. После этого подложки с подслоями отделяют с обеих сторон диэлектрика. Толщина сдвоенного поликарбонатного диэлектрика с междуслойной металлизацией составляет 0,6-1,2 мкм (минимальная толщина пленки по прототипу 1,3 мкм).

Предлагаемый режим сушки нанесенного раствора поликарбоната обеспечивает получение аморфной структуры образующейся псликарбонатной пленки. Сушка поликарбонатного слоя в сушильной камере при температуре 60-80°С в течение 0,5-1,0 ми обеспечивает такую скорость испарения растворителя метиленхлорида, при которой образуется достаточно плотная структура пленки, и одновременно с этим не успевает образоваться кристаллическая структура. Поскольку подвижность молекулярной цепи

00

о о

.4 00

О

в аморфном состоянии выше, чем кристаллическом, при термообработке сдвоенных лаковых слоев удается достигнуть моноли- тизации за счет термообработки структуры при температуре 130-145°С. Получение двухслойной структуры без нанесения дополнительного клеящего слоя значительно упрощает технологию изготовления диэлектрика. Кроме того, поскольку клеящий слой имеет электрические свойства, отличные от материала, из которого изготовлен сам диэлектрик, неизбежно ухудшение свойств всей создаваемой структуры. Исследования показали, что аморфная структура поликарбонатной пленки толщиной 0,6-1,3 мкм, полученная по данному способу, обеспечивает достаточно высокую электрическую прочность диэлектрика., порядка 250 кВ/мм, и низкое значение тангенса угла диэлектрических потерь, tg д 1 -10 , что не отличает данный диэлектрик от поликарбонатной пленки с кристаллической ориентированной структурой.

. Использование изобретения позволяет получать сдвоенные поликарбонатные диэлектрические структуры с междуслойной металлизацией малых толщин (0,6-1,2 мкм), обладающие свойствами поликарбонатных диэлектриков с кристаллической структурой

0

и имеющие среднюю электрическую прочность 250-350 кВ/мм за счет изготовления аморфной плотной структуры образующихся лаковых слоев, перекрывания возможных дефектов, образующихся в процессе получения каждого слоя, вследствие проведения операции сдваивания и исключения операции нанесения дополнительного клеящего слоя. При этом значительно снижается трудоемкость изготовления диэлектрика.

Формула изобретения Способ изготовления лакопленочного конденсаторного диэлектрика, включающий последовательное нанесение на каждую из двух подложек подслоя и слоя лака, сушку, металлизацию лакового слоя на одной из подложек и соединение слоев на подложках, термообработку и отделение подложек с подслоями, отличающий - с я тем, что, с целью упрощения технологии и улучшения характеристик диэлектрика, в качестве лака используют раствор поликарбоната в метиленхлориде, сушку осуществляют в воздушной среде, содержащей пары

метиленхлорида с концентрацией 20-50

г/м3, при 60-80°С в течение 0,5-1,0 мин, а

термообработку осуществляют при 135145°С в течение 3-5 ч.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1993 года SU1800489A1

Способ окисления боковых цепей ароматических углеводородов и их производных в кислоты и альдегиды 1921
  • Каминский П.И.
SU58A1
Печь для непрерывного получения сернистого натрия 1921
  • Настюков А.М.
  • Настюков К.И.
SU1A1
Способ получения лакопленочного конденсаторного диэлектрика 1979
  • Ильин Юрий Арсеньевич
  • Филатова Галина Ивановна
  • Котова Ирина Петровна
  • Северюхина Нинель Васильевна
SU1035656A1
Печь для непрерывного получения сернистого натрия 1921
  • Настюков А.М.
  • Настюков К.И.
SU1A1

SU 1 800 489 A1

Авторы

Ильин Юрий Арсентьевич

Смышляева Елена Юрьевна

Щупак Галина Ивановна

Горбунов Николай Иванович

Северюхина Нинель Васильевна

Даты

1993-03-07Публикация

1990-11-11Подача