Устройство для ионно-плазменного нанесения многокомпонентных пленок в вакууме Советский патент 1993 года по МПК C23C14/35 

Описание патента на изобретение SU1816288A3

Изобретение относится к технике нанесения покрытий в вакууме, а именно к устройствам ионно-плазменного распыления магнетронного типа и может быть использовано для нанесения многокомпонентных пленок при производстве изделий в электронной, приборостроительной, оптической и других отраслях промышленности.

Цель изобретения - расширение технологических возможностей и повышение точ- ности стехиометрического состава напыляемых пленок путем определения расчетного соотношения площадей распыления, размыкаемых компонентов на поверхности мишени.

Поставленная цель достигается тем, что в устройстве, содержащем анод, катод с дисковой мишенью, образующие катодный узел, магнитную систему с двумя разноименными полюсными наконечниками замкнутой формы, один из которых размещен с зазором по контуру другого с нерабочей стороны мишени, при этом осевая линия зазора представляет собой два или более сшитых участков эвольвент, привод вращения магнитной системы, средство охлаждения катодного узла, мишень выполнена составной, при этом на рабочей стороне основы мишени, изготовленной из одного компонента состава, размещен по меньшей мере один соосный кольцевой диск, изготовленный из другого компонента состава, а внешний радиус 1-той кольцевой зоны распыления определяется из выражения:

00

Ю 00 00

Ы

П

У R2- .k .3v@5

.tfft kl 5ic. ferV

l-1,2..p(1),

руктивмым. физическим и электрическим параметрам систем ионно-плазменного напыления из заявки-прототипа.

Остальные исходные данные (количест- венное соотношение компонентов в пленке) взяты из целей задачи получения многокомпонентных покрытий, либо являются справочными (k, m°, p ).

Отметим также, что данные, приведенные в заявке втаблицах 1 и2, подтверждены конкретными практическими расчетами и экспериментальными результатами.

Ниже для наглядности приведен пример расчета возможных конструкций мишени с разной степенью дробления колец из одного и того же компонента для получения трехкомпонентной пленки с заданным сте- хиометрическим составом:

AI58TI14SI28.

Здесь за основу мишени был взят алюми- ний. Общие размеры мишени взяты прежними (R 40 мм, г0 13,46 мм). Остальные исходные данные, а также результаты расчета приведены в таблице.

1. Общее количество колец мишени: 3 Преобразованная стехиоиетрическая формула:

Al58,oTil4,0 S 128,0

Результаты расчета: внутренние и внешние радиусы колец

го 13,46

П 26.20

г2 30,67

гз 40,00

В соответствии с преобразованной сте- хиометрической формулой кольцо с радиусами (го, п) выполнено из AI, (г}, га) -из Т|, (Г2, гз) - из Si.

Аналогичная расшифровка проводится и для результатов других нижеприведенных примеров,

2. Общее количество колец мишени: 4

Преобразованная стехиометрическая

формула:

A118,2 T114,0 Si28,0 AI39.8

Результаты расчета: внутренние и внешние радиусы колец

го 13,46

П-18,43

Г2 24,38

гз 35,40

Г4 40,00

З.1 Общее количество колец мишени: 5

Преобразованная стехиометрическая формула:

A111,7 T114.0 A119,3 Sl28,0 AI27.0

Результаты расчета: внутренние и внешние радиусы колец го-13,46

п-16.82

та- 23.18

гз 26,56

Г4 - 36,94

П 40,00

4. Общее количество колец мишени; 9

Преобразованная стехиометрическая формула:

,5Tis,3 ,o S 11.2 A111,6 Tiaj A 14.2 Sli6.8 A 16,7

Результаты расчета: внутренние и внешние радиусы колец

го 13,46

П - 15,42

Г2 1.8,26

гз - 20,30

щ. 26,00

гв - 27,88

re - 30,59

г 32.55

га 38,14

Г9 40,00

Разбиение нижних индексов исходной стехиометрической формулы должно производиться таким образом, чтобы получаемые размеры колец (ги, п) легко позволяли их техническую реализацию.

На фиг. 1 показана конструкция устройства, разрез; на фиг. 2 - составная дисковая мишень.

Описание устройства в статике.

Устройство состоит из катода 1 с укрепленной на нем дисковой мишенью 2 и анода 3. Внутренняя полость катода 1 охлаждается проточной водой (средство охлаждения не показано). С нерабочей стороны мишени 2 расположена магнитная система, состоящая из магнитопровода 4 с расположенными на нем парными постоянными стержневыми магнитами 5, на которых за счет магнитных сил укреплены замкнутые разноименные полюсные наконечники 6 и7, расположенные с зазором 8 один относительно другого, при это полюсный наконечник 6 охватывает по контуру полюсный наконечник 7. Магнитопровод 4 соединен с приводом вращения 9.

Устройство крепится к рабочей камере с патрубком откачки и патрубком подачи рабочего газа, например, аргона (на черт, не показана).

