СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ p — я-ПЕРЕХОДОВ Советский патент 1966 года по МПК H01L21/04 

Описание патента на изобретение SU184979A1

Известен способ получения р- п-переходов на кремний, заключающийся в том, что проводят термодиффузию бора в окисляющей атмосфере (например, на воздухе) из боросиликатыого стекла состава m ВзОз « SiOg. Этот способ не дает возможности получить высокую поверхностную концентрацию бора в кремнии (концентрация В () IQi см-л) и не создает равномерной концентрации бора по площади, при этом глубина диффузии бора невелика.. , Предложенный способ отличается от известного тем, что термодиффузия проводится из борокальциевосиликатного стекла состава / B2O3-nSiO2-feCaO, в котором СаО, обладая большей упругостью пара, чем ВоОз, создает предпосылки для поддержания достаточно высокого относительного содержания ВаОз в стекле в процессе термодиффузий. Способ позволяет получить высокую поверхностную концентрацию бора, равномерную по площади (концентрация бора 102осж з) при большой глубине диффузии бора. Предложенный способ заключается в том, что на шлифованную поверхность пластины наносится спиртовой раствор борной кислоты G добавкой небольшого количества Са.(МОз)2 или любого другого растворимого в спирте и разлагающегося при нагреве до СаО соединения кальция. Спиртовой раствор равномерно растекается на поверхности пластины, обеспечивая при высыхании однородное распределение НзБОз и Са(ЫОз)2. При термообработке в окисляющей атмосфере на поверхности пластины образуется стекло состава / ВаОз яЗЮ -йСаО, содержащее значительное количество ВаОз. Поскольку скорость испарения окиси кальция довольно высокая, то при длительной термообработке большая часть ее испаряется, и толщина слоя стекла на поверхности пластины уменьшается. Это ведет к увеличению процентного содержания ВаОз в стекле и в значительной степени компенсирует испарение В2Оз. Паличие на поверхности кремниевой пластины в течение длительного времени источника с высоким содержанием ВзОз обеспечивает получение высокой поверхностной концентрации (1 .wsj. Предмет изобретения Способ получения р - «-переходов на кремнии термодиффузией бора в окисляющей атмосфере, отличающийся тем, что, с целью получения высокой поверхностной концентрации бора в кремнии при большой глубине диффузии, ее проводят из борокальциевосиликатного стекла состава /BaOj-nSiOa- CaOi

Похожие патенты SU184979A1

название год авторы номер документа
СПОСОБ ДИФФУЗИИ БОРА В КРЕМНИЕВЫЕ ПЛАСТИНЫ 2000
  • Диковский В.И.
  • Смирнова Н.В.
  • Евстигнеев Д.А.
RU2183365C1
Способ изготовления мощных ВЧ транзисторных структур 1978
  • Глущенко В.Н.
  • Красножон А.И.
SU705924A1
Способ изготовления СВЧ-транзисторных структур 1975
  • Иванов В.Д.
  • Глущенко В.Н.
  • Толстых Б.Л.
SU669995A1
Способ формирования изолированных внутренних областей 1989
  • Думаневич А.Н.
  • Нисневич Я.Д.
SU1715124A1
Способ изготовления полупроводниковых структур с высокоомными диффузионными слоями 1981
  • Глущенко В.Н.
SU986229A1
Способ изготовления @ - @ - @ - @ -структур 1978
  • Соболев Н.А.
  • Шек Е.И.
SU686556A1
ПРОДУКТЫ ИЗ МИНЕРАЛЬНОГО ВОЛОКНА 2004
  • Йенсен Сорен Лунд
RU2314273C2
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СТРУКТУРЫ 1999
  • Громов В.И.
  • Дунин-Барковский А.Р.
  • Огнев В.В.
RU2197768C2
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР С ТЕМПЕРАТУРНОЙ КОМПЕНСАЦИЕЙ 1982
  • Кремнев А.А.
SU1131388A1
СПОСОБ ДИФФУЗИИ БОРА В КРЕМНИЙ 2011
  • Диковский Владлен Исакович
RU2475883C1

Реферат патента 1966 года СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ p — я-ПЕРЕХОДОВ

Формула изобретения SU 184 979 A1

SU 184 979 A1

Даты

1966-01-01Публикация