Изобретение относится к технике выращивания кристаллов вытягиванием из расплава методом Чохральского и может быть использовано для получения высококачественных монокристаллов молибдата гадолиния 90° ориентации. Кристаллы 90° ориентации требуются для получения функциональных управляемых акустоэлектрон- ных устройств для аналоговой обработки сигнала.
Целью изобретения является увеличе- .ние размеров кристаллов при сохранении качества.
Пример 1. Для выращивания кристаллов молибдата гадолиния 90° - ориентации использовались заранее ориентированные 90°-ные затравки. Выращивание проводили на воздухе из платинового тигля, имеющего следующие размеры: диаметр - 40 мм, высота - 40 мм, толщина стенки - 3 мм. Тепловая зона была выполнена в виде труб из спеченной окиси алюминия. Расплав находился при 1160°С. Скорость вытягивания кристаллов составляла 5-1.0 мм/ч. Скорость вращения при разращивании составляла 40 об/мин. При этом толщина кристалла 25 мм. После разращи- вания скорость вращения, увеличили до 100 об/мин - толщина кристалла осталась прежней. Длина участка разращивания составила 15 мм. Было выращено 12 кристаллов молибдата гадолиния 90° ориентации длиной 50-60 мм, шириной до 32 мм, толщиной 25 мм хорошего качества. Из каждого кристалла вырезали 6 элементов шириной 10 мм, толщиной 11 мм, длиной 40 мм.
В табл.1 приводятся значения толщин выращиваемых кристаллов в зависимости от толщины кристалла при разращивании в момент увеличения скорости вращения кри сталлов до ЮОо.б/мИн.
Также проводилось разращивание кристаллов с другими скоростями вращения при прочих равных условиях, указанных в примере 1. Данные представлены в табл.2.
По сравнению с прототипом изобретение позволяет получать кристаллы молибдата гадолиния 90° ориентации толщиной 2 раза больше, а следовательно, увеличить производительность в 2 раза.
СО
С
00
о
о о
Формула изобретения
Способ выращивания кристаллов мо- либдата гадолиния 90° ориентации, включающий затравливание, разращивание кристалла и вытягивание при вращении кристалла со скоростью 90-110 об./мин, отличающийся тем, что, с целью увеличения размеров кристаллов при сохранении каче- ства, при разращивании кристалла вращают со скоростью 20-50 об./мин до достижения толщины более 15 мм,
| название | год | авторы | номер документа |
|---|---|---|---|
| СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСПЛАВА В АВТОМАТИЧЕСКОМ РЕЖИМЕ | 1990 |
|
RU2023063C1 |
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ФОСФИДА ИНДИЯ | 2010 |
|
RU2462541C2 |
| СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ ОПТИЧЕСКИ ПРОЗРАЧНЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ ТЕРБИЙ-ГАЛЛИЕВОГО ГРАНАТА | 2006 |
|
RU2328560C1 |
| Способ выращивания кристаллов из расплава в автоматическом режиме | 1990 |
|
SU1798396A1 |
| Способ выращивания профилированных кристаллов сложных оксидов | 1989 |
|
SU1691433A1 |
| Способ получения монокристаллов гадолиний-галлиевого граната | 1986 |
|
SU1354791A1 |
| Способ получения монокристаллов молибдата свинца | 1988 |
|
SU1659535A1 |
| Способ получения монокристаллов гадолиний-галлиевого граната | 1986 |
|
SU1453960A1 |
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ИЗДЕЛИЙ ИЗ РАСПЛАВА | 1997 |
|
RU2160330C2 |
| Способ выращивания монокристаллов германата висмута | 1991 |
|
SU1789578A1 |
Использование: кристаллы для акустоэ- лектронных устройств для аналоговой обработки сигнала. Сущность изобретения: кристаллы выращивают методом Чохраль- ского. При разращивании кристалл вращают со скоростью 20-50 об/мин до достижения толщины кристалла более 15 мм, при вытягивании кристалл вращают со скоростью 90-110 об/мин. Получают кристаллы длиной до 60 мм, шириной 32 мм, толщиной 25 мм хорошего качества. 2 табл.
Скорость вращения
кристалла (об/мин)
при раращивании
Кристаллы растрескивались при охлаждении Единичные случаи растрескиванияКристаллы хорошего качества
Кристаллы хорошего качества, но их толщина не удовлетворяет требуемой при резке на элементы.
Таблица 1
Таблиц а 2
Количество элементов, 10 мм х 11 мм х 40 мм, вырезанное из одного кристалла
О 6 6 3
| Патент США Ns 3880984, кл | |||
| Печь для непрерывного получения сернистого натрия | 1921 |
|
SU1A1 |
