Способ разбраковки по электрическим параметрам структур стабилитронов на пластине Советский патент 1993 года по МПК H01L21/66 

Изобретение относится к электронной технике, в частности, может быть использовано в технологии изготовления полупро- водникоёых приборов, кристаллы которых получены из полупроводниковых пластин преимущественно с двумя пленарными сторонами, имеющих малое удельное сопротивление.

Целью изобретения является повышение производительности, а также снижение себестоимости за счет разбраковки кристаллов в пластине по признакам годен - брак до их запуска на сборку.

Цель достигается тем, что по способу разбраковки по электрическим параметрам структур стабилитронов на пластине, включающему измерение электрических параметров зондовым методом, отметку бракованных структур, разделение пластин на кристаллы, нижний зонд совмещают с одной из контактных площадок нижней планарной стороны, сканируют верхним зондОм поочередно все контактные площадки верхней планарной стороны, измеряют электрические параметры структур стаби- лйтронов.по напряжению стабилизации, динамическому сопротивлению, обратному напряжению, переворачивают пластину и првторяют в тех же условиях операцию сканирования, отмечают магнитными чернилами бракованные структуры, пластину .разделяют и удаляют бракованные кристаллы стабилитронов.

На чертеже показано устройство для реализации способа.

На предметный столик 1 зондовой установки установлено приспособление 2, в котором закреплен неподвижный зонд 3, подключаемый к измерителю параметров (И) через разъем 4. Приспособление содержит также подвижный зонд 5. Полупроводниковая пластина 6 помещается на приспособление 2. Позиции 7, 8 - контактные площадки с верхней и нижней сторон пластины. Пунктиром показан путь тока при

(Л

С

00

ю о

4

го ел

занятии подвижным зондом 5 любого положения от неподвижного зонда.

Осуществление способа показано на примере разбраковки по электрическим параметрам структур стабилитронов в пластине. Приспособление 2 устанавливается на предметный столик 1 зондовой установки, пластину помещают на приспособление следующим образом. С помощью микроскопа совмещают над неподвижным зондом 3 л вертикали на одной оси подвижный зонд ;i. Помещают в зазор между зондами пластину 6 и ориентируют пйд зонд 5 контактный выступ 8 верхней плоскости пластины, нижний контактный выступ 7 пластины автоматически совмещается с 1еподвижным зондам 3 устройства, Пластина фиксируется на поверхности приспособления с помощью вакуумного присоса.

Предметный столик 1 зондовой установки ориентируется по осям X, У. С включением зондовой установки в режиме Автомат подаижный зонд поочередно тактирует с каждым контактным выступом пластины и согласно заданной программе от источника измерителя подается ток или прикладывается напряжение в зависимости от измеряемого параметра. Разбраковывайте. электрические параметры каждой структуры :о верхней плзнарной стороне, при этом одна контактная площадка нижней пленарной стороны является общей для всех структур. Электрические схемы подключения при разбраковке по электрическим параметрам используются известные для дискретных приборов, измеряются присущие для этого класса приборов параметры, такие как напряжение стабилизации, обратное напряжение, динамическое сопротивление.

Для процесса разрабовкм с источника питания подается на структуру рабочий ток, равный значению тока готового изделий, Для измерения обратных величин тока и напряжения меняется полярность источника. Полученные результирующие значения

напряжения, сопротивления сравниваются в блоке измерителя с запрограммированными нормами разбраковки. Если один из параметров отличается от нормы, то устройство маркировки помечает магнитными чернилами ту структуру, которая не удовлетворяет нормам разбраковки. Для разбраковки каждой структуры нижней пленарной стороны пластину переворачивают, нижний зонд совмещают с

одной из контактных площадок нижней пленарной стороны (прошедшей контроль),вер- хним зондом поочередно сканируют все контактные площадки верхней (не прошедшей контроль) пленарной стороны пластины,

повторяя операцию разбраковки по электрическим параметрам.

Разбракованная по электрическим параметрам пластина скрайбируется, разделяется на кристаллы и с помощью магнита

бракованные структуры отделяются от годных. Годные кристаллы передаются на сборку,

Формула изобретения

Способ разбраковки по электрическим параметрам структур стабилитронов на пластине, включающий измерение электрических параметров зондовым методом, отметку бракованных структур, разделение

пластин на кристаллы, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности при разбраковке структур на пластине с двумя пленарными сторонами, ; нижний зонд совмещают с одной из контактных площадок нижней пленарной стороны, сканируют верхним зондом поочередно все контактные площадки верхней пленарной стороны, измеряют электрические параметры структур стабилитронов по напряжению

стабилизации, динамическому сопротивлению, напряжению обратному, переворачивают пластину и повторяют в условиях операцию сканирования, отмечают магнитными чернилами бракованные

структуры, пластину разделяют и удаляют бракованные кристаллы стабилитронов.

Сущность изобретения: измеряют зон- довым методом электрические параметры стабилитронов. При этом совмещают нижний зонд с одной из контактных площадок нижней планарной стороны. Сканируют верхним зондом поочередно все контакт- ные-площадки верхней планарной стороны. Переворачивают пластину. Повторяют операции контроля. Отличают бракованные структуры. Разделяют пластину на кристаллы. Удаляют бракованные кристаллы. 1 ил.