Составная дисковая мишень (показанная на фиг. 1 и 2) для получения двухкомпо- нентной пленки со стехиометрическим составом Ti3oW o выполнена следующим образом: основа мишени радиусом 50 мм изготовлена из вольфрама (W) толщиной 5 мм, на рабочей стороне основы мишени расположен соосный кольцевой диск толщиной 3 мм, изготовленный из титана (Ti) с внутренФиг 2

Похожие патенты SU1816288A3

название год авторы номер документа
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИОННО-ПЛАЗМЕННОГО НАНЕСЕНИЯ ПЛЕНОК В ВАКУУМЕ 1999
  • Козлов А.Г.
  • Флорин В.А.
RU2193074C2
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИОННО-ПЛАЗМЕННОГО РАСПЫЛЕНИЯ МАТЕРИАЛОВ В ВАКУУМЕ 1993
  • Левченко Георгий Тимофеевич[Ua]
  • Маишев Юрий Петрович[Ru]
  • Парфененок Михаил Антонович[Ua]
  • Исаев Олег Юрьевич[Ua]
RU2075539C1
СПОСОБ ИОННО-ПЛАЗМЕННОГО НАНЕСЕНИЯ МНОГОКОМПОНЕНТНЫХ ПЛЕНОЧНЫХ ПОКРЫТИЙ, МОЗАИЧНАЯ МИШЕНЬ ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ И СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МИШЕНИ 2001
  • Гусева М.И.
  • Атаманов М.В.
  • Мартыненко Ю.В.
  • Московкин Ю.В.
  • Митин В.С.
  • Митин А.В.
  • Ширяев С.А.
RU2210620C1
УСТРОЙСТВО ДЛЯ МАГНЕТРОННОГО РАСПЫЛЕНИЯ МАТЕРИАЛОВ В ВАКУУМЕ 1990
  • Ключников Ю.В.
  • Левченко Г.Т.
  • Недыбалюк А.А.
  • Одиноков В.В.
SU1832760A1
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИОННО-ПЛАЗМЕННОГО РАСПЫЛЕНИЯ МАТЕРИАЛОВ В ВАКУУМЕ 1985
  • Сейдман Л.А.
  • Смирнов В.К.
RU1332866C
ПЛАНАРНЫЙ МАГНЕТРОН С РОТАЦИОННЫМ ЦЕНТРАЛЬНЫМ АНОДОМ 2022
  • Семенов Александр Петрович
  • Цыренов Дмитрий Бадма-Доржиевич
  • Семенова Ирина Александровна
RU2792977C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СВЕРХПРОВОДЯЩИХ ПЛЕНОК 1991
  • Кукуев В.И.
  • Попов Г.П.
  • Тутов Е.А.
RU2080692C1
МАГНЕТРОННОЕ РАСПЫЛИТЕЛЬНОЕ УСТРОЙСТВО 1992
  • Баликоев И.С.
  • Барченко В.Т.
  • Заграничный С.Н.
  • Еремеев Е.В.
RU2032766C1
СОСТАВНАЯ МИШЕНЬ ДЛЯ МАГНЕТРОННОГО РАСПЫЛЕНИЯ 2017
  • Демидов Евгений Сергеевич
  • Сдобняков Виктор Владимирович
  • Дудин Юрий Аркадьевич
  • Лесников Валерий Павлович
  • Чигиринский Юрий Исаакович
RU2695716C1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ НА ПОДЛОЖКЕ КАЛЬЦИЙ-ФОСФАТНОГО ПОКРЫТИЯ 2008
  • Иевлев Валентин Михайлович
  • Белоногов Евгений Константинович
  • Костюченко Александр Викторович
RU2372101C1

Иллюстрации к изобретению SU 1 816 288 A3

Реферат патента 1993 года Устройство для ионно-плазменного нанесения многокомпонентных пленок в вакууме

Изобретение касается нанесения покрытий в вакууме и может быть использовано при производстве изделий в электронной, приборостроительной, оптической и других отраслях промышленности. В устройстве требуемая стехиометрия достигается при создании в пространстве непосредственно над мишенью требуемого количественного соотношения атомов различных компонентов за счет определения размеров колец по предложенной расчетной формуле, а однородность стехиометрии по всей поверхности обеспечивается многократным дроблением колец из одного и того же компонента, разделенных кольцами из других компонентов. В устройстве кольцевые элементы располагают по распыляемой поверхности дискового элемента мишени. 2 ил. (Л С

Формула изобретения SU 1 816 288 A3

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1993 года SU1816288A3

Способ получения молочной кислоты 1922
  • Шапошников В.Н.
SU60A1
Прибор для равномерного смешения зерна и одновременного отбирания нескольких одинаковых по объему проб 1921
  • Игнатенко Ф.Я.
  • Смирнов Е.П.
SU23A1
Авторское свидетельство СССР № 1244960, кл
Прибор для равномерного смешения зерна и одновременного отбирания нескольких одинаковых по объему проб 1921
  • Игнатенко Ф.Я.
  • Смирнов Е.П.
SU23A1

SU 1 816 288 A3

Авторы

Беришвили Заури Валерьянович

Гадахабадзе Иосиф Герасимович

Схиладзе Гиви Андреевич

Даты

1993-05-15Публикация

1990-11-06Подача